– ผลิตภัณฑ์ซีรีส์ TCK42xG รองรับการเชื่อมต่อแบบหลังชนหลังของมอสเฟตชนิด N-channel ที่ใช้ภายนอก –
คาวาซากิ, ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–09 กุมภาพันธ์ 2565
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้วางจำหน่ายผลิตภัณฑ์รุ่น “TCK421G” สำหรับสายไฟขนาด 20V โดยเป็นผลิตภัณฑ์ชิ้นแรกจาก “ซีรีส์ TCK42xG” ใหม่ของวงจรขับเกตมอสเฟต อุปกรณ์จากซีรีส์นี้ออกแบบมาเพื่อการควบคุมแรงดันเกตของมอสเฟตชนิด N-channel ที่ใช้ภายนอก โดยอิงจากแรงดันขาเข้าและมีฟังก์ชันหยุดการทำงานเมื่อแรงดันเกินด้วย การจัดส่งสู่ตลาดจะเริ่มต้นในวันนี้
เอกสารประชาสัมพันธ์นี้มีเนื้อหามัลติมีเดีย ดูอย่างเต็มรูปแบบที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220208005552/en/
Toshiba: วงจรขับเกตมอสเฟตรุ่น TCK421G ใหม่ที่จะช่วยลดฟุตพริ้นท์ของอุปกรณ์ (กราฟิก: Business Wire)
TCK421G เหมาะสำหรับกำหนดค่าวงจรมัลติเพล็กซ์หรือวงจรตัดการจ่ายไฟที่มีการบล็อกกระแสย้อนกลับร่วมกับการเชื่อมต่อแบบหลังชนหลังของมอสเฟตชนิด N-channel แบบใช้ภายนอก ประกอบด้วยวงจรอัดประจุที่รองรับแรงดันขาเข้าที่กว้างตั้งแต่ 2.7 โวลต์ ถึง 28 โวลต์ และเป็นแหล่งจ่ายไฟที่เสถียรให้กับแรงดันระหว่างขั้วเกต-ซอร์สของมอสเฟตภายนอกโดยมีการทำงานเป็นพัก ๆ (intermittent operation) ซึ่งทำให้สามารถสลับกระแสที่มีปริมาณมากได้
TCK421G มาในแพ็คเกจ WCSP6G[1] ซึ่งเป็นหนึ่งในแพ็คเกจที่เล็กที่สุดในอุตสาหกรรม[2] และยังคำนึงถึงการติดตั้งโดยใช้พื้นที่อย่างคุ้มค่าในอุปกรณ์ขนาดเล็กอย่างเช่นอุปกรณ์สวมใส่อัจฉริยะและสมาร์ทโฟน ซึ่งช่วยลดฟุตพรินต์ของอุปกรณ์เหล่านั้น
Toshiba จะยังคงพัฒนาผลิตภัณฑ์ซีรีส์ TCK42xG ต่อพร้อมเตรียมเปิดตัวผลิตภัณฑ์อีกทั้งหมด 6 เวอร์ชัน ฟังก์ชันหยุดการทำงานเมื่อแรงดันเกินของซีรีส์ TCK42xG จะรองรับแรงดันขาเข้าตั้งแต่ 5 โวลต์ ถึง 24 โวลต์ นอกจากนี้จะมีแรงดันขาออกให้เลือกสองระดับ ได้แก่ 5.6 โวลต์ และ 10 โวลต์ เพื่อเลือกใช้กับแรงดันระหว่างขั้วเกต-ซอร์สแบบต่าง ๆ ในมอสเฟตภายนอก นอกจากนี้ยังสามารถเลือกฟังก์ชันหยุดการทำงานเมื่อแรงดันเกินและแรงดันขาออกได้ตามอุปกรณ์ของผู้ใช้ด้วย
หมายเหตุ:
[1] 1.2 มม. x 0.8 มม.
[2] ในบรรดาวงจรขับเกตมอสเฟต อ้างอิงจากการสำรวจของ Toshiba เมื่อเดือนกุมภาพันธ์ 2565
การใช้งาน
- อุปกรณ์สวมใส่อัจฉริยะ (Wearables)
- สมาร์ทโฟน
- คอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊ก, แท็บเลต
- อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล และอื่น ๆ
คุณสมบัติของซีรีส์ใหม่
- การตั้งค่าแรงดันระหว่างขั้วเกต-ซอร์ส (5.6 โวลต์, 10 โวลต์) ซึ่งขึ้นอยู่กับแรงดันขาเข้า พร้อมวงจรอัดประจุที่มีมาในตัว
- ฟังก์ชันหยุดการทำงานเมื่อแรงดันเกินรองรับที่ 5 โวลต์ ถึง 24 โวลต์
- แรงดันขาเข้าเมื่อมีการตัดวงจรต่ำ: IQ(OFF)= 0.5μA (สูงสุด) @VIN=5V, Ta= -40 ถึง 85°C
คุณสมบัติจำเพาะหลัก
(Ta=25°C นอกจากจะระบุให้เป็นค่าอื่น) |
|||
หมายเลขชิ้นส่วน |
|||
แพ็คเกจ |
ชื่อ |
WCSP6G |
|
ขนาด (มม.) |
1.2×0.8 (ทั่วไป.), t=0.35 (สูงสุด) |
||
ช่วงการทำงาน |
แรงดันขาเข้า VIN (V) |
@Ta= -40 ถึง 85°C |
2.7 ถึง 28 |
คุณสมบัติ ทางไฟฟ้า |
VIN UVLO ขีดเริ่ม, Vout ขณะลดลง VIN_UVLO ทั่วไป/สูงสุด (V) |
@Ta= -40 ถึง 85°C สำหรับ VIN_UVLO สูงสุด |
2.0/2.5 |
VIN UVLO ฮิสเตอร์เรซิส VIN_UVhyst ทั่วไป (V) |
– |
0.2 |
|
VIN OVLO ขีดเริ่ม, Vout ขณะลดล VIN_OVLO ต่ำสุด/สูงสุด (V) |
@Ta= -40 ถึง 85°C |
22.34/24.05 |
|
VIN OVLO ฮิสเตอร์เรซิส VIN_OVhyst ทั่วไป (V) |
– |
0.12 |
|
กระแสเข้าในสภาวะปกติ (เมื่อใช้งาน) [3] IQ(ON) ทั่วไป (μA) |
@VIN=5V |
140 |
|
@VIN=12V |
185 |
||
กระแสในโหมดสแตนด์บาย (เมื่อไม่มีการใช้งาน) IQ(OFF) สูงสุด (μA) |
@VIN=5V, Ta= -40 ถึง 85°C |
0.5 |
|
@VIN=12V, Ta= -40 ถึง 85°C |
0.9 |
||
แรงดันขับเกต (VGATE1-VIN) (VGATE2-VIN) VGS ต่ำสุด/ทั่วไป/สูงสุด (V) |
@VIN=2.7V |
8/9.2/10 |
|
@VIN=5V |
9/10/11 |
||
@VIN=9V |
9/10/11 |
||
@VIN=12V |
9/10/11 |
||
@VIN=20V |
9/10/11 |
||
VGS เมื่อใช้งาน tON ทั่วไป (ms) |
@VIN=5V, CGATE1,2=4000pF |
2.9 |
|
VGS เมื่อไม่มีการใช้งาน tOFF ทั่วไป (μs) |
VIN=5V, @CGATE1,2=4000pF |
52 |
|
OVLO VGS turn OFF time tOVP ทั่วไป (μs) |
@CGATE1,2=4000pF |
34 |
|
ตรวจสอบสินค้าตัวอย่างและการวางจำหน่าย |
หมายเหตุ:
[3] ไม่รวมกระแสที่เทอร์มินอลควบคุม (ICT)
กดลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TCK421G
TCK42xG Series
ตรวจสอบการวางจำหน่ายผลิตภัณฑ์ใหม่ผ่านตัวแทนจำหน่ายทางออนไลน์ได้ที่:
TCK421G
ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-44-548-2215
Contact Us
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ ที่กล่าวถึงในที่นี้อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาเกี่ยวกับบริการ และข้อมูลติดต่อมีความถูกต้องและเป็นปัจจุบันในวันที่ประกาศซึ่งอาจจะมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบ
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ระดับแถวหน้าผู้จัดหาโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บที่มีความก้าวล้ำ รวบรวมประสบการณ์และนวัตกรรมที่สะสมมากว่าครึ่งศตวรรษ เพื่อส่งมอบผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจของเรา
พนักงานทั้ง 22,000 คนจากทั่วโลกของ TDSC มุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีที่สูงกว่า 7.1 แสนล้านเยน (6.5 พันล้านดอลลาร์สหรัฐฯ) ในขณะนี้ TDSC หวังที่จะได้มีส่วนสร้างอนาคตที่ดีกว่าให้กับผู้คนทั่วโลก
เรียนรู้เพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20220208005552/en/
ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: +81-44-549-8361
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย