โตเกียว–(บิสิเนสไวร์)–11 มี.ค. 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“โตชิบา”) ได้เปิดตัว MOSFET แบบ super Junction power 650V, TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z และ TK190U65Zในซีรีส์ DTMOSVI ที่อยู่ในแพ็คเกจ TOLL (TO-leadless) การจัดส่งตามปริมาณการผลิตเริ่มตั้งแต่วันนี้

ข่าวประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยมัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210310005381/en/

TOLL เป็นแพ็คเกจแบบยึดพื้นผิวที่มีขนาดเล็กกว่าแพ็คเกจ D2PAK ปกติประมาณ 27%  นอกจากนี้ยังเป็นแพ็คเกจประเภท 4 พินที่ช่วยให้สามารถเชื่อมต่อเคลวินของขั้วแหล่งกำเนิดสัญญาณสำหรับเกตไดรฟ์  สิ่งนี้สามารถลดอิทธิพลของการเหนี่ยวนำของสายต้นทางในแพ็คเกจเพื่อดึงประสิทธิภาพการสลับความเร็วสูงของ MOSFETs ออกมาซึ่งจะลดการสั่นเมื่อทำการเปิดปิด  เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ของปัจจุบันโตชิบา TK090N65Z^[1] การสูญเสียเมื่อเปิดเครื่องขึ้นจะลดลงประมาณ 68% และการสูญเสียเมื่อปิดจะลดลงประมาณ 56%^[2][3]  MOSFET ใหม่นี้เหมาะสำหรับอุปกรณ์จ่ายไฟสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมเช่นศูนย์ข้อมูลและเครื่องปรับสภาพไฟฟ้าโซลาร์เซลล์

การรวมกันของบรรจุภัณฑ์ TOLL กับรุ่นเทคโนโลยีการผลิต DTMOSVI ล่าสุด^[4]  ขยายเป็นการขยายผลิตภัณฑ์ให้ครอบคลุมความต้านทาน On-resistance ต่ำเป็น 65mΩ(สูงสุด)^[5]  โตชิบาจะยังคงปรับปรุงผลิตภัณฑ์ด้วยแพ็คเกจ TOLL เพื่อนำไปสู่การลดขนาดอุปกรณ์และปรับปรุงประสิทธิภาพ

หมายเหตุ:

[1] ผลิตภัณฑ์ในซีรีส์ DTMOSVI ที่มีแรงดันไฟฟ้าและความต้านทาน On เทียบเท่าที่ใช้แพ็คเกจ TO-247 โดยไม่มีการเชื่อมต่อเคลวิน

[2] ณ วันที่ 10 มีนาคม 2021 ค่าที่ Toshiba วัดได้ (เงื่อนไขการทดสอบ: V_DD=400V, V_GG=+10V/0V, I_D=15A, R_g=10Ω, T_a=25℃)

[3] TK090U65Z เท่านั้น

[4] ณ วันที่ 10 มีนาคม 2564

[5] TK065U65Z เท่านั้น

การใช้งาน

• ศูนย์ข้อมูล (อุปกรณ์จ่ายไฟของเซิร์ฟเวอร์ ฯลฯ )
• เครื่องปรับกำลังไฟฟ้าสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าโซลาร์เซลล์
• ระบบไฟฟ้าสำรอง

คุณสมบัติ

• แพ็คเกจติดพื้นผิวที่บางและเล็ก
• การสูญเสียเมื่อเปิดและปิดเครื่องจะลดลงโดยใช้แพคเกจประเภท 4 พิน
• รุ่น DTMOSVI ซีรีส์ล่าสุด^[4]

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(Ta= 25 ° C)
หมายเลขชิ้นส่วน		TK065U65Z	TK090U65Z	TK110U65Z	TK155U65Z	TK190U65Z
แพ็คเกจ	ชื่อ	TOLL
	ขนาด (มม.)	9.9×11.68, t: 2.3
ค่าสัมบูรณ์สูงสุด	แหล่งกระแส VDSS (V)	650
	กระแสไฟ (DC) ID (A)	38	30	24	18	15
แรงต้านกระแส On-resistance RDS(ON) max (Ω) @VGS= 10V		0.065	0.09	0.11	0.155	0.19
ค่าเกตทั้งหมด Qg typ (nC)		62	47	40	29	25
ค่ากระแสระบายเกต Qgd typ. (nC)		17	12	11	8	7.1
การเก็บประจุไฟฟ้าอินพุต Ciss typ. (pF)		3650	2780	2250	1635	1370
กระแสแบบ Channel-to-case ความต้านทานความร้อน Rth(ch-c) max (℃/W)		0.462	0.543	0.657	0.833	0.961
ซีรี่ส์ปกติ (DTMOSIV) หมายเลขชิ้นส่วน		–	–	–	TK20G60W[6]	TK16G60W[6] ]
ตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมในการจำหน่าย		ซื้อออนไลน์	ซื้อออนไลน์	ซื้อออนไลน์	ซื้อออนไลน์	ซื้อออนไลน์

หมายเหตุ:

[6] V_DSS= 600V, แพคเกจ D2Pak

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

TK065U65Z

TK090U65Z

TK110U65Z

TK155U65Z

TK190U65Z

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFETs

MOSFETs

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์โปรดไปที่:

TK065U65Z

TK090U65Z

TK110U65Z

TK155U65Z

TK190U65Z

สอบถามข้อมูลลูกค้า
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: + 81-3-3457-3933

https://toshiba.semicon-storage.com/ap -en / contact.html

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation รวมความกระตือรือร้นของบริษัทใหม่เข้ากับประสบการณ์ที่ยาวนาน  ตั้งแต่ได้แยกจาก Toshiba Corporation ในเดือนกรกฎาคมปี 2560 เราได้เข้าเป็นบริษัทชั้นนำด้านอุปกรณ์ทั่วไปและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจในเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 24,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ  เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะต่อยอดจากยอดขายรายปีที่ในขณะนี้สูงกว่า 750 พันล้านเยน (6.8 พันล้านเหรียญสหรัฐ) และเพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน

ศึกษาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

อ่านเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210310005381/en/

คำถามสำหรับสื่อ:

Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Department  (แผนกการตลาดดิจิทัล) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: + 81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย