คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–24 ก.พ. 2565

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  (“โตชิบา”) ได้เปิดตัว “DF2B6M4BSL” ซึ่งเป็นไดโอด TVS ความจุต่ำพิเศษสำหรับเสาอากาศความถี่สูง โดยไดโอดตัวนี้จะปกป้องเซมิคอนดักเตอร์และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ จากไฟฟ้าสถิตย์และสัญญาณรบกวน พร้อม ๆ ไปกับการลดการเสื่อมสภาพของสัญญาณ การจัดส่งสินค้าของผลิตภัณฑ์ใหม่เริ่มต้นในวันนี้

ข่าวประชาสัมพันธ์นี้มีเนื้อหาเป็นมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220223005100/en/

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในเสาอากาศความถี่สูงที่ใช้ในการสื่อสารทางวิทยุ อย่างเช่น Wi-Fi® มีความจำเป็นต้องได้รับการปกป้องโดยการพยายามลดการบิดเบือนฮาร์มอนิกในระดับสูง โดยผลิตภัณฑ์ DF2B6M4BSL ซึ่งให้ความจุรวมสูงสุดที่ 0.15pF ซึ่งเป็นตัวเลขที่ต่ำที่สุดของผลิตภัณฑ์ของ Toshiba  ซึ่งต่ำกว่าผลิตภัณฑ์รุ่น DF2B6M4ASL ที่มีอยู่ประมาณร้อยละ 25 ไดโอด TVS ใหม่นี้ใช้ความจุต่ำพิเศษนี้ในการลดการบิดเบือนฮาร์มอนิกสูงที่ส่งผลต่อประสิทธิภาพการรับเสาอากาศ และยังช่วยลดไฟฟ้าสถิตย์และสัญญาณรบกวนที่ส่งผลต่อส่วนประกอบต่าง ๆ

ESD ซัพเพรสเซอร์ บางครั้งใช้ในเสาอากาศความถี่สูงและแทนที่ด้วย DF2B6M4BSL ไดโอด TVS มีประสิทธิภาพการป้องกันที่สูงกว่า ESD ซัพเพรสเซอร์ และสามารถลดแรงดันไฟฟ้าสถิตย์ได้

นอกจากการปรับปรุงความน่าเชื่อถือของเสาอากาศความถี่สูงแล้ว DF2B6M4BSL ยังเหมาะสำหรับการป้องกัน ESD ในสายสัญญาณอีกด้วย

การใช้งาน

・ใช้ในการป้องกัน ESD ในเสาอากาศความถี่สูงและสายสัญญาณความเร็วสูงในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ เช่น IoT และอุปกรณ์เคลื่อนที่

คุณสมบัติ

・ความจุรวมต่ำ: Ct=0.12pF (typ.) / 0.15pF (max) @VR=0V, f=1MHz

・มีการบิดเบือนฮาร์มอนิกต่ำ

f=2.4GHz, 20dBm เงื่อนไขอินพุต

2nd ฮาร์โมนิกส์: -65.5dBm (อ้างอิง)

3nd ฮาร์โมนิกส์: -54.4dBm (อ้างอิง)

f=5.0GHz, 20dBm เงื่อนไขอินพุต

2nd ฮาร์โมนิกส์: -64.7dBm (อ้างอิง)

3nd ฮาร์โมนิกส์: -55.5dBm (อ้างอิง)

・Low Vpeak โวลต์: VCL-max-peak=215V (อ้างอิง) @IEC61000-4-2 (Contact), +8kV อินพุต

ข้อมูลจำเพาะหลัก
(@Ta=25°C)
หมายเลขชิ้นส่วน					DF2B6M4BSL
บรรจุภัณฑ์					SL2
อัตราสูงสุด	แรงดันไฟฟ้าสถิตย์ (IEC61000-4-2) (Contact) VESD (kV)		@IEC61000-4-2		±8
แรงดันย้อนกลับสูงสุดในขณะทำงาน VRWM max (V)					5.5
แรงดันไฟฟ้าโฮลดิงส์ VH (V)		@It1=1mA		min	5.6
				max	8.0
ความจุรวม Ct typ. (pF)		@VR=0V, f=1MHz		typ.	0.12
				max	0.15
ฮาร์โมนิกดิสทอร์ชัน อ้างอิง (dBm)		@f=2.4GHz, 20dBm อินพุต		2nd	-65.5
				3rd	-54.4
		@f=5.0GHz, 20dBm อินพุต		2nd	-64.7
				3rd	-55.5
VCL-max-peak อ้างอิง (V)		@IEC61000-4-2 (Contact), +8kV อินพุต			215
การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมของผลิตภัณฑ์					ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

DF2B6M4BSL

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ TVS Diodes (ESD Protection Diodes) ของToshiba

TVS Diodes (ESD Protection Diodes)

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:

DF2B6M4BSL

* Wi-Fi เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ Wi-Fi Alliance

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

สอบถามข้อมูลลูกค้า

Small Signal Device Sales & Marketing Dept.

โทร: +81-44-548-2215

ติดต่อเรา

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมทั้งราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับToshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และสตอเรจขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน LSIs และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 22,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการร่วมสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ ด้วยยอดขายประจำปีที่สูงกว่า 710,000 ล้านเยน (6.5 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20220223005100/en/

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:

Chiaki Nagasawa

ฝ่ายการตลาดดิจิทัล

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

โทร: +81-44-549-8361

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

– ผลิตภัณฑ์ซีรีส์ TCK42xG รองรับการเชื่อมต่อแบบหลังชนหลังของมอสเฟตชนิด N-channel ที่ใช้ภายนอก –

คาวาซากิ, ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–09 กุมภาพันธ์ 2565

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้วางจำหน่ายผลิตภัณฑ์รุ่น “TCK421G” สำหรับสายไฟขนาด 20V โดยเป็นผลิตภัณฑ์ชิ้นแรกจาก “ซีรีส์ TCK42xG” ใหม่ของวงจรขับเกตมอสเฟต อุปกรณ์จากซีรีส์นี้ออกแบบมาเพื่อการควบคุมแรงดันเกตของมอสเฟตชนิด N-channel ที่ใช้ภายนอก โดยอิงจากแรงดันขาเข้าและมีฟังก์ชันหยุดการทำงานเมื่อแรงดันเกินด้วย การจัดส่งสู่ตลาดจะเริ่มต้นในวันนี้

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้มีเนื้อหามัลติมีเดีย ดูอย่างเต็มรูปแบบที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220208005552/en/

TCK421G เหมาะสำหรับกำหนดค่าวงจรมัลติเพล็กซ์หรือวงจรตัดการจ่ายไฟที่มีการบล็อกกระแสย้อนกลับร่วมกับการเชื่อมต่อแบบหลังชนหลังของมอสเฟตชนิด N-channel แบบใช้ภายนอก ประกอบด้วยวงจรอัดประจุที่รองรับแรงดันขาเข้าที่กว้างตั้งแต่ 2.7 โวลต์ ถึง 28 โวลต์ และเป็นแหล่งจ่ายไฟที่เสถียรให้กับแรงดันระหว่างขั้วเกต-ซอร์สของมอสเฟตภายนอกโดยมีการทำงานเป็นพัก ๆ (intermittent operation) ซึ่งทำให้สามารถสลับกระแสที่มีปริมาณมากได้

TCK421G มาในแพ็คเกจ WCSP6G^[1] ซึ่งเป็นหนึ่งในแพ็คเกจที่เล็กที่สุดในอุตสาหกรรม^[2] และยังคำนึงถึงการติดตั้งโดยใช้พื้นที่อย่างคุ้มค่าในอุปกรณ์ขนาดเล็กอย่างเช่นอุปกรณ์สวมใส่อัจฉริยะและสมาร์ทโฟน ซึ่งช่วยลดฟุตพรินต์ของอุปกรณ์เหล่านั้น

Toshiba จะยังคงพัฒนาผลิตภัณฑ์ซีรีส์ TCK42xG ต่อพร้อมเตรียมเปิดตัวผลิตภัณฑ์อีกทั้งหมด 6 เวอร์ชัน ฟังก์ชันหยุดการทำงานเมื่อแรงดันเกินของซีรีส์ TCK42xG จะรองรับแรงดันขาเข้าตั้งแต่ 5 โวลต์ ถึง 24 โวลต์ นอกจากนี้จะมีแรงดันขาออกให้เลือกสองระดับ ได้แก่ 5.6 โวลต์ และ 10 โวลต์ เพื่อเลือกใช้กับแรงดันระหว่างขั้วเกต-ซอร์สแบบต่าง ๆ ในมอสเฟตภายนอก นอกจากนี้ยังสามารถเลือกฟังก์ชันหยุดการทำงานเมื่อแรงดันเกินและแรงดันขาออกได้ตามอุปกรณ์ของผู้ใช้ด้วย

หมายเหตุ:
[1] 1.2 มม. x 0.8 มม.
[2] ในบรรดาวงจรขับเกตมอสเฟต อ้างอิงจากการสำรวจของ Toshiba เมื่อเดือนกุมภาพันธ์ 2565

การใช้งาน

• อุปกรณ์สวมใส่อัจฉริยะ (Wearables)
• สมาร์ทโฟน
• คอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊ก, แท็บเลต
• อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล และอื่น ๆ

คุณสมบัติของซีรีส์ใหม่

• การตั้งค่าแรงดันระหว่างขั้วเกต-ซอร์ส (5.6 โวลต์, 10 โวลต์) ซึ่งขึ้นอยู่กับแรงดันขาเข้า พร้อมวงจรอัดประจุที่มีมาในตัว
• ฟังก์ชันหยุดการทำงานเมื่อแรงดันเกินรองรับที่ 5 โวลต์ ถึง 24 โวลต์
• แรงดันขาเข้าเมื่อมีการตัดวงจรต่ำ: I_Q(OFF)= 0.5μA (สูงสุด) @V_IN=5V, T_a= -40 ถึง 85°C

คุณสมบัติจำเพาะหลัก

(Ta=25°C นอกจากจะระบุให้เป็นค่าอื่น)
หมายเลขชิ้นส่วน			TCK421G
แพ็คเกจ	ชื่อ		WCSP6G
	ขนาด (มม.)		1.2×0.8 (ทั่วไป.), t=0.35 (สูงสุด)
ช่วงการทำงาน	แรงดันขาเข้า VIN (V)	@Ta= -40 ถึง 85°C	2.7 ถึง 28
คุณสมบัติ ทางไฟฟ้า	VIN UVLO ขีดเริ่ม, Vout ขณะลดลง VIN_UVLO ทั่วไป/สูงสุด (V)	@Ta= -40 ถึง 85°C สำหรับ VIN_UVLO สูงสุด	2.0/2.5
	VIN UVLO ฮิสเตอร์เรซิส VIN_UVhyst ทั่วไป (V)	–	0.2
	VIN OVLO ขีดเริ่ม, Vout ขณะลดล VIN_OVLO ต่ำสุด/สูงสุด (V)	@Ta= -40 ถึง 85°C	22.34/24.05
	VIN OVLO ฮิสเตอร์เรซิส VIN_OVhyst ทั่วไป (V)	–	0.12
	กระแสเข้าในสภาวะปกติ (เมื่อใช้งาน) [3] IQ(ON) ทั่วไป (μA)	@VIN=5V	140
		@VIN=12V	185
	กระแสในโหมดสแตนด์บาย (เมื่อไม่มีการใช้งาน) IQ(OFF) สูงสุด (μA)	@VIN=5V, Ta= -40 ถึง 85°C	0.5
		@VIN=12V, Ta= -40 ถึง 85°C	0.9
	แรงดันขับเกต (VGATE1-VIN) (VGATE2-VIN) VGS ต่ำสุด/ทั่วไป/สูงสุด (V)	@VIN=2.7V	8/9.2/10
		@VIN=5V	9/10/11
		@VIN=9V	9/10/11
		@VIN=12V	9/10/11
		@VIN=20V	9/10/11
	VGS เมื่อใช้งาน tON ทั่วไป (ms)	@VIN=5V, CGATE1,2=4000pF	2.9
	VGS เมื่อไม่มีการใช้งาน tOFF ทั่วไป (μs)	VIN=5V, @CGATE1,2=4000pF	52
	OVLO VGS turn OFF time tOVP ทั่วไป (μs)	@CGATE1,2=4000pF	34
ตรวจสอบสินค้าตัวอย่างและการวางจำหน่าย			ซื้อออนไลน์

หมายเหตุ:
[3] ไม่รวมกระแสที่เทอร์มินอลควบคุม (I_CT)

กดลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TCK421G
TCK42xG Series

ตรวจสอบการวางจำหน่ายผลิตภัณฑ์ใหม่ผ่านตัวแทนจำหน่ายทางออนไลน์ได้ที่:
TCK421G

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-44-548-2215
Contact Us

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ ที่กล่าวถึงในที่นี้อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาเกี่ยวกับบริการ และข้อมูลติดต่อมีความถูกต้องและเป็นปัจจุบันในวันที่ประกาศซึ่งอาจจะมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบ

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ระดับแถวหน้าผู้จัดหาโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บที่มีความก้าวล้ำ รวบรวมประสบการณ์และนวัตกรรมที่สะสมมากว่าครึ่งศตวรรษ เพื่อส่งมอบผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจของเรา

พนักงานทั้ง 22,000 คนจากทั่วโลกของ TDSC มุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีที่สูงกว่า 7.1 แสนล้านเยน (6.5 พันล้านดอลลาร์สหรัฐฯ) ในขณะนี้ TDSC หวังที่จะได้มีส่วนสร้างอนาคตที่ดีกว่าให้กับผู้คนทั่วโลก
เรียนรู้เพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20220208005552/en/

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: +81-44-549-8361
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–28 กันยายน 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เริ่มจัดส่งตัวอย่างทดสอบของรุ่น “TB9083FTG” ซึ่งเป็นพรีไดรเวอร์ IC สำหรับการใช้งานในยานยนต์ โดยรวมถึงมอเตอร์ไร้แปรงถ่านสำหรับระบบพวงมาลัยพาวเวอร์ไฟฟ้าและเบรกไฟฟ้า Toshiba จะจัดส่งตัวอย่างขั้นสุดท้ายในเดือนมกราคม 2565 และจะเริ่มการผลิตจำนวนมากในเดือนธันวาคม 2565

เอกสารประชาสัมพันธ์ฉบับนี้ประกอบด้วยเนื้อหามัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210927005866/en/

TB9083FTG เป็นพรีไดรเวอร์สามเฟสที่ควบคุมและขับเคลื่อนเพาเวอร์ MOSFET แบบ N-channel ภายนอกสำหรับการขับมอเตอร์ DC แบบไร้แปรงถ่านสามเฟส รองรับ ASIL-D^[1] ความปลอดภัยในการใช้งาน^[2] และสอดคล้องกับ ISO 26262 ฉบับที่ 2 ช่วยให้สามารถใช้กับระบบยานยนต์ที่มีความปลอดภัยสูง

IC รุ่นใหม่นี้มีพรีไดรเวอร์สามช่องสัญญาณในตัวสำหรับเซฟตี้รีเลย์ที่ควบคุมและขับเคลื่อนรีเลย์สำหรับมอเตอร์และแหล่งจ่ายไฟ ทำให้ไม่จำเป็นต้องใช้ส่วนประกอบภายนอกและช่วยลดจำนวนชิ้นส่วน

TB9083FTG อยู่ในแพ็คเกจ P-VQFN48-0707-0.50-005 ขนาดเล็ก (7.0 มม. x 7.0 มม. (typ.)) พร้อมโครงสร้างแบบ wettable flank ^[3] เนื่องจากความจำเป็นในการออกแบบให้มีการสำรองทำให้มีข้อจำกัดเกี่ยวกับพื้นที่บอร์ดของหน่วยควบคุมอิเล็กทรอนิกส์ การใช้แพ็คเกจขนาดเล็กนี้จึงช่วยลดพื้นที่การติดตั้งทั้งหมด

หมายเหตุ:

[1] ASIL (ระดับความสมบูรณ์ของความปลอดภัยในยานยนต์): ระดับความปลอดภัยในยานยนต์สูงสุดที่ควบคุมในมาตรฐานความปลอดภัยในการทำงาน ISO 26262

[2] มาตรฐานการทำงานตามความปลอดภัยพยายามลดความเสี่ยงที่เกิดจากความล้มเหลวของระบบ การรับรอง ISO 26262 ยอมรับว่าการดำเนินการหรือผลิตภัณฑ์ของบริษัทสำหรับระบบไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์ (E/E) เพื่อการใช้งานในรถยนต์ตรงตามเกณฑ์ที่เข้มงวดที่ระบุไว้ในมาตรฐาน และจัดหาวิธีการอิสระในการประเมินความสามารถของซัพพลายเออร์ที่มีศักยภาพให้กับบุคคลที่สาม

[3] รูปร่างของ side leads ของบรรจุภัณฑ์

แอปพลิเคชัน

อุปกรณ์ยานยนต์

– พวงมาลัยเพาเวอร์ไฟฟ้า เบรคไฟฟ้า ปั้มชนิดต่าง ๆ ฯลฯ

คุณสมบัติ

– รองรับความปลอดภัยในการใช้งาน

– พัฒนาตามมาตรฐาน ISO 26262 ฉบับที่ 2

– คู่มือความปลอดภัยและรายงานการวิเคราะห์ความปลอดภัย

– ฟังก์ชันสำรองในตัว ABIST^[4] และ LBIST^[5]

– อินเทอร์เฟซ SPI^[6] พร้อมการตรวจสอบ CRC^[7] 

– พรีไดรเวอร์สามเฟส

ควบคุมและขับเคลื่อนเพาเวอร์ MOSFET สามเฟส (Nch x 6 ชิ้น) มีวางจำหน่าย

สามารถตั้งค่าความถี่ในการส่งข้อมูล PWM Choppingได้ถึง 20kHz

– พรีไดรเวอร์สามช่องในตัวสำหรับเซฟตี้รีเลย์

สามารถควบคุม / ขับเคลือนรีเลย์สามตัวสำหรับแต่ละเฟสของมอเตอร์ อีกนัยหนึ่ง หนึ่งช่องควบคุม / ขับเคลื่อนรีเลย์สามตัวสำหรับมอเตอร์แบบ collective และอีกสองช่องควบคุม / ขับเคลื่อนรีเลย์สำหรับแหล่งจ่ายไฟ

– แอมพลิฟายเออร์ในตัวสำหรับการตรวจจับกระแสไฟของมอเตอร์

สำหรับการขยายแรงดันไฟฟ้าที่สร้างขึ้นในตัวต้านทานแบบ shunt 3 เฟส

ตั้งค่า gain ได้ 6 แบบ

– แพคเกจเล็ก

โครงสร้างแบบ wettable flank ขนาดเล็กติดพื้นผิว แพคเกจ P-VQFN48-0707-0.50-005 พร้อม E-pad^[8]

หมายเหตุ:

[4] ABIST (การทดสอบตัวเองในตัวแบบอะนาล็อก)

[5] LBIST (การทดสอบตัวเองในตัวแบบลอจิก)

[6] SPI (การสื่อสารอนุกรมแบบ SPI)

[7] CRC (การตรวจสอบข้อผิดพลาด CRC)

[8] E-pad (แผ่นสัมผัส): กรอบโลหะที่ด้านหลังของบรรจุภัณฑ์

ข้อมูลจำเพาะหลัก

หมายเลขส่วน		TB9083FTG
มอเตอร์ที่รองรับ		มอเตอร์ DC แบบไร้แปรงถ่านสามเฟส
หน้าที่หลัก		การสื่อสาร SPI, แอมพลิฟายเออร์ตรวจจับกระแส, พรีไดรเวอร์สามช่องสำหรับเซฟตี้รีเลย์ ฟังก์ชัน clamping MOSFET VGS ภายนอก
ฟังก์ชันการวินิจฉัยตนเอง		ABIST, LBIST
การตรวจจับข้อผิดพลาด		การตรวจจับแรงดันตก, การตรวจจับแรงดันไฟเกิน, การตรวจจับ MOSFET VGS/VDS ภายนอก, การตรวจจับอุณหภูมิเกิน
ช่วงแรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน		VB=4.5V ถึง 28V VCC=3.0V ถึง 5.5V
แหล่งจ่ายไฟภายนอก		2 แหล่งจ่ายไฟ (VB, VCC)
อุณหภูมิในการทำงาน		Ta=-40℃ ถึง 150℃ Tj=-40℃ ถึง 175℃
แพคเกจ	ชื่อ	P-VQFN48-0707-0.50-005
	ขนาด typ. (มม.)	7.0 × 7.0
ความน่าเชื่อถือ		ผ่านการรับรองมาตรฐาน AEC-Q100
ข้อเสนอตัวอย่างสุดท้าย		มกราคม 2565
การผลิตจำนวนมาก		ธันวาคม 2565

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับไดรเวอร์มอเตอร์ ICs แบบไร้แปรงถ่านของ Toshiba รวมถึงพรีไดรเวอร์ ICs
 
Automotive Brushless Motor Driver ICs

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:

System Devices Marketing Dept. III
Automotive Marketing Group II
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อเป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และสตอเรจขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจในเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกระบบ LSIs และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่น

พนักงานของบริษัท 22,000 คนทั่วโลกร่วมกันมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุดและเน้นการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างมูลค่าและตลาดใหม่  ด้วยยอดขายประจำปีที่สูงกว่า 710 พันล้านเยน (6.5 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

อ่านเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210927005866/en/

สอบถามสำหรับสื่อ:

Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Department
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Tel: +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

– แรงดันไฟฟ้าเปิดสูงมีส่วนช่วยในการขับเคลื่อน MOSFET ที่ใช้พลังงานไฟฟ้าแรงสูง

โตเกียว–(บิสิเนสไวร์)–27 พฤษภาคม 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว“TLP3910” โฟโตคัปเปลอร์แบบโฟโตวอลเทอิกเอ้าท์พุท (“โฟโตคัปเปลอร์”) ซึ่งอยู่ในแพ็คเกจ SO6L แบบบางเหมาะสำหรับการขับเคลื่อนประตู MOSFET ที่ใช้พลังงานไฟฟ้าแรงสูง เป็นโซลิดสเตตรีเลย์ (SSR)^[1] ที่แยกฟังก์ชันได้  การจัดส่งตามปริมาณการผลิตเริ่มตั้งแต่วันนี้

ข่าวประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยมัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210526005424/en/

SSR คือรีเลย์เซมิคอนดักเตอร์ชนิดหนึ่งที่มีโฟโต้ไตรแอก ทรานซิสเตอร์ภาพถ่าย หรือโฟโต้ไทริสเตอร์เป็นอุปกรณ์ส่งออก เหมาะสำหรับการใช้งานสำหรับการควบคุมเปิด/ปิดกระแสไฟฟ้าขนาดใหญ่

ตัวเชื่อมต่อไฟฟ้าโฟโตวอลเทอิกเป็นโฟโตเรย์ที่มีอุปกรณ์ฉายแบบแต่ไม่มี MOSFET ที่ใช้เพื่อทำหน้าที่เป็นสวิตช์  ในการกำหนดค่า SSR แบบแยกสวิตช์แรงดันไฟฟ้าสูง กระแสไฟฟ้าขนาดใหญ่ ซึ่งโฟโตเรเลย์นั้นเคยจัดการด้วยความยากลำบากจะสามารถใช้งานได้อย่างง่ายดายโดยการรวมตัวเชื่อมต่อไฟฟ้าโฟโตวอลเทอิกและ MOSFET

การขับกำลังไฟฟ้าแรงสูงที่มีแรงดันเกต 10V หรือสูงกว่านั้นจำเป็นต้องเชื่อมต่อผลิตภัณฑ์ปัจจุบันของโตชิบาสองตัวคือ TLP3906 เนื่องจากมีแรงดันไฟฟ้าเปิดต่ำ  ในทางตรงกันข้าม TLP3910 ใหม่มีแรงดันไฟฟ้าเปิดต่ำสุดที่ 14V ซึ่งเป็นสองเท่าของ TLP3906 และจำเป็นต้องใช้เพียงตัวเดียวเท่านั้นในการขับเคลื่อนเกตของ MOSFET กำลังไฟฟ้าแรงสูง สิ่งนี้มีส่วนช่วยในการลดจำนวนชิ้นส่วน

การปรับปรุงวงจรดิสชาร์จในตัวทำให้เวลาปิดเครื่องโดยทั่วไปอยู่ที่ 0.1 มิลลิวินาที ประมาณ 1/3 ของ TLP3906 และประมาณ 1/30 ของ TLP191B และทำให้การทำงานมีความเร็วสูงขึ้น

TLP3910 เป็นเครื่องเชื่อมไฟฟ้าโฟโตวอลเทอิกตัวแรกของ Toshiba ที่มีแรงดันไฟฟ้าแยกขั้นต่ำที่ 5,000Vrms^[2] ในขณะที่ยังคงประสิทธิภาพพื้นฐานของผลิตภัณฑ์ปัจจุบัน TLP191B และ TLP3906  สิ่งนี้ทำให้สามารถใช้ในอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ขับเคลื่อนด้วยระบบ AC400V  ขอบเขตการใช้งานยังขยายออกไปอีกด้วยการทำงานที่อุณหภูมิสูง 125°C

หมายเหตุ:

[1] ใน SSR แบบแยก ด้านหลักและด้านรองจะแยกกันด้วยกระแสไฟฟ้า  สามารถควบคุมการสลับวงจรที่เชื่อมต่อกับสาย AC และระหว่างอุปกรณ์ที่มีกราวด์ต่างกันได้ผ่านแผงกั้นแยก

[2] ในบรรดาเครื่องเชื่อมไฟฟ้าโฟโตวอลเทอิกด้วยกัน จากการสำรวจของ Toshiba เมื่อวันที่ 27 พฤษภาคม 2564

การใช้งาน

SSR แบบแยก: เกตไดรฟ์ของ MOSFET กำลังไฟฟ้าแรงสูงสำหรับสวิตช์

• อุปกรณ์อุตสาหกรรม: เอาท์พุทหน้าสัมผัสรีเลย์สำหรับ I/O ของตัวควบคุมลอจิกที่ตั้งโปรแกรมได้และอื่นๆ เช่น ชิ้นส่วนควบคุมโซลินอยด์ของระบบเบรก วงจรจ่ายไฟหลัก/วงจรป้องกันกระแสไฟเข้า ชิ้นส่วนตรวจสอบแรงดันแบตเตอรี่สำหรับระบบการจัดการแบตเตอรี่ (BMS); ชิ้นส่วนตรวจจับความผิดพื้นดิน
• อุปกรณ์วัด: การสลับสายจ่ายไฟ; การสลับสายวัด

คุณสมบัติ

• แรงดันไฟฟ้าเปิดสูง: V_OC=14V (min)
• กระแสลัดวงจร: I_SC= 12μA (นาที) @I_F= 10mA, (C20 rank product) I_SC=20μA (min) @I_F=10mA
• แรงดันไฟฟ้าแยกสูง: BV_S=5000Vrms (min)
• ช่วงอุณหภูมิการทำงานสูง: T_opr T_opr (max)=125°C
• Creepage (Space Distance): 8mm (min)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น Ta= 25°C)
หมายเลขชิ้นส่วน			TLP3910
ควบคุมวงจร			Built-in
ค่าสัมบูรณ์สูงสุด	อุณหภูมิใช้งาน TOPR (° C)		-40 ถึง 125
ลักษณะไฟฟ้า	แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า VF min/typ./max (V)	@IF=10mA	3/3.3/3.6
ลักษณะควบคู่ไฟฟ้า	แรงดันไฟฟ้าเปิด VOC min (V)	@IF=10mA	14
	กระแสลัดวงจร ISC min (μA)	@IF=10mA	12
			(C20 rank product) 20
	กระแสทริกเกอร์ LED IFT max (mA)		3
ลักษณะการสลับ	เวลาในการเปิด ton typ./max (ms)		0.3/1.0
	เวลาในการปิด toff typ./max (ms)		0.1/0.5
ลักษณะการแยกตัว	แรงดันไฟฟ้าแยกตัว BVS min (Vrms)		5000
ลักษณะเครื่องกล	Creepage distances/Clearance min (mm)		8.0
แพ็กเกจ	ชื่อ		SO6L
	ขนาด (มม.)		3.84×10×2.1
มาตรฐานความปลอดภัย			UL, cUL, VDE(option(D4))
ตรวจสอบตัวอย่างและการวางจำหน่าย			ซื้อทางออนไลน์

ติดตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TLP3910

ติดตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับอุปกรณ์ออปติคัลเซมิคอนดักเตอร์ของโตชิบา อุปกรณ์ออปติคอลเซมิคอนดักเตอร์

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมใช้งานของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์โปรดไปที่: TLP3910
ซื้อออนไลน์

สอบถามสำหรับลูกค้า

Optoelectronic Device Sales & Marketing Dept. (ฝ่ายการขายและการตลาดอุปกรณ์)
โทร: + 81-3-3457-3431
https://toshiba.semicon-storage.com /ap-en/contact.html

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) ซึ่งเป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชั่นเซมิคอนดักเตอร์และอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลขั้นสูง โดยดึงเอาประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษมามอบให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจในรูปแบบของเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD

พนักงาน 22,000 คนของ TDSC ทั่วโลกร่วมกันมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุดและเพื่อส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการร่วมสร้างมูลค่าและตลาดใหม่  ด้วยยอดขายต่อปีในขณะนี้สูงกว่า 710 พันล้านเยน (6.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) TDSC มุ่งหวังที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนในทุกที่

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ TDSC ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

อ่านต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210526005424/en/

สอบถามข้อมูลสื่อ:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Department (แผนกการตลาดดิจิทัล)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร : +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย