โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–19 มกราคม 2565

วันนี้ Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ได้ประกาศเปิดตัวอุปกรณ์หน่วยหน่วยความจำแฟลชแบบฝัง Universal Flash Storage (UFS) เวอร์ชั่น 3.1 ^[1]  ที่ใช้เทคโนโลยี quad-level-cell (QLC) แบบ 4 บิตต่อเซลล์สุดล้ำของบริษัท สำหรับการใช้งานที่ต้องการความหนาแน่นสูง เช่น สมาร์ทโฟนที่มีความล้ำสมัย เทคโนโลยี QLC ของ Kioxia จะช่วยให้สามารถออกแบบอุปกรณ์หน่วยความจำให้มีความหนาแน่นสูงสุดได้ในหนึ่งแพ็คเกจ

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้มีเนื้อหามัลติมีเดีย ดูอย่างเต็มรูปแบบที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220118006281/en/

Kioxia Corporation: ตัวอย่างการพิสูจน์แนวคิด (PoC) ของอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS เวอร์ชั่น 3.1 ที่มาพร้อมเทคโนโลยี Quad-level-cell (QLC) (รูปภาพ: Business Wire)

อุปกรณ์ UFS ของ Kioxia สำหรับการพิสูจน์แนวคิด (PoC) เป็นอุปกรณ์ต้นแบบความจุ 512 กิกะไบต์ ซึ่งใช้หน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D ความจุ 1 เทระบิต (128 กิกะไบต์) ของบริษัท ที่มาพร้อมเทคโนโลยี QLC และได้มีการส่งตัวอย่างให้กับลูกค้าที่รับจ้างผลิตสินค้า (OEM) แล้วตอนนี้ อุปกรณ์พิสูจน์แนวคิดได้รับการออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการด้านประสิทธิภาพและความหนาแน่นที่สูงขึ้นของแอปพลิเคชันบนมือถือซึ่งใช้ภาพที่มีความละเอียดสูงขึ้น เครือข่าย 5G วิดีโอระดับ 4K ขึ้นไป และอื่น ๆ

หมายเหตุ
[1] Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่สินค้าสำหรับประเภทของผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังที่พัฒนาขึ้นตามข้อกำหนดมาตรฐาน JEDEC UFS โดย UFS ใช้อินเตอร์เฟสแบบอนุกรมซึ่งมีข้อดีที่เป็นการสื่อสารแบบสองทาง (full duplex) ที่เกิดขึ้นพร้อมกันต่อเนื่อง ทำให้อุปกรณ์ที่เป็นโอสต์สามารถอ่านและเขียนข้อมูลได้พร้อมกัน

อุปกรณ์ตัวอย่างเป็นอุปกรณ์ POC ซึ่งอยู่ระหว่างการพัฒนา และมีข้อจำกัดด้านคุณสมบัติบางประการ และข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ในการกล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia ทุกครั้ง: การระบุความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่จำนวนความจุหน่วยความจำที่มีสำหรับการจัดเก็บข้อมูลโดยผู้ใช้ ความจุที่ใช้งานได้ของผู้บริโภคจะลดลงเนื่องจากพื้นที่ของ overhead data การจัดรูปแบบฟอร์แมต บล็อกที่เสียหาย และข้อจำกัดอื่น ๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และการใช้งาน สำหรับรายละเอียด โปรดอ้างอิงข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำที่อุทิศตนเพื่อการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2560 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นจุดเริ่มต้นของ Kioxia ได้แยกออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 2530 โดยบริษัทถือเป็นผู้บุกเบิกโซลูชันและบริการหน่วยความจำที่ล้ำสมัยซึ่งเพิ่มคุณภาพชีวิตของผู้คนและขยายขอบเขตทางสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D แบบใหม่ของ Kioxia หรือที่เรียกว่า BiCS FLASH ™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูงซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ศูนย์ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล

*ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อนั้นถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20220118006281/en/

ติดต่อ:

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า:
Kioxia Corporation
ฝ่ายขายและการตลาดผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ
โทร: +81-3-6478-2423
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย