Tag Archives: toshiba

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวโฟโตคัปเปลอร์แบบโฟโตวอลเทอิกเอ้าท์พุทสำหรับโซลิดสเตตรีเลย์แบบเดี่ยว

Logo

– แรงดันไฟฟ้าเปิดสูงมีส่วนช่วยในการขับเคลื่อน MOSFET ที่ใช้พลังงานไฟฟ้าแรงสูง

โตเกียว–(บิสิเนสไวร์)–27 พฤษภาคม 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว“TLP3910” โฟโตคัปเปลอร์แบบโฟโตวอลเทอิกเอ้าท์พุท (“โฟโตคัปเปลอร์”) ซึ่งอยู่ในแพ็คเกจ SO6L แบบบางเหมาะสำหรับการขับเคลื่อนประตู MOSFET ที่ใช้พลังงานไฟฟ้าแรงสูง เป็นโซลิดสเตตรีเลย์ (SSR)[1] ที่แยกฟังก์ชันได้  การจัดส่งตามปริมาณการผลิตเริ่มตั้งแต่วันนี้

ข่าวประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยมัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210526005424/en/

Toshiba: a photovoltaic-output photocoupler

โตชิบา: โฟโตคัปเปลอร์แบบโฟโตวอลเทอิกเอ้าท์พุท “TLP3910” สำหรับ SSR แบบแยก (กราฟฟิค: บิสิเนสไวร์)

SSR คือรีเลย์เซมิคอนดักเตอร์ชนิดหนึ่งที่มีโฟโต้ไตรแอก ทรานซิสเตอร์ภาพถ่าย หรือโฟโต้ไทริสเตอร์เป็นอุปกรณ์ส่งออก เหมาะสำหรับการใช้งานสำหรับการควบคุมเปิด/ปิดกระแสไฟฟ้าขนาดใหญ่

ตัวเชื่อมต่อไฟฟ้าโฟโตวอลเทอิกเป็นโฟโตเรย์ที่มีอุปกรณ์ฉายแบบแต่ไม่มี MOSFET ที่ใช้เพื่อทำหน้าที่เป็นสวิตช์  ในการกำหนดค่า SSR แบบแยกสวิตช์แรงดันไฟฟ้าสูง กระแสไฟฟ้าขนาดใหญ่ ซึ่งโฟโตเรเลย์นั้นเคยจัดการด้วยความยากลำบากจะสามารถใช้งานได้อย่างง่ายดายโดยการรวมตัวเชื่อมต่อไฟฟ้าโฟโตวอลเทอิกและ MOSFET

การขับกำลังไฟฟ้าแรงสูงที่มีแรงดันเกต 10V หรือสูงกว่านั้นจำเป็นต้องเชื่อมต่อผลิตภัณฑ์ปัจจุบันของโตชิบาสองตัวคือ TLP3906 เนื่องจากมีแรงดันไฟฟ้าเปิดต่ำ  ในทางตรงกันข้าม TLP3910 ใหม่มีแรงดันไฟฟ้าเปิดต่ำสุดที่ 14V ซึ่งเป็นสองเท่าของ TLP3906 และจำเป็นต้องใช้เพียงตัวเดียวเท่านั้นในการขับเคลื่อนเกตของ MOSFET กำลังไฟฟ้าแรงสูง สิ่งนี้มีส่วนช่วยในการลดจำนวนชิ้นส่วน

การปรับปรุงวงจรดิสชาร์จในตัวทำให้เวลาปิดเครื่องโดยทั่วไปอยู่ที่ 0.1 มิลลิวินาที ประมาณ 1/3 ของ TLP3906 และประมาณ 1/30 ของ TLP191B และทำให้การทำงานมีความเร็วสูงขึ้น

TLP3910 เป็นเครื่องเชื่อมไฟฟ้าโฟโตวอลเทอิกตัวแรกของ Toshiba ที่มีแรงดันไฟฟ้าแยกขั้นต่ำที่ 5,000Vrms[2] ในขณะที่ยังคงประสิทธิภาพพื้นฐานของผลิตภัณฑ์ปัจจุบัน TLP191B และ TLP3906  สิ่งนี้ทำให้สามารถใช้ในอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ขับเคลื่อนด้วยระบบ AC400V  ขอบเขตการใช้งานยังขยายออกไปอีกด้วยการทำงานที่อุณหภูมิสูง 125°C

หมายเหตุ:

[1] ใน SSR แบบแยก ด้านหลักและด้านรองจะแยกกันด้วยกระแสไฟฟ้า  สามารถควบคุมการสลับวงจรที่เชื่อมต่อกับสาย AC และระหว่างอุปกรณ์ที่มีกราวด์ต่างกันได้ผ่านแผงกั้นแยก

[2] ในบรรดาเครื่องเชื่อมไฟฟ้าโฟโตวอลเทอิกด้วยกัน จากการสำรวจของ Toshiba เมื่อวันที่ 27 พฤษภาคม 2564

การใช้งาน

SSR แบบแยก: เกตไดรฟ์ของ MOSFET กำลังไฟฟ้าแรงสูงสำหรับสวิตช์

  • อุปกรณ์อุตสาหกรรม: เอาท์พุทหน้าสัมผัสรีเลย์สำหรับ I/O ของตัวควบคุมลอจิกที่ตั้งโปรแกรมได้และอื่นๆ เช่น ชิ้นส่วนควบคุมโซลินอยด์ของระบบเบรก วงจรจ่ายไฟหลัก/วงจรป้องกันกระแสไฟเข้า ชิ้นส่วนตรวจสอบแรงดันแบตเตอรี่สำหรับระบบการจัดการแบตเตอรี่ (BMS); ชิ้นส่วนตรวจจับความผิดพื้นดิน
  • อุปกรณ์วัด: การสลับสายจ่ายไฟ; การสลับสายวัด

คุณสมบัติ

  • แรงดันไฟฟ้าเปิดสูง: VOC=14V (min)
  • กระแสลัดวงจร: ISC= 12μA (นาที) @IF= 10mA, (C20 rank product) ISC=20μA (min) @IF=10mA
  • แรงดันไฟฟ้าแยกสูง: BVS=5000Vrms (min)
  • ช่วงอุณหภูมิการทำงานสูง: Topr Topr (max)=125°C
  • Creepage (Space Distance): 8mm (min)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น Ta= 25°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

TLP3910

ควบคุมวงจร

Built-in

ค่าสัมบูรณ์สูงสุด

อุณหภูมิใช้งาน TOPR (° C)

-40 ถึง 125

ลักษณะไฟฟ้า

แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า

VF min/typ./max (V)

@IF=10mA

3/3.3/3.6

ลักษณะควบคู่ไฟฟ้า

แรงดันไฟฟ้าเปิด VOC min (V)

@IF=10mA

14

กระแสลัดวงจร

ISC min (μA)

@IF=10mA

12

(C20 rank product)

20

กระแสทริกเกอร์ LED IFT max (mA)

3

ลักษณะการสลับ

เวลาในการเปิด ton typ./max (ms)

0.3/1.0

เวลาในการปิด toff typ./max (ms)

0.1/0.5

ลักษณะการแยกตัว

แรงดันไฟฟ้าแยกตัว BVS min (Vrms)

5000

ลักษณะเครื่องกล

Creepage distances/Clearance min (mm)

8.0

แพ็กเกจ

ชื่อ

SO6L

ขนาด (มม.)

3.84×10×2.1

มาตรฐานความปลอดภัย

UL, cUL,

VDE(option(D4))

ตรวจสอบตัวอย่างและการวางจำหน่าย

ซื้อทางออนไลน์

ติดตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TLP3910

ติดตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับอุปกรณ์ออปติคัลเซมิคอนดักเตอร์ของโตชิบา อุปกรณ์ออปติคอลเซมิคอนดักเตอร์

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมใช้งานของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์โปรดไปที่: TLP3910
ซื้อออนไลน์

สอบถามสำหรับลูกค้า

Optoelectronic Device Sales & Marketing Dept. (ฝ่ายการขายและการตลาดอุปกรณ์)
โทร: + 81-3-3457-3431
https://toshiba.semicon-storage.com /ap-en/contact.html

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) ซึ่งเป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชั่นเซมิคอนดักเตอร์และอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลขั้นสูง โดยดึงเอาประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษมามอบให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจในรูปแบบของเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD

พนักงาน 22,000 คนของ TDSC ทั่วโลกร่วมกันมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุดและเพื่อส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการร่วมสร้างมูลค่าและตลาดใหม่  ด้วยยอดขายต่อปีในขณะนี้สูงกว่า 710 พันล้านเยน (6.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) TDSC มุ่งหวังที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนในทุกที่

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ TDSC ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

อ่านต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210526005424/en/

สอบถามข้อมูลสื่อ:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Department (แผนกการตลาดดิจิทัล)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร : +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว MOSFET Super Junction Power 650V ในแพ็คเกจ TOLL ที่ช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์ที่มีกระแสไฟสูง

Logo

โตเกียว–(บิสิเนสไวร์)–11 มี.ค. 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“โตชิบา”) ได้เปิดตัว MOSFET แบบ super Junction power 650V, TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z และ TK190U65Zในซีรีส์ DTMOSVI ที่อยู่ในแพ็คเกจ TOLL (TO-leadless) การจัดส่งตามปริมาณการผลิตเริ่มตั้งแต่วันนี้

ข่าวประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยมัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210310005381/en/

Toshiba: DTMOSVI series of 650V super junction power MOSFETs in TOLL package (Graphic: Business Wire)

โตชิบา: DTMOSVI ซีรี่ส์ 650V แบบ super junction power MOSFETs ในแพ็คเกจ TOLL (กราฟิก: บิสิเนสไวร์)

TOLL เป็นแพ็คเกจแบบยึดพื้นผิวที่มีขนาดเล็กกว่าแพ็คเกจ D2PAK ปกติประมาณ 27%  นอกจากนี้ยังเป็นแพ็คเกจประเภท 4 พินที่ช่วยให้สามารถเชื่อมต่อเคลวินของขั้วแหล่งกำเนิดสัญญาณสำหรับเกตไดรฟ์  สิ่งนี้สามารถลดอิทธิพลของการเหนี่ยวนำของสายต้นทางในแพ็คเกจเพื่อดึงประสิทธิภาพการสลับความเร็วสูงของ MOSFETs ออกมาซึ่งจะลดการสั่นเมื่อทำการเปิดปิด  เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ของปัจจุบันโตชิบา TK090N65Z[1] การสูญเสียเมื่อเปิดเครื่องขึ้นจะลดลงประมาณ 68% และการสูญเสียเมื่อปิดจะลดลงประมาณ 56%[2][3]  MOSFET ใหม่นี้เหมาะสำหรับอุปกรณ์จ่ายไฟสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมเช่นศูนย์ข้อมูลและเครื่องปรับสภาพไฟฟ้าโซลาร์เซลล์

การรวมกันของบรรจุภัณฑ์ TOLL กับรุ่นเทคโนโลยีการผลิต DTMOSVI ล่าสุด[4]  ขยายเป็นการขยายผลิตภัณฑ์ให้ครอบคลุมความต้านทาน On-resistance ต่ำเป็น 65mΩ(สูงสุด)[5]  โตชิบาจะยังคงปรับปรุงผลิตภัณฑ์ด้วยแพ็คเกจ TOLL เพื่อนำไปสู่การลดขนาดอุปกรณ์และปรับปรุงประสิทธิภาพ

หมายเหตุ:

[1] ผลิตภัณฑ์ในซีรีส์ DTMOSVI ที่มีแรงดันไฟฟ้าและความต้านทาน On เทียบเท่าที่ใช้แพ็คเกจ TO-247 โดยไม่มีการเชื่อมต่อเคลวิน

[2] ณ วันที่ 10 มีนาคม 2021 ค่าที่ Toshiba วัดได้ (เงื่อนไขการทดสอบ: VDD=400V, VGG=+10V/0V, ID=15A, Rg=10Ω, Ta=25℃)

[3] TK090U65Z เท่านั้น

[4] ณ วันที่ 10 มีนาคม 2564

[5] TK065U65Z เท่านั้น

การใช้งาน

  • ศูนย์ข้อมูล (อุปกรณ์จ่ายไฟของเซิร์ฟเวอร์ ฯลฯ )
  • เครื่องปรับกำลังไฟฟ้าสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าโซลาร์เซลล์
  • ระบบไฟฟ้าสำรอง

คุณสมบัติ

  • แพ็คเกจติดพื้นผิวที่บางและเล็ก
  • การสูญเสียเมื่อเปิดและปิดเครื่องจะลดลงโดยใช้แพคเกจประเภท 4 พิน
  • รุ่น DTMOSVI ซีรีส์ล่าสุด[4]

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(Ta= 25 ° C)

หมายเลขชิ้นส่วน

TK065U65Z

TK090U65Z

TK110U65Z

TK155U65Z

TK190U65Z

แพ็คเกจ

ชื่อ

TOLL

ขนาด

(มม.)

9.9×11.68, t: 2.3

ค่าสัมบูรณ์สูงสุด

แหล่งกระแส

VDSS (V)

650

กระแสไฟ

(DC)

ID (A)

38

30

24

18

15

แรงต้านกระแส

On-resistance

RDS(ON) max (Ω)

@VGS= 10V

0.065

0.09

0.11

0.155

0.19

ค่าเกตทั้งหมด

Qg typ (nC)

62

47

40

29

25

ค่ากระแสระบายเกต

Qgd typ. (nC)

17

12

11

8

7.1

การเก็บประจุไฟฟ้าอินพุต

Ciss typ. (pF)

3650

2780

2250

1635

1370

กระแสแบบ Channel-to-case

ความต้านทานความร้อน

Rth(ch-c) max (℃/W)

0.462

0.543

0.657

0.833

0.961

ซีรี่ส์ปกติ (DTMOSIV)

หมายเลขชิ้นส่วน

–

–

–

TK20G60W[6]

TK16G60W[6] ]

ตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมในการจำหน่าย

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

หมายเหตุ:

[6] VDSS= 600V, แพคเกจ D2Pak

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

TK065U65Z

TK090U65Z

TK110U65Z

TK155U65Z

TK190U65Z

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFETs

MOSFETs

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์โปรดไปที่:

TK065U65Z

TK090U65Z

TK110U65Z

TK155U65Z

TK190U65Z

สอบถามข้อมูลลูกค้า
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: + 81-3-3457-3933

https://toshiba.semicon-storage.com/ap -en / contact.html

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation รวมความกระตือรือร้นของบริษัทใหม่เข้ากับประสบการณ์ที่ยาวนาน  ตั้งแต่ได้แยกจาก Toshiba Corporation ในเดือนกรกฎาคมปี 2560 เราได้เข้าเป็นบริษัทชั้นนำด้านอุปกรณ์ทั่วไปและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจในเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 24,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ  เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะต่อยอดจากยอดขายรายปีที่ในขณะนี้สูงกว่า 750 พันล้านเยน (6.8 พันล้านเหรียญสหรัฐ) และเพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน

ศึกษาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

อ่านเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210310005381/en/

คำถามสำหรับสื่อ:

Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Department  (แผนกการตลาดดิจิทัล) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: + 81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวเครื่องควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบ LDO ที่บางเบาและกะทัดรัดซึ่งช่วยลดขนาดอุปกรณ์และรักษาความเสถียรของเอาต์พุตสายไฟ

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–3 มีนาคม 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“โตชิบา”) ได้เปิดตัวเครื่องควบคุม LDO 45 ตัว รุ่น  “TCR5RG series” ซึ่งชิ้นส่วนทั้งหมดถูกบรรจุอยู่ในแพ็คเกจ WCSP4F ที่บางและกะทัดรัด[1] มีอัตราส่วนการปฏิเสธการกระเพื่อมสูง[2] ในระดับผู้นำในอุตสาหกรรมสำหรับเครื่องควบคุม LDO  โดยเครื่องควบคุม LDO ตัวใหม่นี้ ช่วยเพิ่มความเสถียรของการส่งออกกระแสไฟให้กับสายไฟกระแสตรงสำหรับอุปกรณ์พกพา อนึ่ง การจัดส่งขนาดใหญ่จะเริ่มตั้งแต่วันนี้

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นแบบมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210302005519/en/

Toshiba: TCR5RG Series of 45 LDO regulators that help to reduce device size and stabilize power line output. (Graphic: Business Wire)

โตชิบา: ตัวควบคุม  LDO แบบ 45 ตัว รุ่น TCR5RG ซีรีส์ ช่วยลดขนาดของอุปกรณ์และการรักษาเสถียรภาพของการส่งออกกระแสไฟ (กราฟิก: Business Wire)

เครื่องรุ่น TCR5RG ซีรีส์มีอัตราส่วนการปฏิเสธการกระเพื่อมสูง[1] ระดับชั้นนำของอุตสาหกรรม[2] ที่ 100dB (โดยทั่วไป) ซึ่งเกิดขึ้นได้โดยการรวมวงจรช่องว่างกว้างตัวกรองความถี่ต่ำที่อนุญาตให้มีการส่งผ่านความถี่ที่ต่ำมากเท่านั้น ประกอบกับการใช้เครื่องขยาย amplifier ที่มีเสียงรบกวนต่ำและความเร็วสูง นอกจากนี้ยังมีสัญญาณรบกวนแรงดันไฟฟ้าขาออกต่ำและความแม่นยำของแรงดันไฟฟ้าขาออกสูง คุณสมบัติเหล่านี้รวมกันช่วยให้เครื่องรุ่นนี้มีส่วนช่วยในการรักษาเสถียรของสายไฟได้มากขึ้น

สายผลิตภัณฑ์ประกอบด้วยผลิตภัณฑ์จำนวน 45 รายการ ที่มีกระแสเอาต์พุตสูงสุด 500mA และแรงดันเอาต์พุตอยู่ในช่วง 0.9V ถึง 5.0V ช่วยให้ผู้ใช้สามารถเลือกแรงดันไฟฟ้าขาออกที่เหมาะสมที่สุดกับการใช้งานของตนได้

เครื่องควบคุม LDO ใหม่นี้บรรจุในแพ็คเกจ WCSP4F ที่บางและกะทัดรัดซึ่งมีขนาด 0.645 มม. x 0.645 มม.เหมาะสำหรับการใช้งานสายไฟในกล้องถ่ายรูปและอุปกรณ์ขนาดเล็ก เช่น สมาร์ทโฟนและอุปกรณ์สวมใส่ที่ต้องการการติดตั้งที่มีความหนาแน่นสูง

การใช้งาน

  • อุปกรณ์ที่สวมใส่ (นาฬิกาอัจฉริยะ และกล้องแอคชั่น ฯลฯ )
  • มือถือ (สมาร์ทโฟน แท็บเล็ต และเครื่องเล่นเสียงแบบพกพา ฯลฯ )
  • เครื่องดูแลสุขภาพ (เครื่องโกนหนวดไฟฟ้า เครื่องวัดความดันโลหิต และเครื่องวัดระดับน้ำตาลในเลือด ฯลฯ )

คุณลักษณะ

  • อัตราส่วนการปฏิเสธการกระเพื่อมสูง: R.R. = 100dB (ทั่วไป) @ F = 1kHz
  • แรงดันสัญญาณรบกวนเอาต์พุตต่ำ: VNO = 5μVrms (ทั่วไป) @ 10Hz≤f≤100kHz
  • ความแม่นยำของแรงดันไฟฟ้าขาออกสูง:
  • VOUT นาที / สูงสุด = -1.5 / 1.5% @ 1.8V≤VOUT≤2.8V, Tj = -40 ถึง 85 ° C
  • VOUT นาที / สูงสุด = -1.8 / 1.8% @VOUT> 2.8V, Tj = -40 ถึง 85 ° C
  • แพ็คเกจ WCSP4F ที่บางและกะทัดรัด: 0.645 × 0.645 มม. (ทั่วไป), T = 0.33 มม. (สูงสุด)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

หมายเลขชิ้นส่วน

TCR5RGxxA[3]

แพ็คเกจ

ชื่อ

WCSP4F

ขนาด (มม)

@Ta=25°C

0.645×0.645 (ทั่วไป),

t=0.33 (สูงสุด)

ช่วงปฏิบัติการณ์

(@Ta= -40

ถึง 85°C)

กระแสเอาต์พุต IOUT (mA)

500

แรงดันไฟฟ้าเอาต์พุต VOUT (V)

0.9 ถึง 5.0

แรงดันไฟฟ้าอินพุต VIN (V)

1.8 ถึง 5.5

ลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้า

(ยกเว้นแต่ว่า

จะระบุว่า,

@Tj=25°C)

ความแม่นยำของแรงดันไฟฟ้าขาออก

VOUT ต่ำสุด/สูงสุด(mV)

@VOUT<1.8V,

Tj= -40 to 85°C

-36/36

Output voltage accuracy

VOUT ต่ำสุด/สูงสุด (%)

@1.8V≤VOUT≤2.8V,

Tj= -40 ถึง 85°C

-1.5/1.5

@VOUT>2.8V,

Tj= -40 ถึง 85°C

-1.8/1.8

กระแสนิ่ง

IB(ON) ทั่วไป (μA)

@IOUT=0mA[4]

7

อัตราการปฏิเสธการกระเพื่อม

R.R. ทั่วไป (dB)

@f=1kHz, Ta=25°C

100

@f=10kHz, Ta=25°C

93

@f=100kHz, Ta=25°C

67

@f=1MHz, Ta=25°C

59

แรงดันไฟฟ้าของสัญญาณรบกวน

VNO ทั่วไป (μVrms)

@IOUT=10mA, Ta=25°C

5

แรงดันดรอปเอาท์

VDO ทั่วไป (mV)

@VOUT=2.8V,

IOUT=500mA

150

โหลดการตอบสนองชั่วคราว

⊿VOUT ทั่วไป (mV)

@IOUT=1mA→500mA

-40

@IOUT=500mA→1mA

40

อัตราการฆ่าแรงดันไฟฟ้าขาออก

VOUTSR ทั่วไป (mV/μs)

@VOUT=2.8V

30

ตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

Buy Online

หมายเหตุ :

[1] อัตราส่วนการปฏิเสธการกระเพื่อม (R.R. ) เหมือนกับอัตราการปฏิเสธแหล่งจ่ายไฟ (PSRR) ที่ระบุไว้ในผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิตรายอื่น

[2] ในบรรดาเครื่องควบคุม LDO ที่มีเอาต์พุตสูงสุด 500mA จากการสำรวจของ Toshiba เมื่อวันที่ 2 มีนาคม 2564

[3] ผลิตภัณฑ์จำนวน 45 ผลิตภัณฑ์ ตัวเลขที่แสดงแรงดันขาออกจะเป็น “xx”

[4] ยกเว้นการควบคุมดึงกระแส (ICT)

ติดตามลิงค์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

รุ่น TCR5RG series

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเครื่องควบคุม LDO ของ Toshiba

เครื่องควบคุม Low-Dropout ( หรือ LDO Regulators)

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/power-management-ics/low-dropout-regulators-ldo-regulators.html

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์โปรดไปที่:

TCR5RGxxA

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TCR5RG.html

สอบถามสำหรับลูกค้า:

Small Signal Device Sales & Marketing Dept.

โทร: +81-3-3457-3411

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

*ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลล่าสุดในวันที่ประกาศ อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation รวมความแข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่ได้รับการเปิดตัวจากบริษัทโตชิบาในเดือนกรกฎาคม 2560 เราได้ก้าวเข้ามาเป็นหนึ่งในบริษัทอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้แก่ลูกค้า และหุ้นส่วนทางธุรกิจในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 24,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเรา และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะสานต่อยอดขายรายปีที่ปัจจุบันอยู่ที่เจ็ดแสนห้าหมื่นล้านเยน (6.8 พันล้านเหรียญสหรัฐ) เพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคนทุกที่

ดูข้อมูลเพิ่มเติมของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210302005519/en/

สอบถามสำหรับสื่อ:

Chiaki Nagasawa

ฝ่ายการตลาดดิจิตอล หรือ Digital Marketing Department

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

โทร: +81-3-3457-4963

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวโมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและการย่อขนาดของอุปกรณ์อุตสาหกรรม

Logo

โตเกียว–(บิสิเนสไวร์)–25 ก.พ. 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“โตชิบา”) ได้เปิดตัว “MG800FXF2YMS3” โมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ที่รวมชิป SiC MOSFET แบบสองช่องที่พัฒนาขึ้นใหม่ โดยมีค่า 3300V และ 800A สำหรับงานอุตสาหกรรม  ปริมาณการผลิตจะเริ่มต้นพฤษภาคม 2021

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีมัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210224006218/en/

Toshiba: MG800FXF2YMS3, a silicon carbide (SiC) MOSFET module for industrial applications including railways vehicle and renewable energy power generation systems. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: MG800FXF2YMS3 โมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม รวมถึงยานพาหนะทางรถไฟและระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานหมุนเวียน (กราฟฟิค: บิสิเนสไวร์)

เพื่อให้ได้อุณหภูมิของช่องที่ 175°C ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้แพ็คเกจ iXPLV (Intelligent fleXible Package Low Voltage) พร้อมด้วยเทคโนโลยีการเชื่อมภายในด้วยการหลอมด้วยเงินเพื่อสนับสนุนการติดตั้งอย่างกว้างขวาง  โมดูลใหม่นี้ตอบสนองความต้องการอุปกรณ์ขนาดกะทัดรัดที่มีประสิทธิภาพสูงสำหรับงานอุตสาหกรรม เช่นตัวแปลงและอินเวอร์เตอร์สำหรับยานพาหนะทางรถไฟและระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานหมุนเวียน

การใช้งาน

  • อินเวอร์เตอร์และตัวแปลงสำหรับยานพาหนะรถไฟ
  • ระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานทดแทน
  • อุปกรณ์ควบคุมมอเตอร์อุตสาหกรรม

คุณสมบัติ

  • พิกัดแรงดันไฟฟ้าจากแหล่งระบาย: VDSS=3300V
  • กระแสระบาย: ID= 800Aคู่
  • ช่วงอุณหภูมิ: Tch=175°C
  • การสูญเสียต่ำ:
    Eon=250mJ (typ.)
    Eoff=240mJ (typ.)
    VDS(on)sense=1.6V (typ.)
  • Stray inductance ต่ำ: Ls= 12nH (typ.)
  • แพคเกจพลังงานสูง iXPLV ขนาดเล็ก

ข้อมูลจำเพาะหลัก

( ยกเว้นที่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น @Tc=25°C)

หมายเลขชิ้น

MG800FXF2YMS3

แพคเกจ

iXPLV

ค่าสูงสุด

แรงดัน Drain-source VDSS (V)

3300

แรงดัน Gate-source VGSS (V)

+25/-10

กระแสระบาย (DC) ID (A)

800

กระแสร (pulsed) IDP (A)

1600

อุณหภูมิช่อง Tch (°C)

175

แรงดันแยกตัว VISOL (Vrms)

6000

คุณลักษณะไฟฟ้า

กระแส Drain-source แบบ on-voltage (sense)

VDS(on)sense typ. (V)

@VGS= +20V,

ID=800A

1.6

กระแส Source-drain แบบ on-voltage (sense)

VSD(on)sense typ. (V)

@VGS= +20V,

IS=800A

1.5

กระแส Source-drain แบบ off-voltage (sense)

VSD(off)sense typ. (V)

@VGS= －6V,

IS=800A

2.3

โมดูล Stray inductance LSPN typ. (nH)

12

การสูญเสียเมื่อเปิดเครื่อง Eon typ. (mJ)

@VDD=1800V,

ID=800A,

Tch=150°C

250

การสูญเสียเมื่อปิดเครื่อง Eoff typ. (mJ)

@VDD=1800V,

ID=800A,

Tch=150°C

240

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

MG800FXF2YMS3 https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=MG800FXF2YMS3

ตามลิงค์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับกลุ่มผลิตภัณฑ์พลังงาน SiC ของ Toshiba

SiC Power Devices https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/sic-power-devices.html

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า
Small Signal Device Sales & Marketing Dept. (ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก)
โทร: + 81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation รวมความกระตือรือร้นของบริษัทใหม่เข้ากับประสบการณ์ที่ยาวนาน  ตั้งแต่ได้แยกจาก Toshiba Corporation ในเดือนกรกฎาคมปี 2560 เราได้เข้าเป็นบริษัทชั้นนำด้านอุปกรณ์ทั่วไปและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจในเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 24,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ  เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะต่อยอดจากยอดขายรายปีที่ในขณะนี้สูงกว่า 750 พันล้านเยน (6.8 พันล้านเหรียญสหรัฐ) และเพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

อ่านต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210224006218/en/

สอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Department  (แผนกการตลาดดิจิทัล) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: + 81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวฮาร์ดดิสก์ซีรีส์ MG09 ขนาดความจุ 18TB

Logo

ดีไซน์แบบ 9 ดิสก์เจเนอเรชันที่ 3 ที่ใช้ฮีเลียมปิดผนึกและนวัตกรรมการบันทึกที่นำพลังงานเข้ามาช่วยให้ลูกค้าสามารถใช้ประโยชน์จากความหนาแน่นของการจัดเก็บข้อมูลและประสิทธิภาพด้านพลังงานในระดับใหม่

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–18 กุมภาพันธ์ 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) เปิดตัวฮาร์ดดิสก์ ซีรีส์ MG09 ขนาดความจุ 18TB[1]  ซึ่งเป็นฮาร์ดดิสก์รุ่นแรกของ Toshiba ที่มาพร้อมเทคโนโลยีการบันทึกที่นำพลังงานเข้ามาช่วย (EAMR) ฮาร์ดดิสก์ซีรีส์ MG09 ยังมาพร้อมดีไซน์แบบ 9 ดิสก์ที่ใช้ฮีเลียมปิดผนึกซึ่งเป็นเจเนอเรชันที่ 3 ของ Toshiba รวมถึงเทคโนโลยีบันทึกข้อมูลบนแผ่นจานแม่เหล็กด้วยคลื่นไมโครเวฟแบบ Flux Control (FC-MAMR) ที่ล้ำสมัยของ Toshiba เพื่อเพิ่มความหนาแน่นของการบันทึกข้อมูลบนแผ่นจากแม่เหล็ก (CMR) เป็น 2TB ต่อดิสก์ และทำให้ความจุรวมของฮาร์ดดิสก์สูงถึง 18TB

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยเนื้อหาในรูปแบบมัลติมีเดีย ดูเนื้อหาแบบเต็มรูปแบบที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210217006068/en/

Toshiba: 18TB MG09 Series hard disk drives (Photo: Business Wire)

Toshiba: ฮาร์ดดิสก์ซีรีส์ MG09 ความจุ 18TB (รูปภาพ: Business Wire)

การจัดส่งตัวอย่างฮาร์ดดิสก์ซีรีส์ MG09 ความจุ 18TB ให้กับลูกค้าคาดว่าจะสามารถเริ่มได้ในช่วงปลายเดือนมีนาคมของปี 2564 นี้

ฮาร์ดดิสก์ MG09 แบบ CMR ความจุ 18TB นี้มีขนาดความจุเพิ่มขึ้น 12.5% จากรุ่นก่อนหน้าที่มีความจุ 16TB และสามารถใช้ได้กับอุปกรณ์และระบบปฏิบัตการรุ่นต่าง ๆ ที่ครอบคลุมมากที่สุด ฮาร์ดดิสก์ MG09 ได้รับการปรับเปลี่ยนให้สามารถอ่านและเขียนข้อมูลทั้งแบบสุ่มและเรียงลำดับและรองรับการทำงานในดาต้าเซ็นเตอร์ทั้งแบบปกติและบนคลาวด์ ประสิทธิภาพของฮารด์ดิสก์รุ่น MG09 อยู่ที่ 7,200rpm อัตราการรองรับภาระงานต่อปี[2] อยู่ที่ 550TB และใช้อินเทอร์เฟส SATA และ SAS ทั้งหมดนี้บรรจุอยู่ในฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 3.5 นิ้ว[3 ที่ได้มาตรฐานอุตสาหกรรม ปิดผนึกด้วยฮีเลียม และมีประสิทธิภาพทางพลังงาน

ฮาร์ดดิสก์ซีรีส์ MG09 ตอกย้ำถึงความมุ่งมั่นของ Toshiba ที่ต้องการยกระดับการออกแบบฮาร์ดดิส์ตามความต้องการที่เพิ่มขึ้นต่ออุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลที่ใช้กับเซิร์ฟเวอร์บนคลาวด์รวมถึงโครงสร้างพื้นฐานของระบบจัดเก็บทั้งแบบวัตถุและไฟล์ ด้วยประสิทธิภาพด้านพลังงานที่มากขึ้นและความจุที่ 18TB ฮาร์ดดิสก์ซีรีส์ MG09 จึงช่วยให้โครงสร้างพื้นฐานของระบบจัดเก็บบนคลาวด์พัฒนาความหนาแน่นของหน่วยจัดเก็บให้สามารถลดค่าใช้จ่ายด้านการลงทุนและปรับปรุงต้นทุนรวมในการเป็นเจ้าของหรือ TCO ให้ดีขึ้น ขณะที่การเติบโตข้องข้อมูลยังคงเกิดขึ้นอย่างรวดเร็ว ฮาร์ดดิสก์ MG09 ความจุ 18TB ที่มาพร้อมเทคโนโลยี FC-MAMR จะช่วยผู้ให้บริการจัดเก็บข้อมูลบนคลาวด์และนักออกแบบโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลสามารถใช้ประโยชน์จากระบบจัดเก็บข้อมูลที่มีความหนาแน่นสูงขึ้นได้ในทั้งระบบคลาวด์ ไฮบริดคลาวด์ และแบบ rack-scale ที่ติดตั้งอยู่ ณ สถานที่

“ฮารด์ดิสก์ซีรีส์ MG09 ความจุ 18TB ใหม่จาก Toshiba มาพร้อมกับระดับความหนาแน่นของการจัดเก็บข้อมูลและประสิทธิภาพด้านพลังงานที่พัฒนาขึ้นเพื่อสำหรับลูกค้าโซลูชันระบบคลาวด์และสตอเรจของเราที่ให้ความสำคัญกับเรื่องต้นทุน เทคโนโลยี HDD ความหนาแน่นสูงของเราสามารถตอบโจทย์ทางด้าน TCO ซึ่งมีความสำคัญของลูกค้าได้ในราคาที่แสนประหยัด” Shuji Takaoka ผู้จัดการทั่วไปฝ่ายขายและการตลาดผลิตภัณฑ์จัดเก็บข้อมูลของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation กล่าว “ดีไซน์แบบ 9 ดิสก์ที่ใช้ฮีเลียมปิดผนึกซึ่งเป็นเจเนอเรชันที่ 3 ของเรามีพื้นฐานที่ผ่านการทดสอบภาคสนามเพื่อพัฒนาความจุให้ได้ถึง 18TB การเสริมเทคโนโลยี FC-MAMR ที่ล้ำสมัยของ Toshiba เข้ามาช่วยให้ความจุของฮารด์ดิสก์แบบ CMR เพิ่มสูงขึ้นถึง 18TB สามารถใช้งานได้กับอุปกรณ์และสภาพแวดล้อมการทำงานได้มากที่สุด”

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่ โปรดดูที่:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/storage/product/data-center-enterprise/cloud-scale-capacity/articles/mg09-series.html

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์กลุ่มฮาร์ดดิสก์ของ Toshiba ทั้งหมด โปรดดูที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

[1] คำจำกัดความของความจุ: 1 เทราไบต์ (TB) = 1 ล้านล้านไบต์ อย่างไรก็ตามความจุหน่วยเก็บข้อมูลอาจแตกต่างกันออกไปตามสภาพแวดล้อมการทำงานและการจัดรูปแบบ ความจุในการจัดเก็บ (รวมถึงตัวอย่างของไฟล์สื่อต่าง ๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตจริงอาจแตกต่างกันไป
[2] อัตราการรองรับงานต่อปีคือมาตรวัดข้อมูลตลอดทั้งปี และกำหนดโดยปริมาณของข้อมูลที่เขียน อ่าน หรือตรวจสอบตามคำสั่งของระบบโฮสต์
[3] “3.5 นิ้ว” หมายถึงลักษณะทางกายภาพหรือฟอร์มแฟกเตอร์ของฮาร์ดดิสก์ ซึ่งไม่ได้ระบุขนาดทางกายภาพของไดรฟ์

* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูล ณ ปัจจุบันในวันที่ประกาศ และอาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
* ชื่อบริษัท สินค้าและบริการทั้งหมดที่กล่าวถึงในที่นี้อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ นั้น

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นบริษัทใหม่ที่เต็มไปด้วยพลังและประสบการณ์ นับตั้งแต่แยกตัวออกจากบริษัทเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2560 เราได้ก้าวสู่การเป็นหนึ่งในบริษัทผู้นำด้านอุปกรณ์ทั่วไป และได้นำเสนอโซลูชันเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ ระบบ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา
เรามีพนักงานจำนวน 24,000 คนทั่วโลก ซึ่งมีความตั้งใจร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะเพิ่มยอดขายต่อปีซึ่งปัจจุบันมีมูลค่ากว่า 7.5 แสนล้านเยน (ราว 6.8 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ให้สูงขึ้น เพื่อสร้างอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210217006068/en/

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ
Motohiro Ajioka
ฝ่ายวางแผนธุรกิจ
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: +81-3-3457-3576
อีเมล: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวโฟโต้รีเลย์กระแสไฟสูง 100V สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม

Logo

โตเกียว–(บิสิเนสไวร์)–05 ก.พ. 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“โตชิบา”) ได้เปิดตัว “TLP241B” โฟโตเรย์กระแสสูงในแพ็คเกจ DIP4 สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่นคอนโทรลเลอร์ลอจิกที่ตั้งโปรแกรมได้และอินเทอร์เฟซไอโอ  มีตัวอย่างสินค้าและปริมาณการผลิตแล้ว

ข่าวประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยมัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210204005495/en/

Toshiba: TLP241B, a 100V high-current photorelay for industrial equipment (Graphic: Business Wire)

Toshiba: TLP241B โฟโตรีเลย์กระแสสูง 100V สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม (กราฟฟิค: บิสิเนสไวร์)

TLP241B ได้รวม MOSFET ตามกระบวนการ U-MOS รุ่นล่าสุดของโตชิบา  ด้วย TLP241B แรงดันไฟฟ้าของขั้วเอาท์พุทในสถานะปิดจะขยายเป็น 100V ซึ่งเป็นการเพิ่มขึ้น 150% จาก 40V ของ TLP241A ปัจจุบัน TLP241B นั้นบรรจุอยู่ในแพ็คเกจ DIP4 อเนกประสงค์และเป็นผลิตภัณฑ์ บรรจุ DIP4 ชิ้นแรกของอุตสาหกรรม[1] ที่ให้แรงดันไฟฟ้าขั้วเอาท์พุท 100V ในสถาะปิด กระแส 2A ในสถานะเปิดและแรงดันไฟฟ้าแยกเดี่ยว 5kV  การขยายช่วงแรงดันไฟฟ้านี้ครอบคลุมการใช้งานที่หลากหลาย

TLP241B สามารถใช้แทนรีเลย์เชิงกลแบบสัมผัสแบบ 1-Form-A ได้  TLP241B ซึ่งแตกต่างจากรีเลย์เชิงกลตรงที่ไม่มีหน้าสัมผัสที่เคลื่อนที่จึงไม่เกิดการเสื่อมเสีย  คุณลักษณะของไดรฟ์ที่มีกระแสไฟต่ำยังช่วยยืดอายุผลิตภัณฑ์  ประโยชน์อื่นๆ ได้แก่เวลาตอบสนองที่รวดเร็วและการประหยัดพื้นที่ PCB เนื่องจากขนาดบรรจุภัณฑ์ที่เล็กลง

เนื่องจากอุณหภูมิในการทำงานสูงสุดคือ 110℃ จึงหาขอบเขตอุณหภูมิของอุปกรณ์ได้ง่ายกว่า

การใช้งาน

– อุปกรณ์อุตสาหกรรม (คอนโทรลเลอร์ลอจิกที่ตั้งโปรแกรมได้ อินเทอร์เฟซไอโอ และการควบคุมเซ็นเซอร์ต่างๆ ฯลฯ)

– ระบบอัตโนมัติในอาคาร (การทำความร้อน การระบายอากาศ และการปรับอากาศ (HVAC) และเทอร์โมสตัท ฯลฯ)

– แทนที่รีเลย์เชิงกล (ระบบ AC 24 ถึง 48V, ระบบ DC 24 ถึง 100V)

คุณสมบัติ

– ค่ากระแสสูงสถานะเปิดสูง: ION=2A, IONP=6A (Pulsed) 

– กระแสไฟเอาท์พุทสถานะปิด: VOFF=100V

-อุณหภูมิในการทำงานสูง: Topr max=110℃

– แพ็คเกจ DIP4 สำหรับใช้งานทั่วไปพร้อมตัวเลือก gull wing (SMT)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(@Ta=25℃ เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเลขส่วน

TLP241B

แพคเกจ

DIP4

พิกัดสูงสุดสัมบูรณ์

กระแสสถานะปิด VOFF (V)

100

กระแสสถานะเปิด ION(A)

2.0

กระแสไฟสถานะเปิด (pulsed) IONP (A)

6.0

อุณหภูมิในการทำงาน Topr (℃)

-40 ถึง

110

ลักษณะทางไฟฟ้าคู่

ทริกเกอร์กระแส LED IFT max (mA)

3

แรงต้านทานสถานะเปิด RON typ. (mΩ)

110

แรงต้านทานสถานะเปิด RON max (mΩ)

200

ลักษณะทางไฟฟ้า

ความจุเอาต์พุต COFF typ. (pF)

300

ลักษณะการสลับ

เวลาเปิดเครื่อง tON max (ms)

3

เวลาปิดเครื่อง tOFF max (ms)

0.5

ตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมจัดส่ง

ซื้อทางออนไลน์

หมายเหตุ:

[1] ในบรรดาโฟโตเรย์แบบบรรจุ DIP4 ณ วันที่ 4 กุมภาพันธ์ 2564 จากการสำรวจของโตชิบา

ตามลิงค์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติม

TLP241B

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TLP241B

ไปที่ลิงค์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับอุปกรณ์ออปติคัลของ Toshiba

โฟโต้รีเลย์ (MOSFET Output)

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/optoelectronics/photorelay-mosfet-output.html

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์โปรดไปที่:

TLP241B

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TLP241B.html

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:

ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ Optoelectronic
โทร: +81-3-3457-3431 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศแต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation รวมความกระตือรือร้นของบริษัทใหม่เข้ากับประสบการณ์ที่ยาวนาน  ตั้งแต่ได้แยกจาก Toshiba Corporation ในเดือนกรกฎาคมปี 2560 เราได้เข้าเป็นบริษัทชั้นนำด้านอุปกรณ์ทั่วไปและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจในเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 24,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ  เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะต่อยอดจากยอดขายรายปีที่ในขณะนี้สูงกว่า 750 พันล้านเยน (6.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) และเพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

อ่านเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210204005495/en/

สอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Department (แผนกการตลาดดิจิทัล )
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: +81-3-3457-4963 semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Featured, Technology

Toshiba เพิ่ม eFuse IC ใหม่เป็นฟิวส์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับการใช้งานซ้ำ ๆ ซึ่งนำเสนอการป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกินแบบที่ปรับได้และมาพร้อมกับฟังก์ชันการเตือนแบบเอาต์พุตสัญญาณ FLAG

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–2 ก.พ. 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ได้เพิ่มผลิตภัณฑ์ eFuse IC ใหม่ “TCKE712BNL” ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ eFuse ICs สำหรับการใช้งานซ้ำ ๆ ซึ่งรองรับฟังก์ชันในการป้องกันวงจรสายไฟ

ข่าวประชาสัมพันธ์นี้เป็นแบบมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210201005991/en/

Toshiba: TCKE712BNL, a new eFuse IC for repeated use that support functions to protect power line circuits. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: TCKE712BNLe ซึ่งเป็น Fuse IC ใหม่สำหรับการใช้งานซ้ำ ๆ ที่รองรับฟังก์ชันเพื่อป้องกันวงจรสายไฟ (กราฟิก: Business Wire)

ฟิวส์แบบตัวเครื่องโดยทั่วไป ซึ่งได้แก่ ฟิวส์หลอดแก้วและฟิวส์ชิป จะป้องกันวงจรสายไฟโดยการปิดตัวเองลงเมื่ออยู่ในสถานะกระแสเกินและเมื่อฟิวส์แบบนี้ถูกใช้ไปแล้วและเสีย จะต้องได้รับการเปลี่ยนใหม่ แต่ eFuse ICs ได้รับการออกแบบมาเพื่อเข้ามาแทนที่ฟิวส์ดังกล่าวข้างต้นในการป้องกันวงจรสายไฟและให้ความปลอดภัย และเพื่อมอบฟังก์ชันการป้องกันในตัวที่หลากหลายนอกเหนือไปจากการป้องกันกระแสเกินแบบที่มีความแม่นยำสูง

TCKE712BNL จะปกป้องสายไฟด้วยฟังก์ชั่นป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกิน โดยที่ตัวของมันสามารถปรับได้ตามความต้องการของผู้ใช้ด้วยการใช้ตัวต้านทานภายนอก นอกจากนี้ยังมีฟังก์ชั่นการปิดการย้อนกลับในตัวที่ Off state ทำให้สามารถใช้งานในแอพพลิเคชั่นเพาเวอร์มัลติเพล็กเซอร์ได้ นอกจากนี้ฟังก์ชั่นการป้องกันในตัวยังครอบคลุมถึงเรื่องกระแสไฟฟ้าลัดวงจรและอุณหภูมิที่สูงเกินไป นอกจากนี้ยังมีฟังก์ชัน FLAG ที่ส่งสัญญาณภายนอกหากมีความผิดปกติเกิดขึ้นในวงจร ทำให้การตรวจจับข้อบกพร่องที่เกิดขึ้น เป็นที่สังเกตเห็นได้ง่ายกว่าของผลิตภัณฑ์ที่วางจำหน่ายอยู่ก่อนหน้านี้ของ Toshiba

Toshiba จะยังคงเพิ่มความแข็งแกร่งให้กับชุดผลิตภัณฑ์ eFuse ICs เพื่อปกป้องวงจรสายไฟสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย

การใช้งาน

– การป้องกันวงจรสายจ่ายไฟ

(พีซี แล็ปท็อป คอนโซลเกม อุปกรณ์เสริมความเป็นจริงและเสมือนจริงลำโพงอัจฉริยะ หุ่นยนต์ทำความสะอาด เซิร์ฟเวอร์เครือข่าย ฯลฯ )

คุณสมบัติ

– ฟังก์ชันการรีเวอร์สการปิดกระแสในสถานะปิด OFF state

– ฟังก์ชันที่ให้ผู้ใช้กำหนดการป้องกันกระแส / แรงดันไฟฟ้าเกินได้เอง

– ฟังก์ชันเอาต์พุตสัญญาณ FLAG

– แพ็คเกจ WSON10 ที่บางและกะทัดรัด: 3.00 × 3.00 มม. (ทั่วไป), t = 0.75 มม. (สูงสุด)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(@Ta=25°C นอกจากที่ระบุไว้)

หมายเลขชิ้นส่วน

TCKE712BNL

แพ็คเกจ

ชื่อ

WSON10

ขนาดปกติ typ. (มม)

3.00×3.00, t=0.75 max

ช่วงการทำงาน

แรงดันไฟฟ้าขาเข้า VIN (V)

4.4 to 13.2

ลักษณะกระแสตรง

กระแสเกิน

IOUT_CL typ. (A)

@VIN=12V

2.00

@VIN=9V

2.58

@VIN=5V

3.65

ออนรีซิสแตนซ์ RON typ. (mΩ)

53

ลักษณะกระแสสลับ

Fast trip time

tFASTTRIP typ.

(ns)

@Ta= -40 to 85°C

320

ฟังก์ชั่นป้องกันกระแสเกิน

ปรับได้

ฟังก์ชั่นป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกิน

ปรับได้

ฟังก์ชันเอาต์พุตสัญญาณ FLAG

อยู่ในผลิตภัณฑ์

ฟังก์ชันรีเวิร์สการบล็อคกระแสไฟ

อยู่ในผลิตภัณฑ์

ตรวจสอบตัวอย่างและการวางจำหน่าย

ซื้อออนไลน์

ตามลิงค์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

TCKE712BNL

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TCKE712BNL

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:

TCKE712BNL

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TCKE712BNL.html

ไปที่ลิงก์เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ eFuse IC line-up ของ Toshiba

eFuse ICs

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/power-management-ics/efuse-ics.html

สอบถามสำหรับลูกค้า:

Small Signal Device Sales & Marketing Dept.

โทร: +81-3-3457-3411

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

*ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลล่าสุดในวันที่ประกาศ อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation รวมความแข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่ได้รับการเปิดตัวจากบริษัทโตชิบาในเดือนกรกฎาคม 2560 เราได้ก้าวเข้ามาเป็นหนึ่งในบริษัทอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้แก่ลูกค้า และหุ้นส่วนทางธุรกิจในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 24,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเรา และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะสานต่อยอดขายรายปีที่ปัจจุบันอยู่ที่เจ็ดแสนห้าหมื่นล้านเยน (6.8 พันล้านเหรียญสหรัฐ) เพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคนทุกที่

ดูข้อมูลเพิ่มเติมของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210201005991/en/

สอบถามสำหรับสื่อ:

Chiaki Nagasawa

ฝ่ายการตลาดดิจิตอล หรือ Digital Marketing Department

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

โทร: +81-3-3457-4963

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย