Tag Archives: toshiba

Featured, Technology

Toshiba พัฒนาโมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) แบบคู่ 2200V ตัวแรกของอุตสาหกรรมที่ช่วยลดขนาดและเพิ่มประสิทธิภาพของเครื่องจักรอุตสาหกรรม

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–29 สิงหาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้พัฒนา “MG250YD2YMS3” ซึ่งเป็นโมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) แบบคู่ 2200V ตัวแรกของอุตสาหกรรม[1] สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรม โมดูลใหม่นี้มีระดับกระแสไฟเดรน (DC) ที่ 250A และใช้ชิป SiC MOSFET รุ่นที่สามของบริษัท เหมาะสำหรับการใช้งานที่ใช้ DC1500V เช่น ระบบพลังงานแสงอาทิตย์และระบบกักเก็บพลังงาน โดยจะเริ่มทำการจัดส่งเครื่องตั้งแต่วันนี้

Toshiba: MG250YD2YMS3, the industry's first 2200V dual silicon carbide(SiC) MOSFET module. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: MG250YD2YMS3 โมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) แบบคู่ 2200V ตัวแรกในอุตสาหกรรม (กราฟิก: Business Wire)

การใช้งานทางอุตสาหกรรมดังที่กล่าวข้างต้นโดยทั่วไปจะใช้ไฟ DC1000V หรือต่ำกว่า และอุปกรณ์จ่ายไฟส่วนใหญ่เป็นผลิตภัณฑ์ 1200V หรือ 1700V อย่างไรก็ตาม เนื่องจากคาดว่าจะมีการใช้งาน DC1500V อย่างแพร่หลายในอีกไม่กี่ปีข้างหน้า Toshiba จึงได้เปิดตัวผลิตภัณฑ์ 2200V ตัวแรกของอุตสาหกรรมออกมา

MG250YD2YMS3 มีการสูญเสียการนำไฟฟ้าต่ำโดยมีแรงดันไฟฟ้า (sense) จากแหล่งเดรนต่ำที่ 0.7V (typ.)[2] นอกจากนี้ยังมีการสูญเสียเมื่อเปิดและปิดที่ต่ำกว่าที่ 14mJ (typ.)[3] และ 11mJ (typ.)[3] ตามลำดับ ซึ่งลดลงประมาณ 90%[4] เมื่อเทียบกับ IGBT ซิลิคอน (Si) ทั่วไป คุณลักษณะเหล่านี้ส่งผลให้เครื่องจักรมีประสิทธิภาพสูงขึ้น การสูญเสียเมื่อเปิดปิดที่ต่ำยังทำให้วงจรสามระดับแบบเดิมถูกแทนที่ด้วยวงจรสองระดับที่มีจำนวนโมดูลต่ำกว่า ซึ่งมีส่วนทำให้เครื่องจักรมีขนาดเล็กลง

Toshiba จะยังคงตอบสนองความต้องการของตลาดในด้านประสิทธิภาพสูงและการลดขนาดเครื่องจักรอุตสาหกรรมต่อไป

หมายเหตุ:
[1] ในบรรดาโมดูล SiC MOSFET แบบคู่ จากการสำรวจของ Toshiba ณ เดือนสิงหาคม 2023
[2] เงื่อนไขการทดสอบคือ ID=250A, VGS=+20V, Tch=25°C
[3] เงื่อนไขการทดสอบคือ VDD=1100V, ID=250A, Tch=150°C
[4] การเปรียบเทียบการสูญเสียเมื่อเปิดปิดของ Toshiba สำหรับโมดูล Si 2300V และ MG250YD2YMS3 ซึ่งเป็นโมดูล SiC MOSFET ใหม่ทั้งหมด ณ เดือนสิงหาคม 2023 (ค่าประสิทธิภาพสำหรับโมดูล Si 2300V เป็นการประมาณการของ Toshiba โดยอ้างอิงจากเอกสารที่เผยแพร่ในหรือก่อนเดือนมีนาคม 2023)

การใช้งาน

เครื่องจักรอุตสาหกรรม

– ระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานทดแทน (ระบบพลังงานแสงอาทิตย์ ฯลฯ)

– ระบบกักเก็บพลังงาน

– อุปกรณ์ควบคุมมอเตอร์สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรม

– ตัวแปลง DC-DC ความถี่สูง ฯลฯ

คุณสมบัติ

  • แรงดันไฟฟ้า (sense) จากแหล่งเดรนต่ำคือ
  • DS(on)sense=0.7V (typ.) (ID=250A, VGS=+20V, Tch=25°C)
  • การสูญเสียเมื่อเปิดต่ำคือ

Eon=14mJ (typ.) (VDD=1100V, ID=250A, Tch=150°C)

  • การสูญเสียเมื่อปิดต่ำคือ

Eoff=11mJ (typ.) (VDD=1100V, ID=250A, Tch=150°C)

  • ความเหนี่ยวนำลัดวงจรต่ำคือ

LsPN=12nH (typ.)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(Tc=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเลขชิ้นส่วน

MG250YD2YMS3

ชื่อแพ็คเกจของ Toshiba

2-153A1A

ระดับกระแสไฟสูงสุดโดยสัมบูรณ์

แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งเดรนต่ำ VDSS (V)

2200

แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งเกท VGSS (V)

+25 / -10

กระแสเดรน (DC) ID (A)

250

กระแสเดรน (พัลส์) IDP (A)

500

อุณหภูมิช่อง Tch (°C)

150

แรงดันไฟฟ้าแยก Visol (Vrms)

4000

คุณลักษณะทางไฟฟ้า

แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งเดรน (sense)

VDS(on)sense (V)

ID=250A, VGS=+20V,

Tch＝25°C

typ.

0.7

แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งเดรนเมื่อเปิด (sense)

VSD(on)sense (V)

IS=250A, VGS=+20V,

Tch＝25°C

typ.

0.7

แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งเดรนเมื่อปิด (sense)

VSD(off)sense (V)

IS＝250A, VGS=-6V,

Tch＝25°C

typ.

1.6

การสูญเสียเมื่อเปิด

Eon (mJ)

VDD=1100V,

ID=250A, Tch＝150°C

typ.

14

การสูญเสียเมื่อปิด

Eoff (mJ)

typ.

11

ความเหนี่ยวนำลัดวงจร LsPN (nH)

typ.

12

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
MG250YD2YMS3

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเครื่องไฟฟ้า SiC ของ Toshiba
เครื่องไฟฟ้า SiC

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทจำนวน 21,500 คนทั่วโลก มีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีที่เข้าใกล้ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ) บริษัท Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทั่วโลก

ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: www.businesswire.com/news/home/53545285/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ช่องทางติดต่อสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ช่องทางติดต่อสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวอุปกรณ์จ่ายไฟอัจฉริยะขนาดเล็ก 600V สำหรับไดรฟ์มอเตอร์กระแสตรงแบบไร้แปรงถ่าน

Logo

– แพ็กเกจขนาดเล็กชนิดยึดพื้นผิวช่วยลดพื้นที่ในการติดตั้งและขนาดของแผงวงจรสำหรับมอเตอร์ขับเคลื่อน –

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–24 สิงหาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัวอุปกรณ์จ่ายไฟอัจฉริยะ (IPD) ขนาดเล็ก 600V สองเครื่องสำหรับการใช้งานขับเคลื่อนมอเตอร์ DC แบบไร้แปรงถ่าน เช่น เครื่องปรับอากาศ เครื่องฟอกอากาศ และปั๊ม การจัดส่งตามปริมาณของ “TPD4163F” และ “TPD4164F” ซึ่งมีพิกัดกระแสเอาต์พุต (DC) ที่ 1A และ 2A ตามลำดับ เริ่มตั้งแต่วันนี้

Toshiba: 600V small intelligent power devices for brushless DC motor drives. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: อุปกรณ์จ่ายไฟอัจฉริยะขนาดเล็ก 600V สำหรับไดรฟ์มอเตอร์กระแสตรงไร้แปรงถ่าน (ภาพ: Business Wire)

ผลิตภัณฑ์ใหม่ทั้งสองนี้บรรจุอยู่ในแพ็กเกจ HSSOP31 แบบยึดบนพื้นผิว ซึ่งลดพื้นที่การติดตั้งลงประมาณ 63% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ก่อนหน้าของ Toshiba[1] ทำให้แผงวงจรขับมอเตอร์ขนาดเล็กลงได้ และยังช่วยลดความสูงของมอเตอร์อีกด้วย

เนื่องจากแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟอาจผันผวนอย่างมากในภูมิภาคที่มีแหล่งจ่ายไฟไม่เสถียร แรงดันไฟฟ้าจึงเพิ่มขึ้นจาก 500V ของผลิตภัณฑ์ Toshiba รุ่นก่อนหน้า[1] เป็น 600V ซึ่งปรับปรุงความน่าเชื่อถือ

“การออกแบบอ้างอิวสำหรับวงจรไดร์ฟมอเตอร์กระแสตรงแบบไร้เซ็นเซอร์และแปรงถ่าน” ที่ใช้ฟังก์ชันของ TPD4164F ใหม่พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์ TMPM374FWUG พร้อมกลไกควบคุมเวกเตอร์ มีวางจำหน่ายแล้ววันนี้บนเว็บไซต์ของ Toshiba

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์สำหรับการควบคุมมอเตอร์ประหยัดพลังงานต่อไปด้วยแพ็กเกจต่างๆ และคุณลักษณะของอุปกรณ์ที่ได้รับการปรับปรุง ซึ่งนำไปสู่ความยืดหยุ่นในการออกแบบและความเป็นกลางของคาร์บอน

หมายเหตุ:

[1] ผลิตภัณฑ์บรรจุภัณฑ์ DIP26 (ผลิตภัณฑ์ที่หมดอายุการใช้งาน): TPD4123K, TPD4123AK, TPD4144K, TPD4144AK, TPD4135K และ TPD4135AK

การใช้งาน

มอเตอร์กระแสตรงไร้แปรงถ่านสำหรับเครื่องใช้ในบ้าน

  • มอเตอร์พัดลม (เครื่องปรับอากาศ เครื่องฟอกอากาศ พัดลมระบายอากาศ พัดลมเพดาน ฯลฯ)
  • ปั๊ม

คุณสมบัติ

  • แพ็กเกจเล็ก

ประเภทการติดตั้งบนพื้นผิว HSSOP31: 17.5 มม.×11.93 มม. (ทั่วไป), t=2.2 มม. (สูงสุด)

  • อัตราแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟสูงเพื่อรักษาขอบเขตการทำงานสำหรับความผันผวนของแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟ: VBB=600V

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(Ta=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเลขชิ้นส่วน

TPD4163F

TPD4164F

อัตราสูงสุดสัมบูรณ์

แรงดันไฟฟ้าจ่าย VBB (V)

600

กระแสไฟฟ้าขาออก (DC) Iout (A)

1

2

ช่วงการทำงาน

แรงดันไฟฟ้าจ่ายที่ทำงาน VBB (V)

สูงสุด

450

คุณลักษณะทางไฟฟ้า

แรงดันไฟฟ้าอิ่มตัวขาออก

VCEsatH (V)

ประเภท

2.6

(IC=0.5A)

3.0

(IC=1A)

VCEsatL (V)

แรงดันไฟฟ้าก้าวหน้า FWD

VFH (V)

ประเภท

2.0

(IF=0.5A)

2.5

(IF=1A)

VFL (V)

แพ็กเกจ

ประเภท

ติดตั้งบนพื้นผิว

ชื่อ Toshiba

HSSOP31

ขนาด (มม.)

17.5×11.93 (ประเภท), t=2.2 (สูงสุด) 　

ฟังก์ชันป้องกัน

กระแสไฟฟ้าสูงเกิน/การปิดด้วยอุณหภูมิ/แรงดันไฟฟ้าต่ำเกิน/ฟังก์ชันการปิดที่ควบคุมโดยพิน SD

การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมการใช้งาน

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TPD4163F
TPD4164F

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba Intelligent Power ICs
Intelligent Power ICs

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TPD4163F
ซื้อออนไลน์

TPD4164F
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทจำนวน 21,500 คนทั่วโลก มีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีที่เข้าใกล้ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ) บริษัท Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53543846/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

แผนกให้คำปรึกษาลูกค้า:

ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

แผนกให้คำปรึกษาด้านสื่อ:
Chiaki Nagasawa

ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation


Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวพาวเวอร์มอสเฟตยานยนต์ N-Channel 40V ที่มาพร้อมแพ็กเกจใหม่ที่ให้การกระจายความร้อนสูง และช่วยลดขนาดอุปกรณ์ยานยนต์ลงได้

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น — (BUSINESS WIRE)–17 สิงหาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัวพาวเวอร์มอสเฟตยานยนต์ N-channel 40V อย่าง “XPJR6604PB” และ “XPJ1R004PB” ที่ใช้แพ็กเกจ S-TOGL™ (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) จาก Toshiba พร้อมชิปประมวลผล U-MOS IX-H พร้อมจัดส่งจำนวนมากแล้ววันนี้

Toshiba: automotive 40V N-channel power MOSFETs with new package that contributes to high heat dissipation and size reduction of automotive equipment. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: พาวเวอร์มอสเฟตยานยนต์ N-channel 40V มาพร้อมแพ็กเกจใหม่ที่ให้การกระจายความร้อนสูงและช่วยลดขนาดอุปกรณ์ยานยนต์ลงได้ (ภาพประกอบ: Business Wire)

การใช้งานที่มีความเสี่ยงด้านความปลอดภัยสูงอย่างในระบบขับเคลื่อนอัตโนมัตินั้น จะใช้การออกแบบที่มีความซ้ำซ้อนเพื่อรับรองความเชื่อถือได้ของระบบ ซึ่งส่งผลให้ต้องใช้อุปกรณ์มากขึ้นและอาศัยพื้นที่ติดตั้งมากกว่าระบบมาตรฐาน ด้วยเหตุนี้ หากต้องการลดขนาดอุปกรณ์ยานยนต์ลง ก็ต้องอาศัยพาวเวอร์มอสเฟตที่สามารถติดตั้งในสภาวะที่มีความหนาแน่นของกระแสไฟฟ้าสูงได้

XPJR6604PB และ XPJ1R004PB ใช้แพ็กเกจ S-TOGL™ โฉมใหม่ (7.0 มม. X 8.44 มม.[1]) ที่มาพร้อมโครงสร้างที่ไม่ต้องพึ่งพาเสาในการยึดชิ้นส่วนเชื่อมต่อของซอร์สกับขั้วต่อภายนอกเข้าด้วยกัน โครงสร้างที่ประกอบด้วยหลายพินสำหรับขั้วต่อซอร์สช่วยลดแรงต้านทานของแพ็กเกจลงได้

การจับคู่กันของแพ็กเกจ S-TOGL™ และชิปประมวลผล U-MOS IX-H จาก Toshiba ช่วยให้ได้ค่าความต้านทานระหว่างทำงานลดลงอย่างยิ่งถึง 11% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์แพ็กเกจ TO-220SM (W)[2] จาก Toshiba ซึ่งมีลักษณะความต้านทานทางความร้อนเดียวกัน แพ็กเกจใหม่นี้ยังตัดทอนพื้นที่ติดตั้งที่ต้องใช้ออกไปได้ราว 55% เมื่อเทียบกับแพ็กเกจ TO-220SM(W) นอกจากนี้ อัตรากระแสเดรน 200A ของแพ็กเกจใหม่นี้ยังสูงกว่าแพ็กเกจ DPAK + จาก Toshiba ที่มีขนาดใกล้เคียงกัน (6.5 มม.×9.5 มม.[1]) อีกด้วย กระแสไฟจึงไหลได้คล่องตัวสูง ในภาพรวมแล้ว แพ็กเกจ S-TOGL™ นี้ให้ความหนาแน่นสูงแต่มีรูปลักษณ์กะทัดรัด ลดขนาดอุปกรณ์ยานยนต์ลง และช่วยกระจายความร้อนได้สูง

เนื่องจากอุปกรณ์ยานยนต์ใช้ในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสุดขั้ว ความแน่นอนของรอยบัดกรีสำหรับติดตั้งบนพื้นผิวจึงเป็นปัจจัยสำคัญที่ต้องพิจารณา แพ็กเกจ S-TOGL™ ใช้ขั้วต่อแบบปีกนกนางนวลที่จะช่วยลดแรงตึงในการติดตั้ง จึงเพิ่มความแน่นอนให้กับรอยบัดกรีได้ด้วย

Toshiba เล็งเห็นว่าในการใช้งานที่ต้องการการปฏิบัติงานกับกระแสไฟในระดับสูงอาจมีการเชื่อมต่ออุปกรณ์หลายชิ้นให้ทำงานไปพร้อม ๆ กัน บริษัทจึงให้บริการการจัดส่งเป็นกลุ่ม[3] สำหรับผลิตภัณฑ์ใหม่ ๆ ด้วย โดยจะพิจารณาแรงดันขีดเริ่มของเกตในการจัดกลุ่ม ซึ่งจะเอื้อประโยชน์ให้กับการออกแบบที่ใช้กลุ่มผลิตภัณฑ์ที่มีลักษณะไม่แตกต่างกันมากนัก

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้าต่อไป และสนับสนุนความเป็นกลางทางคาร์บอนด้วยอุปกรณ์ประสิทธิภาพสูงที่เป็นมิตรกับผู้ใช้มากยิ่งขึ้น

การใช้งาน

•         อุปกรณ์ยานยนต์: อินเวอร์เตอร์, รีเลย์เซมิคอนดักเตอร์, สวิตช์โหลด, มอเตอร์ไดร์ฟ เป็นต้น

คุณสมบัติ

•         แพ็กเกจ S-TOGL™ โฉมใหม่: 7.0 มม. × 8.44 มม. (ทั่วไป)

•         อัตรากระแสเดรนสูง

XPJR6604PB: ID=200A

XPJ1R004PB: ID=160A

•         ผ่านการทดสอบ AEC-Q101 แล้ว

•         IATF 16949/PPAP พร้อมให้บริการ[4]

•         ความต้านทานขณะทำงานต่ำ :

XPJR6604PB: RDS(ON)=0.53mΩ (ทั่วไป) (VGS=10V)

XPJ1R004PB: RDS(ON)=0.8mΩ (ทั่วไป) (VGS=10V)

หมายเหตุ:

[1] ขนาดแพ็กเกจทั่วไป รวมขั้วต่อด้วย

[2] TKR74F04PB บรรจุในแพ็กเกจ TO-220SM (W)

[3] Toshiba สามารถให้บริการการจัดส่งเป็นกลุ่ม โดยที่ช่วงแรงดันขีดเริ่มของเกตจะเป็น 0.4V ต่อแต่ละรีล อย่างไรก็ตาม เราอาจไม่สามารถระบุกลุ่มที่เฉพาะเจาะจงได้ ดังนั้นโปรดติดต่อตัวแทนจำหน่ายของ Toshiba เพื่อขอรายละเอียดเพิ่มเติม

[4] โปรดติดต่อตัวแทนจำหน่ายของ Toshiba เพื่อขอรายละเอียดเพิ่มเติม

ข้อกำหนดเฉพาะหลัก

ผลิตภัณฑ์ใหม่

ผลิตภัณฑ์ปัจจุบัน

หมายเลขชิ้นส่วน

XPJR6604PB

XPJ1R004PB

TKR74F04PB

TK1R4S04PB

ขั้ว

N-channel

ซีรีส์

U-MOS IX-H

แพ็กเกจ

ชื่อ

S-TOGL™

TO-220SM(W)

DPAK+

ขนาด (มม.)

ทั่วไป

7.0×8.44, t=2.3

10.0×13.0, t=3.5

6.5×9.5, t=2.3

อัตราสูงสุดสัมบูรณ์

แรงดันไฟฟ้าจากเดรน-ซอร์ส VDSS (V)

40

กระแสเดรน (DC) ID (A)

200

160

250

120

กระแสเดรน (เพิ่มกำลัง) IDP (A)

600

480

750

240

อุณหภูมิชาเนล Tch (°C)

175

ลักษณะทางไฟฟ้า

ความต้านทานขณะทำงานจากเดรน-ซอร์ส

RDS(ON) (mΩ)

VGS=10V

สูงสุด

0.66

1.0

0.74

1.35

ความต้านทานต่อการผ่านของความร้อนจากชาเนล-เคส

Zth(ch-c) (°C/W)

Tc=25°C

สูงสุด

0.4

0.67

0.4

0.83

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

XPJR6604PB
XPJ1R004PB

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับมอสเฟตยานยนต์ของ Toshiba

มอสเฟตยานยนต์

* S-TOGL™ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัท ผลิตภัณฑ์ และบริการนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดเฉพาะ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อ คือข้อมูล ณ วันที่ประกาศและอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่แจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำสำหรับโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และพื้นที่จัดเก็บ บริษัทมีประสบการณ์และสร้างสรรค์นวัตกรรมมาแล้วกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อส่งมอบผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ชนิดแยกชิ้น, LSI ของระบบ และ HDD ที่มีคุณภาพโดดเด่นให้แก่ลูกค้าและพาร์ทเนอร์ทางธุรกิจ

บริษัทมีพนักงาน 21,500 คนทั่วโลก ซึ่งต่างมุ่งมั่นเพิ่มพูนคุณค่าของผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด ขณะเดียวกันก็ส่งเสริมการทำงานอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในตลาดใหม่ ๆ เพื่อสร้างคุณค่าร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีที่ทะยานขึ้นแตะ 800,000 ล้านเยน (6.1 billion ดอลลาร์สหรัฐฯ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation จึงตั้งเป้าสร้างสรรค์และอุทิศตนเพื่ออนาคตที่ดีกว่าของทุกคนทั่วโลก
ดูข้อมูลเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53525044/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ช่องทางติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ช่องทางติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว SiC Schottky Barrier Diodes 650V รุ่น 3 ที่ช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพมากขึ้น

Logo

KAWASAKI, Japan–(BUSINESS WIRE)–13 กรกฎาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “ซีรีส์ TRSxxx65H” [1] ซึ่งเป็นรุ่นที่ 3 และเป็นรุ่นล่าสุดของบริษัทของซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) Schottky barrier diodes (SBD) สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม เริ่มจัดส่งผลิตภัณฑ์ 12 รายการแรกตั้งแต่วันนี้ ซึ่งทั้งหมดเป็น 650V โดยมี 7 รายการอยู่ในแพ็กเกจ TO-220-2L และ 5 รายการในแพ็กเกจ DFN8×8

Toshiba: TRSxxx65H series, 3rd generation 650V SiC Schottky barrier diodes. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: ซีรีส์ TRSxxx65H, 650V SiC Schottky barrier diodes รุ่นที่ 3 (กราฟิก: Business Wire)

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้โลหะชนิดใหม่ในชิป SiC SBD รุ่นที่ 3 ซึ่งปรับโครงสร้าง junction barrier Schottky (JBS)[2] ของผลิตภัณฑ์รุ่นที่ 2 ให้เหมาะสมที่สุด โดยมีแรงดันไปข้างหน้าต่ำระดับแนวหน้าของอุตสาหกรรม[3] ที่ 1.2V (Typ.) ต่ำกว่า 1.45V (Typ.) ของรุ่นก่อนหน้า 17% ทั้งยังปรับปรุงการแลกเปลี่ยนระหว่างแรงดันไปข้างหน้าและประจุไฟฟ้าทั้งหมด และระหว่างแรงดันไปข้างหน้าและกระแสย้อนกลับ ซึ่งช่วยลดการกระจายพลังงานและทำให้อุปกรณ์มีประสิทธิภาพสูง

หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนกรกฎาคม 2023
[2] โครงสร้าง JBS ช่วยลดสนามไฟฟ้าที่อินเทอร์เฟซ Schottky และลดกระแสรั่วไหล
[3] ผลสำรวจของ Toshiba ในเดือนกรกฎาคม 2023

การใช้งาน

  • แหล่งจ่ายไฟแบบสลับ
  • สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า
  • อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์

คุณสมบัติ

  • แรงดันไปข้างหน้าต่ำระดับอุตสาหกรรม[3] : VF＝1.2V (Typ.) (IF=IF(DC))
  • กระแสย้อนกลับต่ำ:
    TRS6E65H IR＝1.1μA (Typ.) (VR=650V)
  • ประจุตัวเก็บประจุรวมต่ำ
    TRS6E65H QC＝17nC (Typ.) (VR=400V, f=1MHz)

ข้อกำหนดหลัก

(เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น, Ta=25°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

บรรจุภัณฑ์

พิกัดสูงสุด

คุณลักษณะทางไฟฟ้า

ตัวอย่าง

การตรวจสอบและ

ความพร้อมใช้งาน

แรงดัน

ย้อนกลับ

สูงสุด

แบบซ้ำ

VRRM

(V)

กระแส

ตรง

ไปข้างหน้า

IF(DC)

(A)

กระแสไฟ

พุ่งสูง

แบบไม่ซ้ำ

IFSM

(A)

กระแส

แบบซ้ำ

(การวัด

แบบพัลส์)

VF

(V)

สูงสุด

ไปข้างหน้า

(การวัด

แบบพัลส์)

IR

(μA)

ความจุ

รวม

Ct

(pF)

ความจุ

ที่เก็บสะสม

รวม

QC

(nC)

สภาพอุณหภูมิ

Tc

(°C)

f=50Hz

(คลื่น

ครึ่งไซน์

t=10ms)

Tc=25°C

สี่เหลี่ยม

ครึ่งไซน์

t=10μs,

Tc=25°C

IF=IF(DC)

VR=650V

VR=400V, f=1MHz

ประเภท

ประเภท

ประเภท

ประเภท

TRS2E65H

TO-220-2L

650

2

164

19

120

1.2

0.2

10

6.5

ซื้อออนไลน์

TRS3E65H

3

161

28

170

0.4

14

9

ซื้อออนไลน์

TRS4E65H

4

158

36

230

0.6

17

12

ซื้อออนไลน์

TRS6E65H

6

153

41

310

1.1

24

17

ซื้อออนไลน์

TRS8E65H

8

149

56

410

1.5

31

22

ซื้อออนไลน์

TRS10E65H

10

148

62

510

2.0

38

27

ซื้อออนไลน์

TRS12E65H

12

148

74

640

2.4

46

33

ซื้อออนไลน์

TRS4V65H

DFN8×8

4

155

28

230

0.6

17

12

ซื้อออนไลน์

TRS6V65H

6

151

41

310

1.1

24

17

ซื้อออนไลน์

TRS8V65H

8

148

45

410

1.5

31

22

ซื้อออนไลน์

TRS10V65H

10

145

54

510

2.0

38

27

ซื้อออนไลน์

TRS12V65H

12

142

60

640

2.4

46

33

ซื้อออนไลน์

คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TRS2E65H
TRS3E65H
TRS4E65H
TRS6E65H
TRS8E65H
TRS10E65H
TRS12E65H
TRS4V65H
TRS6V65H
TRS8V65H
TRS10V65H
TRS12V65H

คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ Schottky Barrier Diode ที่ใช้วัสดุ SiC ของ Toshiba

 Schottky Barrier Diodes ที่ใช้วัสดุ SiC

หากต้องการตรวจสอบว่าผลิตภัณฑ์ใหม่มีจำหน่ายที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์หรือไม่ โปรดไปที่:
TRS2E65H
ซื้อออนไลน์

TRS3E65H
ซื้อออนไลน์

TRS4E65H
ซื้อออนไลน์

TRS6E65H
ซื้อออนไลน์

TRS8E65H
ซื้อออนไลน์

TRS10E65H
ซื้อออนไลน์

TRS12E65H
ซื้อออนไลน์

TRS4V65H
ซื้อออนไลน์

TRS6V65H
ซื้อออนไลน์

TRS8V65H
ซื้อออนไลน์

TRS10V65H
ซื้อออนไลน์

TRS12V65H
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แยกระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทกว่า 21,500 คนทั่วโลกต่างมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในการสร้างอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่
ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53451045/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ฝ่ายลูกค้าสัมพันธ์:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ฝ่ายสื่อมวลชนสัมพันธ์:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

 

พันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว MOSFET พลังงาน N-channel 100V ที่รองรับการย่อขนาดของวงจรพาวเวอร์ซัพพลาย

Logo

– มี On-resistance ต่ำและมีพื้นที่ปฏิบัติการที่ปลอดภัยที่กว้างขึ้น โดยใช้กระบวนการรุ่นล่าสุด –

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–29 มิถุนายน 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “TPH3R10AQM” ซึ่งเป็น MOSFET พลังงาน N-channel 100V ที่ประดิษฐ์ขึ้นด้วยกระบวนการรุ่นล่าสุดของ Toshiba นั่นคือ U-MOS X-H ผลิตภัณฑ์มุ่งเป้าไปที่การใช้งาน เช่น วงจรสวิตชิ่งและวงจร Hot swap[1] บนสายไฟของอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้สำหรับศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร เริ่มจัดส่งแล้ววันนี้

Toshiba: a 100V N-channel power MOSFET

Toshiba: MOSFET พลังงาน N-channel 100V “TPH3R10AQM” ประดิษฐ์ขึ้นด้วย U-MOS X-H ซึ่งเป็นกระบวนการรุ่นล่าสุดของ Toshiba (กราฟิก: Business Wire)

TPH3R10AQM เป็นผู้นำในอุตสาหกรรม[2] 3.1mΩ ความต้านทานต่อแหล่งเดรนสูงสุด 16%[2] ต่ำกว่าผลิตภัณฑ์ 100V ของ Toshiba “TPH3R70APL” ซึ่งใช้กระบวนการรุ่นก่อนหน้า จากการเปรียบเทียบแบบเดียวกัน TPH3R10AQM ได้ขยายพื้นที่การทำงานที่ปลอดภัยถึง 76%[3] ทำให้เหมาะสำหรับการทำงานในโหมดเชิงเส้น การลด On-resistance และการขยายช่วงการทำงานเชิงเส้นในพื้นที่การทำงานที่ปลอดภัยจะลดจำนวนการเชื่อมต่อแบบขนาน นอกจากนี้ ช่วงแรงดันธรณีประตูที่ 2.5V ถึง 3.5V ทำให้มีโอกาสน้อยที่จะทำงานผิดพลาดเนื่องจากสัญญาณรบกวนของแรงดันเกต

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้แพ็คเกจ SOP Advance(N) ที่เข้ากันได้สูง

Toshiba จะยังคงขยายไลน์อัพพาวเวอร์ MOSFET ที่สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของพาวเวอร์ซัพพลายโดยการลดการสูญเสีย และช่วยลดการใช้พลังงานของอุปกรณ์

การใช้งาน

  • พาวเวอร์ซัพพลายสำหรับอุปกรณ์สื่อสาร เช่น สำหรับศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร
  • แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง (ตัวแปลง DC-DC ประสิทธิภาพสูง ฯลฯ)

คุณสมบัติ

  • นำเสนอค่าความต้านทาน On-resistance ต่ำที่ยอดเยี่ยมในอุตสาหกรรม[2] : RDS(ON)=3.1mΩ (สูงสุด) (VGS=10V)
  • พื้นที่ปฏิบัติการที่ปลอดภัยกว้าง
  • ระดับอุณหภูมิช่องสูง: Tch (สูงสุด)=175°C

หมายเหตุ:
[1] วงจรสำหรับเชื่อมต่อและถอดชิ้นส่วนต่าง ๆ ในระบบโดยไม่ต้องปิดระบบในขณะที่อุปกรณ์ทำงาน
[2] ผลสำรวจของ Toshiba ณ เดือนมิถุนายน 2023
[3] ความกว้างของพัลส์: tw=10ms, VDS=48V

ข้อมูลจำเพาะหลัก 

(นอกจากที่ระบุไว้, Ta=25°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

TPH3R10AQM

การจัดอันดับสูงสุดแบบสัมบูรณ์

แรงดันจากเดรน VDSS (V)

100

กระแสเดรน (DC) ID (A)

Tc=25°C

อุณหภูมิช่อง Tch (°C)

175

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

ความต้านทานต่อไฟฟ้าจากเดรน RDS(ON)

max (mΩ)

VGS=10V

3.1

VGS=6V

6.0

ค่าเกตทั้งหมด (gate-source plus gate-drain) Qg typ. (nC)

83

ค่าการสลับเกต Qsw typ. (nC)

32

ค่าเอาต์พุต Qoss typ. (nC)

88

ค่าตัวเก็บประจุระหว่างอินพุต Ciss typ. (pF)

5180

แพ็กเกจ

ชื่อ

SOP Advance(N)

ขนาด typ. (มม.)

4.9×6.1

การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TPH3R10AQM

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFETs

To check availability of the new products at online distributors, visit:

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่
TPH3R10AQM
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และคลังข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทจำนวน 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง

ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53435647/en

ติดต่อ

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า

ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:

Chiaki Nagasawa

ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวไมโครคอนโทรลเลอร์ ARM® Cortex®-M3 “TXZ+TM Family Advanced Class” พร้อมหน่วยความจำแบบแฟลชรหัส 1MB Code รองรับการอัพเดทเฟิร์มแวร์โดยไม่รบกวนการทำงานของไมโครคอนโทรลเลอร์

Logo

คาวาซากิ, ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–27 มิถุนายน 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เพิ่ม “M3H group (2)” ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์ใหม่ใน “M3H group” ของกลุ่มผลิตภัณฑ์ไมโครคอนโทรลเลอร์ 32 บิต “TXZ+TM Family Advanced Class” ประกอบด้วย Cortex®-M3 โดยใช้กระบวนการ 40nm

Toshiba: ARM(R) Cortex(R)-M3 Microcontrollers

Toshiba: ไมโครคอนโทรลเลอร์ ARM(R) Cortex(R)-M3 “คลาสขั้นสูงตระกูล TXZ+(TM) ” (รูปภาพ: Business Wire)

ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา ความต้องการความจุของโปรแกรมที่ใหญ่ขึ้นและการรองรับ FOTA (การอัพเดตเฟิร์มแวร์ผ่านทางอากาศ) มีเพิ่มมากขึ้น สิ่งนี้ได้รับแรงผลักดันจากการรุกของเทคโนโลยีดิจิทัล โดยเฉพาะอย่างยิ่งในพื้นที่ IoT (Internet of Things) และด้วยฟังก์ชันการทำงานขั้นสูงซึ่งมีความจำเป็นมากขึ้นในอุปกรณ์ต่างๆ กลุ่มผลิตภัณฑ์ M3H group (2) ใหม่ได้ขยายความจุของหน่วยความจำแฟลชรหัสจาก  512KB (บางส่วน 256KB หรือ 384KB) ของผลิตภัณฑ์กลุ่ม M3H(1)  ที่มีอยู่ของ Toshiba เป็นขนาด 1MB[1] และความจุของ RAM จาก 66KB[2] ของผลิตภัณฑ์กลุ่ม M3H (1) ที่มีอยู่ของ Toshiba เป็นขนาด 130KB[2] พร้อมคุณสมบัติอื่นๆ เช่น ARM® Cortex®-M3 core ที่ทำงานได้สูงสุดถึง 120MHz แฟลชรหัสในตัว และหน่วยความจำแฟลชข้อมูล 32KB รวมถึงการเขียนซ้ำได้ถึง 100K ครั้งต่อรอบที่ยังคงอยู่ ไมโครคอนโทรลเลอร์เหล่านี้ยังมีอินเตอร์เฟซและตัวเลือกการควบคุมมอเตอร์ที่หลากหลาย เช่น UART, อินเตอร์เฟซ I2C, วงจรอินพุตตัวเข้ารหัสขั้นสูง และวงจรควบคุมมอเตอร์ที่ตั้งโปรแกรมได้ขั้นสูง กลุ่มผลิตภัณฑ์ไมโครคอนโทรลเลอร์ของ Toshiba ในกลุ่ม M3H มีส่วนช่วยใน IoT และฟังก์ชันขั้นสูงในการใช้งานที่หลากหลาย รวมถึงมอเตอร์ เครื่องใช้ในบ้าน และอุปกรณ์อุตสาหกรรม
 

ในผลิตภัณฑ์ใหม่ แฟลชรหัสขนาด 1MB [1] จะถูกนำไปใช้กับพื้นที่ซึ่งแยกกัน 2 ส่วน แบ่งเป็นพื้นที่ละ 512KB โดยการดำเนินการนี้ทำให้สามารถอ่านคำสั่งจากพื้นที่หนึ่งได้ ในขณะเดียวกันโค้ดที่ถูกอัปเดตก็จะได้รับการตั้งโปรแกรมไปยังอีกพื้นที่หนึ่งไปด้วย สุดท้าย ฟังก์ชันการหมุนเวียนเฟิร์มแวร์ก็จะสามารถทำได้โดยฟังก์ชันการสลับพื้นที่[3]
 

ผลิตภัณฑ์กลุ่ม M3H จะมีการติดตั้ง UART, TSPI, I2C interface, 2-unit DMAC และตัวควบคุมจอแสดงผล LCD [4] เพื่อให้ตอบสนองต่อความต้องการการใช้งานของผู้บริโภคหรืออุตสาหกรรมที่หลากหลาย เพื่อให้รองรับการตรวจจับประเภทต่างๆได้ ในผลิตภัณฑ์ใหม่นี้มี ตัวแปลงสัญญาณอนาล็อก/ดิจิตอล (ADC) ความเร็วสูง 12 บิตมากถึง 21 ช่อง ที่สามารถเลือกได้จากเวลาพักตัวอย่างสองครั้งสำหรับขาอินพุตแบบอะนาล็อกแต่ละขา นอกจากนี้ยังเหมาะสำหรับการควบคุมมอเตอร์ AC และมอเตอร์ DC แบบไร้แปรงถ่าน (BLDC) ร่วมกับวงจรควบคุมมอเตอร์ที่ตั้งโปรแกรมได้ขั้นสูงและวงจรอินพุตตัวเข้ารหัสขั้นสูงที่สามารถทำงานพร้อมกันกับตัวแปลงอนาล็อก/ดิจิตอล 12 บิตความเร็วสูงที่มีความแม่นยำสูง

ฟังก์ชันการวินิจฉัยตัวเองที่รวมอยู่ในอุปกรณ์สำหรับหน่วยความจำแฟลช, RAM, ADC และนาฬิกาช่วยให้ลูกค้าบรรลุผลตามมาตรฐานด้านความปลอดภัยในการทำงาน IEC 60730 คลาส B

มีเอกสารประกอบ ซอฟต์แวร์ตัวอย่างพร้อมตัวอย่างการใช้งานจริง และซอฟต์แวร์ไดรเวอร์ที่ควบคุมอินเทอร์เฟซสำหรับอุปกรณ์ต่อพ่วงแต่ละตัว บอร์ดประเมินผลและสภาพแวดล้อมการพัฒนาจัดทำโดยความร่วมมือกับพันธมิตรระบบนิเวศทั่วโลกของ ARM® 

 การใช้งาน

  • สำหรับการควบคุมหลักของอุปกรณ์สำหรับผู้บริโภค (เครื่องใช้ในบ้าน ของเล่น อุปกรณ์ดูแลสุขภาพ ฯลฯ) และอุปกรณ์สำนักงาน (เครื่องพิมพ์มัลติฟังก์ชั่น ฯลฯ)
  • สำหรับการควบคุมมอเตอร์ของอุปกรณ์อุปโภคบริโภค และอุปกรณ์อุตสาหกรรม
  • สำหรับ IoT ของอุปกรณ์ผู้บริโภค อุปกรณ์อุตสาหกรรม ฯลฯ

คุณสมบัติ

  • ARM® Cortex®-M3 core ประสิทธิภาพสูง ความถี่สูงสุด 120MHz
  • เพิ่มความจุของหน่วยความจำภายใน
    ความจุของหน่วยความจำแฟลชรหัส: 1MB[1]
    ความจุของ RAM : 130KB[2]
  • ฟังก์ชันการหมุนเฟิร์มแวร์โดยวิธีสลับพื้นที่ (Area swap) เพื่อ รองรับการอัปเดตขณะที่ไมโครคอนโทรลเลอร์ยังคงทำงานต่อไป[3]
  • ฟังก์ชันการวินิจฉัยตนเองสำหรับความปลอดภัยในการทำงาน IEC 60730 คลาส B
  • กลุ่มผลิตภัณฑ์แพ็คเกจที่กว้างขวาง

ข้อมูลจำเพาะหลัก

ชื่อกลุ่มผลิตภัณฑ์

M3H group (2)

CPU core

ARM® Cortex®-M3
‒ หน่วยป้องกันหน่วยความจำ (MPU)

ความถี่ในการทำงานสูงสุด

120MHz

Oscillator ภายใน

ความถี่ของ Oscillation

10MHz (+/-1%)

หน่วยความจำภายใน

ความจำแฟลชรหัส

1024KB[1]
(รอบการโปรแกรมและลบซ้ำ: ได้มากสุดถึง 100,000 ครั้ง)
ฟังก์ชันการหมุนเฟิร์มแวร์ของวิธีการสลับพื้นที่โดยมีพื้นที่แฟลชรหัสแยกกันสองพื้นที่ พื้นที่ละ 512 KB [3]

ความจำแฟลชข้อมูล

32KB (รอบการโปรแกรมและลบซ้ำ: รอบการโปรแกรมและลบซ้ำ 100,000 ครั้ง)

RAM

128KB และ RAM สำรอง 2KB โดยมีความเท่าเทียมกัน

พอร์ต I/O

56 ถึง 134

สัญญาณอินเตอร์รัพท์จากภายนอก

12 ถึง 23 ปัจจัย

ตัวควบคุม DMA (DMAC)

คำขอ DMA : 2 หน่วย, 54 ถึง 64 ปัจจัย, ทริกเกอร์ภายในและภายนอก

ฟังก์ชันจับเวลา

32-bit Timer Event Counter (T32A)

8 ช่อง
(16 ช่องs if used as 16-bit timer)

โมดูลนาฬิกาแบบเรียลไทม์ (RTC)

1 ช่อง

ฟังก์ชันการสื่อสาร

UART

7 ถึง 8 ช่อง

I2C interface (I2C)

2 ถึง 4 ช่อง

TSPI

1 ถึง 5 ช่อง

ฟังก์ชันอนาล็อก

ตัวแปลง AD 12-บิต

12 ถึง 21 ช่องอินพุต

ตัวแปลง DA 8-บิต

2 ช่อง

ตัวเทียบ

1 ช่อง

วงจรควบคุมมอเตอร์

วงจรควบคุมมอเตอร์ที่ตั้งโปรแกรมได้ขั้นสูง (A-PMD)

1 ช่อง

วงจรอินพุตตัวเข้ารหัสขั้นสูง (32-บิต) (A-ENC32)

1 ช่อง

วงจรต่อพ่วงอื่นๆ

พรีโปรเซสเซอร์สัญญาณรีโมทคอนโทรล (RMC)

1 ช่อง

วงจรคำนวณ CRC (CRC)

1 ช่อง, CRC32, CRC16

ตัวควบคุมจอแสดงผล LCD (DLCD)

Non-Bias Drive: 40 segments × 4 co มม.ons (max)[4]

ฟังก์ชั่นระบบ

ตัวจับเวลา Watchdog (SIWDT)

1 ช่อง

วงจรตรวจจับแรงดันไฟฟ้า (LVD)

1 ช่อง

ตัวตรวจจับความถี่ Oscillation (OFD)

1 ช่อง

ฟังก์ชั่นการดีบักบนชิป

JTAG / SWD

แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน

2.7 ถึง 5.5V, แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าเดียว

แพ็คเกจ / พิน

LQFP144 (20 มม. x 20 มม., ระดับ 0.5 มม.)
LQFP128 (14 มม. x 14 มม., ระดับ 0.4 มม.)
LQFP128 (14 มม. x 20 มม., ระดับ 0.5 มม.)
LQFP100 (14 มม. x 14 มม., ระดับ 0.5 มม.)
QFP100 (14 มม. x 20 มม., ระดับ 0.65 มม.)
LQFP80 (12 มม. x 12 มม., ระดับ 0.5 มม.)
LQFP64 (10 มม. x 10 มม., ระดับ 0.5 มม.)

หมายเหตุ:
[1] รหัสความจุหน่วยความจำแฟลชของ TMPM3HNFDBFG คือหนึ่งพื้นที่ 512KB
[2] รวม RAM สำรอง 2KB
[3] ไม่รองรับ TMPM3HNFDBFG
[4] TMPM3HLF10BUG ไม่มีตัวควบคุมจอแสดงผล LCD

ดูที่ลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
M3H group (2)

ดูที่ลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับไมโครคอนโทรลเลอร์ของ Toshiba
Microcontrollers

* ARM และ Cortex เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ ARM Limited (หรือบริษัทสาขา) ในสหรัฐอเมริกาและ/หรือที่อื่นๆ
* TXZ+™ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
 

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และสตอเรจขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 21,500 คนจากทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้ได้สูงสุด ทั้งยังส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

เรียนรู้เพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่:  https://www.businesswire.com/news/home/53429973/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:
MCU & Digital Device Sales & Marketing Dept.
Tel: +81-44-548-2233
ติดต่อเรา

สอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว Motor Driver IC ที่มีแพ็กเกจขนาดเล็กและจำนวนชิ้นส่วนภายนอกลดลงที่ช่วยประหยัดพื้นที่บนแผงวงจร

Logo

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–15 มิถุนายน 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว Motor Driver IC สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมและผู้บริโภคที่ต้องการชิ้นส่วนภายนอกน้อยลง และอยู่ในแพ็กเกจขนาดเล็ก อเนกประสงค์สูง และประหยัดพื้นที่ การเปิดตัวนี้เป็นการขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ของ Toshiba ที่เพิ่มเข้ามาสี่ผลิตภัณฑ์ ได้แก่ “TB67S581FNG,” “TB67S580FNG,” “TB67H481FNG” และ “TB67H480FNG” เริ่มจัดส่งแล้ววันนี้

Toshiba: motor driver ICs that need fewer external parts and that are housed in a small, highly versatile, space saving package. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: Motor Driver IC ที่ต้องการชิ้นส่วนภายนอกน้อยลงและอยู่ในแพ็กเกจขนาดเล็ก อเนกประสงค์สูง และประหยัดพื้นที่ (กราฟิก Business Wire)

ผลิตภัณฑ์ใหม่ 2 รายการ ได้แก่ TB67S581FNG และ TB67S580FNG เป็น Motor Driver IC แบบสเต็ปปิ้งไบโพลาร์สองเฟส TB67S581FNG มีพิกัดแรงดันเอาต์พุตของมอเตอร์อยู่ที่ 50V และพิกัดกระแสเอาต์พุตของมอเตอร์อยู่ที่ 2.5A[1] ในขณะที่ TB67S580FNG มีพิกัดอยู่ที่ 50V และ 1.6A[1] ตามลำดับ

อีกสองผลิตภัณฑ์ ได้แก่ TB67H481FNG และ TB67H480FNG เป็น Motor Driver IC แบบสะพานคู่กระแสคงที่ โดยมีพิกัดแรงดันเอาต์พุตของมอเตอร์อยู่ที่ 50V และพิกัดกระแสเอาต์พุตของมอเตอร์อยู่ที่ 2.5A[1] อินเทอร์เฟซอินพุตของ TB67H481FNG เป็นอินพุต IN ในขณะที่ TB67H480FNG ใช้อินพุต PHASE

ผลิตภัณฑ์เหล่านี้ใช้แพ็กเกจ HTSSOP28 ที่มีขนาดเล็กและมีความอเนกประสงค์สูง ซึ่งมีพื้นที่ติดตั้งน้อยกว่าแพ็กเกจ HTSSOP48 ที่ใช้ใน TB67S109AFNG ผลิตภัณฑ์ปัจจุบันของ Toshiba ถึงประมาณ 39% แพ็กเกจ HTSSOP มีขั้วต่อเรียงเป็นสองทิศทาง เพื่อให้เดินสายบนแผงวงจรได้ง่ายขึ้น ไม่เหมือนกับแพ็กเกจประเภท QFN ที่มีขั้วต่อเรียงกันสี่ทิศทาง IC ทั้งหมดมีตัวเก็บประจุสำหรับวงจรปั๊มประจุไฟฟ้า ซึ่งช่วยลดจำนวนชิ้นส่วนภายนอกและประหยัดพื้นที่บนแผงวงจร

Motor Driver IC รองรับแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟมอเตอร์ตั้งแต่ 8.2V ถึง 44V และมีอัตรากินไฟสูงสุด 20μA ในโหมดสลีป ทำให้ใช้งานได้หลากหลายสำหรับการใช้แหล่งจ่ายไฟ 12V/24V

Toshiba จะยังคงพัฒนาผลิตภัณฑ์สำหรับการใช้งานที่หลากหลายต่อไป และจัดหาโซลูชันทั้งหมดที่ช่วยให้ดีไซน์ไม่ซับซ้อน ลดพื้นที่บอร์ด และลดค่าใช้จ่ายทั้งหมด

หมายเหตุ:
[1] กระแสจริงที่ขับมอเตอร์อาจถูกจำกัดโดยอุณหภูมิแวดล้อม แรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟ และสภาวะการทำงานอื่น ๆ

การใช้งาน

  • เครื่องพิมพ์
  • เครื่องพิมพ์มัลติฟังก์ชัน
  • เครื่องกดเงินอัตโนมัติ (ATM)
  • เครื่องแลกเงิน
  • กล้องวงจรปิด
  • โปรเจ็คเตอร์ และอื่น ๆ

คุณสมบัติ

  • แพ็กเกจ HTSSOP28 ขนาดเล็ก: 6.4 มม. x 9.7 มม. (ประเภท)
  • ไม่ต้องการตัวเก็บประจุภายนอกสำหรับวงจรปั๊มประจุ
  • อัตรากินไฟต่ำ: IM1=20μA (สูงสุด) (โหมดสลีป)

ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ

(Ta=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเลขชิ้นส่วน

TB67S581FNG

TB67S580FNG

TB67H481FNG

TB67H480FNG

ช่วงการทำงาน

แหล่งจ่ายไฟของมอเตอร์

VM (V)

Ta= -40

ถึง 85°C

8.2 ถึง 44

พิกัดสูงสุดสัมบูรณ์

แรงดันเอาต์พุตของมอเตอร์ VOUT (V)

50

กระแสเอาต์พุตของมอเตอร์ IOUT (A)

2.5

1.6

2.5

มอเตอร์ที่รองรับ

สเต็ปปิ้งมอเตอร์แบบไบโพลาร์

สเต็ปปิ้งมอเตอร์แบบไบโพลาร์

ดีซีมอเตอร์แบบมีแปรงถ่าน

อินเทอร์เฟซอินพุต

–

อินพุตประเภท IN

อินพุตประเภท PHASE

ค่าความต้านทานเปิดเอาต์พุตของมอเตอร์

(ด้านสูง + ด้านต่ำ)

RON(D-S) ประเภท (Ω)

VM=24V

Tj=25°C

IOUT=2.0A

0.4

อัตรากินไฟ

IM1 สูงสุด (μA)

โหมด

สลีป

20

ฟังก์ชันความปลอดภัย

การตรวจจับกระแสไฟฟ้าเกิน การตรวจจับการปิดด้วยความร้อน การตรวจจับแรงดันไฟต่ำ

แพ็กเกจ

ชื่อ

HTSSOP28 (P-HTSSOP28-0510-0.65-001)

ประเภทขนาด (มม.)

6.4 x 9.7

การตรวจสอบตัวอย่างและการจัดจำหน่าย

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TB67S581FNG
TB67S580FNG
TB67H481FNG
TB67H480FNG

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Motor Driver IC ของ Toshiba
Motor Driver IC

หากต้องการตรวจสอบการจัดจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ร้านผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TB67S581FNG
ซื้อออนไลน์

TB67S580FNG
ซื้อออนไลน์

TB67H481FNG
ซื้อออนไลน์

TB67H480FNG
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บขั้นสูง ที่ประยุกต์ใช้ประสบการณ์กว่าครึ่งศตวรรษและนวัตกรรมในการนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ชนิดแยกชิ้น ผลิตภัณฑ์ระบบ LSI และ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation คาดหวังที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีขึ้นเพื่อทุกคนทั่วโลก โดยมียอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ)
ดูข้อมูลเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: www.businesswire.com/news/home/53419987/en

ติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์แอนะล็อกและยานยนต์
โทร: +81-44-548-2219
ติดต่อเรา

ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว 600V Super Junction Structure N-Channel Power MOSFET ที่ช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของพาวเวอร์ซัพพลาย

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–13 มิถุนายน 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้ขยายไลน์อัพของ N-channel power MOSFET ที่ประดิษฐ์ขึ้นด้วยกระบวนการรุ่นล่าสุด[1] โดยมีโครงสร้าง super junction 600V ที่เหมาะสำหรับศูนย์ข้อมูล สวิตชิ่งเพาเวอร์ซัพพลาย และเครื่องปรับสภาพกำลังไฟฟ้าสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ ผลิตภัณฑ์ใหม่ “TK055U60Z1” เป็นผลิตภัณฑ์ 600V ตัวแรกในซีรีส์ DTMOSVI ซึ่งเริ่มจัดส่งวันนี้

Toshiba: 600V N-channel power MOSFET TK055U60Z1 in the DTMOSVI Series. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: 600V N-channel power MOSFET TK055U60Z1 ในซีรีส์ DTMOSVI (กราฟิก: Business Wire)

ด้วยการเพิ่มประสิทธิภาพการออกแบบและกระบวนการของเกท ผลิตภัณฑ์ซีรีส์ 600V DTMOSVI ลดค่าความต้านทานเดรน-ซอร์สต่อหน่วยพื้นที่ลงประมาณ 13% และชาร์จ On-resistance × gate-drain จากเดรน-ซอร์ส ซึ่งเป็นตัวเลขที่คุ้มค่าสำหรับประสิทธิภาพของ MOSFET โดยประมาณ 52% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ซีรีส์ DTMOSIV-H รุ่นปัจจุบันของ Toshiba ที่มีพิกัดแรงดันเดรน-ซอร์สเท่ากัน ซึ่งทำให้มั่นใจได้ว่าซีรีส์นี้มีการสูญเสียการนำไฟฟ้าต่ำและการสูญเสียการสลับต่ำ และช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของแหล่งจ่ายไฟสลับ

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้อยู่ในแพ็กเกจ TOLL ที่อนุญาตให้เชื่อมต่อเคลวินของเทอร์มินัลแหล่งสัญญาณสำหรับวงจรขับเกต อิทธิพลของความเหนี่ยวนำในสายต้นทางในแพ็กเกจสามารถลดลงได้เพื่อเน้นประสิทธิภาพการสลับความเร็วสูงของ MOSFET ซึ่งยับยั้งการสั่นระหว่างการสลับ

Toshiba จะยังคงขยายไลน์อัพซีรีส์ 600V DTMOSVI และผลิตภัณฑ์ซีรีย์ 650V DTMOSVI ที่เปิดตัวไปแล้ว และสนับสนุนการอนุรักษ์พลังงานโดยลดการสูญเสียพลังงานในสวิตชิ่งเพาเวอร์ซัพพลาย

หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนมิถุนายน 2023

การใช้งาน

  • ศูนย์ข้อมูล (สวิตชิ่งเพาเวอร์ซัพพลายสำหรับเซิร์ฟเวอร์ ฯลฯ)
  • เครื่องปรับสภาพกำลังไฟฟ้าสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์
  • ระบบไฟฟ้าสำรอง

คุณสมบัติ

  • บรรลุการชาร์จ On-resistance × gate-drain จากเดรน-ซอร์ส และเปิดใช้งานสวิตชิ่งพาวเวอร์ซัพพลายที่มีประสิทธิภาพสูง

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(Ta=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเลขชิ้นส่วน

TK055U60Z1

การประเมินค่า

สูงสุดสุทธิ

แรงดันเดรน-ซอร์ส VDSS (V)

600

กระแสไฟที่ไหลผ่าน (DC) ID (A)

40

อุณหภูมิช่อง Tch (°C)

150

คุณลักษณะทางไฟฟ้า

ความต้านทานไฟฟ้า

ของเดรน-ซอร์ส RDS(ON) (mΩ)

VGS=10V

สูงสุด

55

ชาร์จเกตทั้งหมด Qg (nC)

typ.

65

ชาร์จเกต-เดรน Qgd (nC)

typ.

15

ความจุอินพุต Ciss (pF)

typ.

3680

แพ็กเกจ

ชื่อ

TOLL

ขนาด (มม.)

typ.

9.9×11.68,

t=2.3

การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TK055U60Z1

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFETs

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TK055U60Z1
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านเซมิคอนดักเตอร์และโซลูชันจัดเก็บขั้นสูง โดยนำประสบการณ์และนวัตกรรมที่สั่งสมมากว่าครึ่งศตวรรษมาใช้ เพื่อมอบเซมิคอนดักเตอร์, วงจร LSI ระบบ และผลิตภัณฑ์ HDD ที่มีความโดดเด่นให้แก่ลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นในการเพิ่มคุณประโยชน์ของผลิตภัณฑ์ให้ถึงขีดสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อร่วมสร้างคุณประโยชน์และตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและเข้ามามีบทบาทเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
Tel: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อมวลชน:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว Photorelay ขนาดเล็กพร้อมเวลาเปิดเครื่องความเร็วสูงที่ช่วยลดระยะเวลาการทดสอบสำหรับเครื่องทดสอบเซมิคอนดักเตอร์

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–25 พฤษภาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “TLP3476S” ซึ่งเป็นโฟโตรีเลย์ (photorelay) ในแพ็กเกจ S-VSON4T ที่ลดเวลาในการเปิดเครื่องลงเหลือครึ่งหนึ่งของผลิตภัณฑ์ปัจจุบันของ Toshiba อย่าง TLP3475S การจัดส่งเริ่มวันนี้

Toshiba: TLP3476S, a small photorelay that helps shorten test time for semiconductor testers. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: TLP3476S โฟโตรีเลย์ขนาดเล็กที่ช่วยลดระยะเวลาการทดสอบสำหรับผู้ทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ (กราฟิก: Business Wire)

TLP3476S เร็วกว่าและกะทัดรัดกว่า TLP3475S รุ่นปัจจุบันของ Toshiba ซึ่งตระหนักถึงการ coupling ทางแสงที่มีประสิทธิภาพสูงโดยการปรับปรุงเอาต์พุตแสงของ LED อินฟราเรดและเพิ่มประสิทธิภาพการออกแบบอุปกรณ์ตรวจจับภาพถ่าย (โฟโตไดโอดอาร์เรย์) ให้เหมาะสม สิ่งนี้ช่วยปรับปรุงความเร็วในการทำงานและเพิ่มเวลาเปิดเครื่องสูงสุด 0.25ms ซึ่งเร็วขึ้น 50% นอกจากนี้ยังมีขนาดที่บางกว่า 20% เนื่องจากแพ็กเกจ S-VSON4T ที่มีโปรไฟล์ต่ำและเล็กกว่า สูงสุด 1.4 มม. ซึ่งช่วยลดขนาดอุปกรณ์ที่ต้องใช้บอร์ดหลายตัว

TLP3476S เหมาะสำหรับพินอิเล็กทรอนิกส์ของเครื่องทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งใช้รีเลย์จำนวนมากที่ต้องการเวลาในการเปลี่ยนที่สั้นลง

การใช้งาน

  • เครื่องทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ (เครื่องทดสอบหน่วยความจำความเร็วสูง เครื่องทดสอบลอจิกความเร็วสูง เป็นต้น)
  • โพรบการ์ด
  • อุปกรณ์วัด

คุณสมบัติ

  • แพ็กเกจ S-VSON4T ขนาดเล็ก: 1.45 มม. × 2.0 มม. (ทั่วไป), t=1.4 มม. (สูงสุด)
  • เวลาเปิดเครื่องความเร็วสูง: tON=0.25ms (สูงสุด)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

 (@Ta=25°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

TLP3476S

แพ็กเกจ

ชื่อ

S-VSON4T

ขนาด (มม.)

1.45 × 2.0 (typ.), t=1.4 (สูงสุด)

อัตราสูงสุด

สัมบูรณ์

แรงดันขั้วเอาต์พุตสถานะปิด VOFF (V)

60

กระแสสถานะเปิด ION (A)

0.4

กระแสสถานะเปิด (พัลส์) IONP (A)

1.2

อุณหภูมิในการทำงาน Topr (°C)

-40 ถึง 110

ลักษณะไฟฟ้าคู่

กระแสจุดฉนวน LED IFT (mA)

สูงสุด

3.0

ความต้านทานสถานะเปิด RON (Ω)

typ.

1.1

สูงสุด

1.5

ลักษณะไฟฟ้า

ความจุเอาต์พุต COFF (pF)

สูงสุด

20

ลักษณะการสวิชชิง

เวลาเปิด tON (ms)

@RL=200Ω,

VDD=20V,

IF=5mA

สูงสุด

0.25

เวลาปิด tOFF (ms)

0.2

ลักษณะไอโซเลชัน

แรงดันไฟฟ้าไอโซเลชัน BVS (Vrms)

ต่ำสุด

500

การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TLP3476S

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Isolators/Solid State Relays ของ Toshiba
Isolators/Solid State Relays

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TLP3476S
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านเซมิคอนดักเตอร์และโซลูชันจัดเก็บขั้นสูง โดยนำประสบการณ์และนวัตกรรมที่สั่งสมมากว่าครึ่งศตวรรษมาใช้ เพื่อมอบเซมิคอนดักเตอร์, วงจร LSI ระบบ และผลิตภัณฑ์ HDD ที่มีความโดดเด่นให้แก่ลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นในการเพิ่มคุณประโยชน์ของผลิตภัณฑ์ให้ถึงขีดสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อร่วมสร้างคุณประโยชน์และตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและเข้ามามีบทบาทเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่
ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53406085/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์
โทร: +81-44-548-2218
ติดต่อเรา

ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวตัวควบคุม LDO ไฟฟ้าแรงสูงและกระแสไฟต่ำที่ช่วยลดพลังงานสแตนด์บายของอุปกรณ์

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–23 พฤษภาคม 2023 

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัวตัวควบคุม LDO ซีรีส์ TCR1HF ที่ให้แรงดันไฟฟ้าสูง ช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตกว้าง และการใช้กระแสสแตนด์บายต่ำที่สุดในอุตสาหกรรม[1] การจัดส่งผลิตภัณฑ์สามรายการแรกในซีรีส์ใหม่ “TCR1HF18B,” “TCR1HF33B” และ “TCR1HF50B” ซึ่งมีแรงดันเอาต์พุต 1.8V, 3.3V และ 5.0V ตามลำดับ เริ่มตั้งแต่วันนี้

Toshiba: TCR1HF series, high voltage, low current consumption LDO regulators that help to lower equipment stand-by power. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: ตัวควบคุม LDO ไฟฟ้าแรงสูงและกระแสไฟต่ำซีรีส์ TCR1HF ที่ช่วยลดพลังงานสแตนด์บายของอุปกรณ์ (กราฟิก: Business Wire)

เพื่อลดการใช้พลังงานของผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์ในโหมดสแตนด์บายเมื่อใช้วงจรแหล่งจ่ายไฟกับตัวควบคุม LDO จำเป็นต้องเชื่อมต่อแหล่งจ่ายไฟโดยตรงกับตัวควบคุม LDO และลดการใช้พลังงานโดยการปิดวงจรภายใน

ผลิตภัณฑ์ใหม่รองรับช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตกว้างตั้งแต่ 4V ถึง 36V ซึ่งช่วยให้สามารถเชื่อมต่อกับแหล่งจ่ายไฟ 4V ถึง 20V ที่ใช้สำหรับ USB PD[2] และกับแหล่งจ่ายไฟ 24V

นอกจากนี้ยังมีการใช้กระแสสแตนด์บายที่ 1uA (typ.) ซึ่งต่ำที่สุดในอุตสาหกรรม[1] ช่วยให้อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สามารถทำงานสแตนด์บายได้โดยใช้พลังงานต่ำมาก การตอบสนองชั่วคราวของโหลดที่รวดเร็วที่ -60mV/+50mV (typ.) ช่วยให้มั่นใจได้ว่าแรงดันเอาต์พุตคงที่ในระหว่างที่กระแสไฟฟ้าเปลี่ยนแปลงกะทันหันเมื่อผลิตภัณฑ์เปลี่ยนจากสถานะสแตนด์บายเป็นสถานะการทำงาน

มีการออกแบบอ้างอิง “วงจรเพาเวอร์มัลติเพล็กเซอร์” โดยใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ซีรีส์ TCR1HF โดยเพิ่มผลิตภัณฑ์ที่มีฟังก์ชันหรือค่าแรงดันเอาต์พุตที่แตกต่างกันสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย

หมายเหตุ:

[1] การเปรียบเทียบกระแสสแตนด์บายกับตัวควบคุม LDO ที่มีพิกัดเดียวกัน ตามผลสำรวจของ Toshiba ในเดือนพฤษภาคม 2023

[2] USB PD(USB Power Delivery): มาตรฐานสำหรับการชาร์จเร็วที่ใช้ USB เพื่อให้กำลังไฟสูงสุดถึง 100W

การใช้งาน

  • อุปกรณ์สำหรับผู้บริโภค / ส่วนบุคคล (มือถือ, Note-PC, เครื่องใช้ภายในบ้าน ฯลฯ)
  • อุปกรณ์อุตสาหกรรม

คุณสมบัติ

  • แรงดันไฟฟ้าอินพุตช่วงกว้าง: VIN=4V ถึง 36V
  • การใช้กระแสต่ำ: IBON=1μA (typ.）
  • อัตรากระแสเอาต์พุตสูงสุด: IOUT=150mA
  • การตอบสนองชั่วคราวของโหลดอย่างรวดเร็ว: ⊿VOUT= -60mV/+50mV (typ.) (IOUT = 0 mA ⇔ 10 mA)
  • แพ็กเกจเอนกประสงค์ SOT-25 (SMV)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

หมายเลขชิ้นส่วน

TCR1HF18B

TCR1HF33B

TCR1HF50B

แพ็กเกจ

ชื่อ

SOT-25 (SMV)

ขนาดทั่วไป (มม.)

2.8 x 2.9, t=1.1

ช่วงการทำงาน

แรงดันไฟฟ้าอินพุต VIN (V)

4 ถึง 36

อุณหภูมิในการทำงาน Topr (°C)

-40 ถึง 125

คุณลักษณะ

ทางไฟฟ้า

(เว้นแต่จะระบุไว้,

Tj=25°C)

แรงดันไฟฟ้าเอาต์พุต VOUT typ. (V)

1.8

3.3

5.0

ความถูกต้องของแรงดันขาออก VOUT (%)

IOUT=10mA

±1

กระแสไฟนิ่ง IBON typ. (μA)

IOUT=0mA

1

กระแสไฟสแตนด์บาย IB(OFF1) typ. (μA)

VIN=4V

0.24

การตอบสนองชั่วคราวของโหลด

⊿VOUT

typ. (mV)

IOUT=0mA→10mA

-60

IOUT=10mA→0mA

50

เกณฑ์การปิดระบบระบายความร้อน TSDH (°C)

Tj rising

155

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TCR1HF18B
TCR1HF33B
TCR1HF50B

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับการออกแบบอ้างอิงโดยใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่
วงจรเพาเวอร์มัลติเพล็กเซอร์

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TCR1HF18B
ซื้อออนไลน์
TCR1HF33B
ซื้อออนไลน์
TCR1HF50B
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านเซมิคอนดักเตอร์และโซลูชันจัดเก็บขั้นสูง โดยนำประสบการณ์และนวัตกรรมที่สั่งสมมากว่าครึ่งศตวรรษมาใช้ เพื่อมอบเซมิคอนดักเตอร์, วงจร LSI ระบบ และผลิตภัณฑ์ HDD ที่มีความโดดเด่นให้แก่ลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นในการเพิ่มคุณประโยชน์ของผลิตภัณฑ์ให้ถึงขีดสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อร่วมสร้างคุณประโยชน์และตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและเข้ามามีบทบาทเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53404002/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-44-548-2215
ติดต่อเรา

ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation