Tag Archives: schottky

Featured, Technology

การเพิ่ม 1200V ของ Toshiba ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ไดโอด SiC Schottky Barrier รุ่นที่สามจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพสูงในอุปกรณ์ไฟฟ้าทางอุตสาหกรรม

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–25 กันยายน 2024

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เพิ่มผลิตภัณฑ์ 1200V ในซีรี่ย์ “TRSxxx120Hx ” เข้าในกลุ่มผลิตภัณฑ์ไดโอด Schottky Barrier (SBD) ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เจเนอเรชันที่ 3 (third-generation) สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า และอุปกรณ์จ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง เมื่อวันนี้ Toshiba ได้เริ่มจัดส่งผลิตภัณฑ์ใหม่ 10 รายการในซีรีส์นี้ โดย 5 รายการอยู่ในแพ็คเกจ TO-247-2L และ 5 รายการอยู่ในแพ็คเกจ TO-247

Toshiba: 1200V third-generation SiC Schottky barrier diodes. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: ไดโอด Schottky Barrier SiC รุ่นที่ 3 1200V (ภาพ: Business Wire)

TRSxxx120Hx Series ใหม่เป็นผลิตภัณฑ์ 1200V ที่ใช้โครงสร้าง Schottky (JBS) ของ Junction-barrier ที่ได้รับการปรับปรุง (improved junction-barrier Schottky (JBS) structure [1]) ของ Toshiba 650V SBD รุ่นที่สามของ Toshiba การใช้โลหะชนิดใหม่ในชั้นกั้นจุดเชื่อมต่อช่วยให้ผลิตภัณฑ์ใหม่สามารถบรรลุแรงดันไฟฟ้าขาไปต่ำ ในอุตสาหกรรม [2] ที่ 1.27V (โดยประมาณ) มีการชาร์จความจุรวมที่ต่ำ และกระแสย้อนกลับต่ำ ซึ่งช่วยลดการสูญเสียพลังงานของอุปกรณ์ได้อย่างมากในแอพพลิเคชั่นที่มีพลังงานสูงกว่า

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์อุปกรณ์ไฟฟ้า SiC ต่อไปและมุ่งเน้นการปรับปรุงประสิทธิภาพที่จะช่วยลดการสูญเสียพลังงานในอุปกรณ์ไฟฟ้าอุตสาหกรรม

หมายเหตุ:
[1] โครงสร้าง JBS ที่ได้รับการปรับปรุง: เป็นโครงสร้างที่รวมเข้ากับโครงสร้าง Merged PiN Schottky (MPS) ซึ่งลดแรงดันไฟฟ้าขาไปที่กระแสสูง อันจะเป็นการลดสนามไฟฟ้าที่บริเวณอินเทอร์เฟซของ Schottky และลดการรั่วไหลของกระแสไฟฟ้า
[2] ในกลุ่ม SBD SiC 1200V จากการสำรวจของ Toshiba ณ เดือนกันยายน 2024

การนำไปใช้งาน

• อินเวอร์เตอร์เซลล์แสงอาทิตย์

• สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า

• แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม, UPS

คุณสมบัติ

  • SiC SBD รุ่นที่สาม 1200 V
  • แรงดันไฟฟ้าขาไปต่ำที่สุดในอุตสาหกรรม[2]: VF = 1.27V (โดยประมาณ) (IF = IF(DC))
  • การชาร์จความจุรวมต่ำ: QC = 109nC (โดยประมาณ) (VR = 800V, f = 1MHz) สำหรับ TRS20H120H
  • กระแสย้อนกลับต่ำ: IR = 2.0μA (โดยประมาณ) (VR = 1200V) สำหรับ TRS20H120H

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น Ta =25°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

แพ็กเกจ

ค่าสูงสุดที่ยอมรับได้

ลักษณะทางไฟฟ้า

การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมจำหน่าย

แรงดันย้อนกลับพีคซ้ำ

VRRM

(V)

กระแสขาไปแบบกระแสตรง IF(DC) (A)

กระแสพีคขาไปที่เพิ่มขึ้นอย่างไม่ซ้ำซาก IFSM (A)

แรงดันขาไป (การวัดแบบพัลส์) VF (V)

กระแสย้อนกลับ (การวัดแบบพัลส์) IR (μA)

การชาร์จความจุรวม QC (nC)

เงื่อนไขอุณหภูมิ Tc (°C)

f=50Hz (คลื่นไซน์ครึ่งคลื่น, t=10ms), Tc=25°C

IF=IF(DC)

VR=1200V

VR=800V, f=1MHz

โดยประมาณ

โดยประมาณ

โดยประมาณ

TRS10H120H

TO-247-2L

1200

10

160

80

1.27

1.0

61

ซื้อออนไลน์

TRS15H120H

15

157

110

1.4

89

ซื้อออนไลน์

TRS20H120H

20

155

140

2.0

109

ซื้อออนไลน์

TRS30H120H

30

150

210

2.8

162

ซื้อออนไลน์

TRS40H120H

40

147

270

3.6

220

ซื้อออนไลน์

TRS10N120HB

TO-247

5 (ต่อขา)

10 (ทั้งสองขา)

160

40 (ต่อขา)

80 (ทั้งสองขา)

1.27

(ต่อขา)

0.5

(ต่อขา)

30

(ต่อขา)

ซื้อออนไลน์

TRS15N120HB

7.5 (ต่อขา)

15 (ทั้งสองขา)

157

55 (ต่อขา)

110 (ทั้งสองขา)

0.7

(ต่อขา)

43

(ต่อขา)

ซื้อออนไลน์

TRS20N120HB

10 (ต่อขา)

20 (ทั้งสองขา)

155

70 (ต่อขา)

140 (ทั้งสองขา)

1.0

(ต่อขา)

57

(ต่อขา)

ซื้อออนไลน์

TRS30N120HB

15 (ต่อขา)

30 (ทั้งสองขา)

150

105 (ต่อขา)

210 (ทั้งสองขา)

1.4

(ต่อขา)

80

(ต่อขา)

ซื้อออนไลน์

TRS40N120HB

20 (ต่อขา)

40 (ทั้งสองขา)

147

135 (ต่อขา)

270 (ทั้งสองขา)

1.8

(ต่อขา)

108

(ต่อขา)

ซื้อออนไลน์

โปรดดูลิงค์ด้านล่างเพิ่มเติมสำหรับผลิตภัณฑ์ใหม่
TRS10H120H
TRS15H120H
TRS20H120H
TRS30H120H
TRS40H120H
TRS10N120HB
TRS15N120HB
TRS20N120HB
TRS30N120HB
TRS40N120HB

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ SiC SBD ของ Toshiba
SiC Schottky Barrier Diodes
3rd generation SiC Schottky barrier diode (SBD)

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับอุปกรณ์ SiC Power ของ Toshiba
SiC Power Devices

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TRS10H120H
ซื้อออนไลน์
TRS15H120H
ซื้อออนไลน์
TRS20H120H
ซื้อออนไลน์
TRS30H120H
ซื้อออนไลน์
TRS40H120H
ซื้อออนไลน์
TRS10N120HB
ซื้อออนไลน์
TRS15N120HB
ซื้อออนไลน์
TRS20N120HB
ซื้อออนไลน์
TRS30N120HB
ซื้อออนไลน์
TRS40N120HB
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลล่าสุดในวันที่ประกาศ แต่สามารถเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซึ่งเป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านเซมิคอนดักเตอร์และโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง มีประสบการณ์และนวัตกรรมมากกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ

พนักงาน 19,400 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน บริษัทมุ่งหวังที่จะสร้างและมีส่วนสนับสนุนเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ดูเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/54126329/en

ติดต่อ

การสอบถามจากลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้าและสัญญาณขนาดเล็ก
Tel: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

การสอบถามข้อมูลจากสื่อ:
Chiaki Nagasawa
แผนกการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว SiC Schottky Barrier Diodes 650V รุ่น 3 ที่ช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพมากขึ้น

Logo

KAWASAKI, Japan–(BUSINESS WIRE)–13 กรกฎาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “ซีรีส์ TRSxxx65H” [1] ซึ่งเป็นรุ่นที่ 3 และเป็นรุ่นล่าสุดของบริษัทของซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) Schottky barrier diodes (SBD) สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม เริ่มจัดส่งผลิตภัณฑ์ 12 รายการแรกตั้งแต่วันนี้ ซึ่งทั้งหมดเป็น 650V โดยมี 7 รายการอยู่ในแพ็กเกจ TO-220-2L และ 5 รายการในแพ็กเกจ DFN8×8

Toshiba: TRSxxx65H series, 3rd generation 650V SiC Schottky barrier diodes. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: ซีรีส์ TRSxxx65H, 650V SiC Schottky barrier diodes รุ่นที่ 3 (กราฟิก: Business Wire)

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้โลหะชนิดใหม่ในชิป SiC SBD รุ่นที่ 3 ซึ่งปรับโครงสร้าง junction barrier Schottky (JBS)[2] ของผลิตภัณฑ์รุ่นที่ 2 ให้เหมาะสมที่สุด โดยมีแรงดันไปข้างหน้าต่ำระดับแนวหน้าของอุตสาหกรรม[3] ที่ 1.2V (Typ.) ต่ำกว่า 1.45V (Typ.) ของรุ่นก่อนหน้า 17% ทั้งยังปรับปรุงการแลกเปลี่ยนระหว่างแรงดันไปข้างหน้าและประจุไฟฟ้าทั้งหมด และระหว่างแรงดันไปข้างหน้าและกระแสย้อนกลับ ซึ่งช่วยลดการกระจายพลังงานและทำให้อุปกรณ์มีประสิทธิภาพสูง

หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนกรกฎาคม 2023
[2] โครงสร้าง JBS ช่วยลดสนามไฟฟ้าที่อินเทอร์เฟซ Schottky และลดกระแสรั่วไหล
[3] ผลสำรวจของ Toshiba ในเดือนกรกฎาคม 2023

การใช้งาน

  • แหล่งจ่ายไฟแบบสลับ
  • สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า
  • อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์

คุณสมบัติ

  • แรงดันไปข้างหน้าต่ำระดับอุตสาหกรรม[3] : VF＝1.2V (Typ.) (IF=IF(DC))
  • กระแสย้อนกลับต่ำ:
    TRS6E65H IR＝1.1μA (Typ.) (VR=650V)
  • ประจุตัวเก็บประจุรวมต่ำ
    TRS6E65H QC＝17nC (Typ.) (VR=400V, f=1MHz)

ข้อกำหนดหลัก

(เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น, Ta=25°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

บรรจุภัณฑ์

พิกัดสูงสุด

คุณลักษณะทางไฟฟ้า

ตัวอย่าง

การตรวจสอบและ

ความพร้อมใช้งาน

แรงดัน

ย้อนกลับ

สูงสุด

แบบซ้ำ

VRRM

(V)

กระแส

ตรง

ไปข้างหน้า

IF(DC)

(A)

กระแสไฟ

พุ่งสูง

แบบไม่ซ้ำ

IFSM

(A)

กระแส

แบบซ้ำ

(การวัด

แบบพัลส์)

VF

(V)

สูงสุด

ไปข้างหน้า

(การวัด

แบบพัลส์)

IR

(μA)

ความจุ

รวม

Ct

(pF)

ความจุ

ที่เก็บสะสม

รวม

QC

(nC)

สภาพอุณหภูมิ

Tc

(°C)

f=50Hz

(คลื่น

ครึ่งไซน์

t=10ms)

Tc=25°C

สี่เหลี่ยม

ครึ่งไซน์

t=10μs,

Tc=25°C

IF=IF(DC)

VR=650V

VR=400V, f=1MHz

ประเภท

ประเภท

ประเภท

ประเภท

TRS2E65H

TO-220-2L

650

2

164

19

120

1.2

0.2

10

6.5

ซื้อออนไลน์

TRS3E65H

3

161

28

170

0.4

14

9

ซื้อออนไลน์

TRS4E65H

4

158

36

230

0.6

17

12

ซื้อออนไลน์

TRS6E65H

6

153

41

310

1.1

24

17

ซื้อออนไลน์

TRS8E65H

8

149

56

410

1.5

31

22

ซื้อออนไลน์

TRS10E65H

10

148

62

510

2.0

38

27

ซื้อออนไลน์

TRS12E65H

12

148

74

640

2.4

46

33

ซื้อออนไลน์

TRS4V65H

DFN8×8

4

155

28

230

0.6

17

12

ซื้อออนไลน์

TRS6V65H

6

151

41

310

1.1

24

17

ซื้อออนไลน์

TRS8V65H

8

148

45

410

1.5

31

22

ซื้อออนไลน์

TRS10V65H

10

145

54

510

2.0

38

27

ซื้อออนไลน์

TRS12V65H

12

142

60

640

2.4

46

33

ซื้อออนไลน์

คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TRS2E65H
TRS3E65H
TRS4E65H
TRS6E65H
TRS8E65H
TRS10E65H
TRS12E65H
TRS4V65H
TRS6V65H
TRS8V65H
TRS10V65H
TRS12V65H

คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ Schottky Barrier Diode ที่ใช้วัสดุ SiC ของ Toshiba

 Schottky Barrier Diodes ที่ใช้วัสดุ SiC

หากต้องการตรวจสอบว่าผลิตภัณฑ์ใหม่มีจำหน่ายที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์หรือไม่ โปรดไปที่:
TRS2E65H
ซื้อออนไลน์

TRS3E65H
ซื้อออนไลน์

TRS4E65H
ซื้อออนไลน์

TRS6E65H
ซื้อออนไลน์

TRS8E65H
ซื้อออนไลน์

TRS10E65H
ซื้อออนไลน์

TRS12E65H
ซื้อออนไลน์

TRS4V65H
ซื้อออนไลน์

TRS6V65H
ซื้อออนไลน์

TRS8V65H
ซื้อออนไลน์

TRS10V65H
ซื้อออนไลน์

TRS12V65H
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แยกระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทกว่า 21,500 คนทั่วโลกต่างมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในการสร้างอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่
ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53451045/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ฝ่ายลูกค้าสัมพันธ์:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ฝ่ายสื่อมวลชนสัมพันธ์:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

 

พันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Featured, Technology

Toshiba พัฒนา SiC MOSFET พร้อมไดโอดกั้น Schottky ในตัวที่ให้ความต้านทานต่ำและมีความน่าเชื่อถือสูง

Logo

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–9 ธันวาคม 2022

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation และ Toshiba Corporation (เรียกรวมกันว่า “Toshiba”) ได้พัฒนาทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามสารกึ่งตัวนำ SiC ของโลหะออกไซด์ (MOSFET) ที่จัดเรียงไดโอดกั้น Schottky (SBD) ในตัวในรูปแบบการตรวจสอบ (รูปแบบการตรวจสอบแบบฝัง SBD) เพื่อให้เกิดทั้งความต้านทานต่ำและความน่าเชื่อถือสูง Toshiba ยืนยันว่าการออกแบบนี้ช่วยลดความต้านทาน[1] (RonA) ประมาณ 20% เมื่อเทียบกับ SiC MOSFET ในปัจจุบัน โดยไม่สูญเสียความน่าเชื่อถือ[2]

Toshiba: Schematic diagram of MOSFETs with newly developed check pattern embedded SBD-SiC MOSFET (Graphic: Business Wire)

Toshiba: แผนผังไดอะแกรมของ MOSFET พร้อมรูปแบบการตรวจสอบที่พัฒนาขึ้นใหม่ที่ฝัง SBD-SiC MOSFET (กราฟิก: Business Wire)

อุปกรณ์ไฟฟ้าเป็นส่วนประกอบที่จำเป็นสำหรับการจัดการพลังงานไฟฟ้าและลดการสูญเสียพลังงานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทุกชนิด และเพื่อให้เกิดสังคมที่มีความเป็นกลางทางคาร์บอน SiC ถูกมองว่าเป็นวัสดุรุ่นต่อไปสำหรับอุปกรณ์ เนื่องจากให้แรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่าและสูญเสียน้อยกว่าซิลิกอน ในขณะที่การใช้ SiC ในปัจจุบันจำกัดอยู่ที่อินเวอร์เตอร์สำหรับรถไฟเป็นหลัก แต่การใช้งานที่กว้างขึ้นนั้นอยู่บนขอบฟ้า ในด้านต่าง ๆ รวมถึงการใช้พลังงานไฟฟ้าของยานพาหนะและการย่อขนาดอุปกรณ์อุตสาหกรรม อย่างไรก็ตาม มีปัญหาที่ต้องจัดการก่อน เพราะการนำไฟฟ้าแบบสองขั้วในไดโอดของตัวเครื่องระหว่างการทำงานแบบย้อนกลับของ SiC MOSFET นั้นเป็นอันตรายเนื่องจากลดความต้านทานลง

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation พัฒนาโครงสร้างอุปกรณ์ที่ฝัง SBD ไว้ใน MOSFET เพื่อปิดการทำงานของไดโอดในตัวเครื่อง แต่พบว่าการแทนที่ช่องสัญญาณ MOSFET ด้วย SBD แบบฝังทำให้ความหนาแน่นของช่องสัญญาณลดลงและเพิ่ม RonA การแลกเปลี่ยนนี้ได้รับการแก้ไขด้วยโครงสร้าง SBD แบบฝังใหม่ และ Toshiba ยืนยันว่าได้ปรับปรุงคุณสมบัติด้านประสิทธิภาพแล้ว

Toshiba ได้ปรับปรุงทั้งการสูญเสียการนำไฟฟ้าใน SiC MOSFET ที่ฝัง SBD และประสบความสำเร็จในการนำไดโอดที่ดี โดยใช้การกระจาย SBD แบบตรวจสอบรูปแบบ การประเมินลักษณะกระแสด้านข้างของ MOSFET ที่ฝังตัวในคลาส SBD ขนาด 1.2kV ด้วยการออกแบบที่เหมาะสมที่สุดยืนยันว่าการใช้การออกแบบตรวจสอบเพื่อวางตำแหน่ง SBD ที่ฝังไว้ใกล้กับไดโอดของตัวเครื่องจะจำกัดการนำไฟฟ้าแบบสองขั้วของไดโอดแบบฝังได้อย่างมีประสิทธิภาพ ในขณะที่ ขีดจำกัดกระแสยูนิโพลาร์ของการนำไฟฟ้าย้อนกลับเป็นสองเท่าที่เกิดขึ้นจากการออกแบบรูปแบบ SBD แบบสไทรพ์ในปัจจุบันสำหรับการใช้พื้นที่ SBD เดียวกัน
พบว่า RonA ลดลงประมาณ 20% ที่ 2.7mΩ・cm2

การปรับปรุงที่ได้รับการยืนยันนี้ในการแลกเปลี่ยนเป็นสิ่งจำเป็นหาก SiC MOSFET จะถูกใช้ในอินเวอร์เตอร์สำหรับการใช้งานมอเตอร์ไดรฟ์ Toshiba ดำเนินการประเมินอย่างต่อเนื่องเพื่อพัฒนาคุณลักษณะด้านไดนามิกและความน่าเชื่อถือ และพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์พลังงานประสิทธิภาพสูงที่น่าดึงดูดซึ่งมีส่วนทำให้เกิดความเป็นกลางทางคาร์บอน

รายละเอียดของความสำเร็จได้รับการรายงานในการประชุมประจำปี IEEE International Electron Devices ครั้งที่ 68 ซึ่งเป็นการประชุมเซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้าระหว่างประเทศที่จัดขึ้นในซานฟรานซิสโก สหรัฐอเมริกา เมื่อวันที่ 3 ถึง 7 ธันวาคม

หมายเหตุ:

[1] On-resistance คือค่าความต้านทานระหว่างเดรนและซอร์สของ MOSFET ระหว่างการทำงาน (ON)

[2] การวิจัยของโตชิบา เมื่อเดือนพฤศจิกายน 2022

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่แจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และสตอเรจขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทจำนวน 23,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีทะลุ 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง
ดูข้อมูลเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53035265/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

สอบถามข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า:
ติดต่อเรา

สอบถามข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
K.Tanaka, S.Mihashi
กลุ่มงานสื่อสารองค์กรและข่าวกรองการตลาด
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: +81-44-548-2122
อีเมล: tdsc-publicrelations@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation