Tag Archives: mosfet

Featured, Technology

Toshiba เริ่มจัดส่งตัวอย่างขั้นทดสอบของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) 1200V แบบดายเปลือยที่มีความต้านทานขณะทำงานต่ำและมีความเสถียรสูงสำหรับใช้ในอินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–12 พฤศจิกายน 2024

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (หรือ Toshiba) ได้พัฒนา “X5M007E120” ซึ่งเป็น MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) 1200V แบบดายเปลือย[1] สำหรับอินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์ [2] พร้อมโครงสร้างที่เป็นนวัตกรรมใหม่ที่ให้ความต้านทานขณะทำงานต่ำและให้ความเสถียรสูง โดยได้มีการจัดส่งตัวอย่างขั้นทดสอบเพื่อให้ลูกค้าประเมินแล้วในขณะนี้

Toshiba: X5M007E120, a bare die 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET for automotive traction inverters with an innovative structure that deliver both low On-resistance and high reliability. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: X5M007E120 ซึ่งเป็น MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) 1200V แบบดายเปลือยสำหรับอินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์ พร้อมโครงสร้างที่เป็นนวัตกรรมใหม่ที่ให้ความต้านทานขณะทำงานต่ำและให้ความเสถียรสูง (กราฟิก: Business Wire)

ความเสถียรของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์แบบทั่วไปจะลดลงในกรณีที่ความต้านทานขณะทำงานเพิ่มขึ้นเมื่อไดโอดของตัวอุปกรณ์ได้รับพลังงานแบบไบโพลาร์[3] ระหว่างการทำงานแบบนำกระแสไฟฟ้าย้อนกลับ[4] ซึ่ง MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ของ Toshiba ลดปัญหานี้ด้วยโครงสร้างอุปกรณ์ที่ฝังไดโอดแบริเออร์ Schottky (SBD) ลงใน MOSFET เพื่อปิดการทำงานไดโอดของตัวอุปกรณ์ แต่การวางตำแหน่ง SBD บนชิปจะลดพื้นที่สำหรับช่องกระแสไฟฟ้าที่จะกำหนดความต้านทานของ MOSFET ขณะนำกระแสไฟฟ้า และเพิ่มความต้านทานขณะทำงานของชิป

SBD ที่ฝังอยู่ใน X5M007E120 จะถูกจัดเรียงในรูปแบบร่องสลับแทนการจัดเรียงรูปแบบแถบที่มักจะใช้โดยทั่วไป ซึ่งการจัดวางลักษณะนี้ช่วยลดการให้พลังงานไดโอดตัวอุปกรณ์แบบไบโพลาร์ได้อย่างมีประสิทธิภาพ ในขณะเดียวกันก็จะเพิ่มขีดจำกัดสูงสุดของการทำงานแบบยูนิโพลาร์เป็นสองเท่าของพื้นที่ปัจจุบันโดยประมาณ แม้ว่าจะกินพื้นที่ติดตั้ง SBD เดียวกันก็ตาม[5] นอกจากนี้ความหนาแน่นของช่องกระแสไฟฟ้ายังเพิ่มขึ้นเมื่อเทียบกับการจัดเรียงแบบแถบ ส่วนความต้านทานขณะนำงานต่อพื้นที่หน่วยจะลดลง 20% ถึง 30% โดยประมาณ[5] ประสิทธิภาพที่ดีขึ้นพร้อมกับความต้านทานขณะทำงานต่ำในขณะที่ยังคงรักษาความเสถียรในกรณีที่มีการทำงานแบบนำกระแสไฟฟ้าย้อนกลับจะช่วยให้อินเวอร์เตอร์ที่ใช้ในการควบคุมมอเตอร์ (เช่น อินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์) ใช้พลังงานน้อยลง

การลดความต้านทานขณะทำงานของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์จะส่งผลให้กระแสไฟฟ้าส่วนเกินไหลผ่าน MOSFET ขณะไฟฟ้าลัดวงจร[6] ซึ่งจะลดความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร การเพิ่มการนำกระแสไฟฟ้าของ SBD ที่ฝังเพื่อเพิ่มความเสถียรเมื่อมีการทำงานแบบนำกระแสไฟฟ้าย้อนกลับยังส่งผลให้มีกระแสไฟฟ้ารั่วไหลเพิ่มขึ้นขณะไฟฟ้าลัดวงจรด้วย ซึ่งแน่นอนว่าเป็นการลดความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร ดายเปลือยแบบใหม่นี้มีโครงสร้างแบริเออร์แบบลึก[7]  ที่ช่วยลดกระแสไฟฟ้าส่วนเกินใน MOSFET และกระแสไฟฟ้ารั่วไหลใน SBD ในระหว่างไฟฟ้าลัดวงจร ช่วยเพิ่มความทนทานในขณะที่ยังคงรักษาความเสถียรในกรณีที่มีการทำงานแบบนำกระแสไฟฟ้าย้อนกลับได้อย่างยอดเยี่ยม

ผู้ใช้สามารถปรับแต่งดายเปลือยให้ตรงกับความต้องการด้านการออกแบบของตนโดยเฉพาะและนำโซลูชันไปปรับใช้ตามจุดมุ่งหมายของตนได้

Toshiba คาดการณ์ว่าจะจัดส่งตัวอย่างทางวิศวกรรมของ X5M007E120 ในปี 2025 และจะเริ่มการผลิตจำนวนมากในปี 2026 โดยในระหว่างนี้ บริษัทจะสำรวจความเป็นไปได้ในการปรับปรุงลักษณะเฉพาะของอุปกรณ์เพิ่มเติม

Toshiba จะร่วมสร้างสังคมปลอดคาร์บอนด้วยการมอบเซมิคอนดักเตอร์กำลังที่ใช้งานง่ายและมีประสิทธิภาพสูงยิ่งขึ้นแก่ลูกค้าในส่วนงานที่มุ่งเน้นประสิทธิภาพในการใช้พลังงานเป็นสำคัญ เช่น อินเวอร์เตอร์สำหรับควบคุมมอเตอร์ และระบบควบคุมกำลังไฟฟ้าสำหรับรถยนต์ไฟฟ้า

หมายเหตุ:
[1] ผลิตภัณฑ์ชิปแบบไม่มีบรรจุภัณฑ์
[2] อุปกรณ์ที่แปลงไฟฟ้ากระแสตรงที่ได้มาจากแบตเตอรี่เป็นไฟฟ้ากระแสสลับ และควบคุมมอเตอร์ต่างๆ ในรถยนต์ไฟฟ้า (EV) หรือรถยนต์ไฮบริด (HEV)
[3] การทำงานแบบไบโพลาร์เมื่อมีการใช้แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้ากับไดโอด pn ระหว่างเดรนและซอร์ส
[4] การทำงานที่กระแสไฟฟ้าไหลจากซอร์สไปยังเดรนของ MOSFET เนื่องจากกระแสไฟฟ้าในวงจรไหลย้อน
[5] เปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ของ Toshiba ที่ใช้การจัดเรียงรูปแบบแถบ
[6] ปรากฏการณ์ที่เกิดการนำกระแสไฟฟ้าระยะยาวในโหมดที่ไม่ปกติ เช่น เมื่อวงจรควบคุมขัดข้อง เทียบกับการนำกระแสไฟฟ้าระยะสั้นระหว่างการทำงานเปิดปิดสวิตช์ตามปกติ ซึ่งจำเป็นต้องมีความทนทานที่สามารถทนต่อการทำงานในกรณีที่ไฟฟ้าลัดวงจรติดต่อกันระยะเวลาหนึ่งโดยไม่ล้มเหลว
[7] องค์ประกอบของโครงสร้างอุปกรณ์ที่มีไว้ควบคุมสนามไฟฟ้าแรงสูงที่เกิดขึ้นเนื่องจากไฟฟ้ามีแรงดันสูง ซึ่งเป็นส่วนที่มีผลเป็นอย่างมากต่อประสิทธิภาพของอุปกรณ์

การใช้งาน

  • อินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์

คุณสมบัติ

  • มีความต้านทานขณะทำงานต่ำและมีความเสถียรสูง
  • ดายเปลือยสำหรับยานยนต์
  • ผ่านการรับรอง AEC-Q100
  • พิกัดแรงดันไฟฟ้าระหว่างเดรนและซอร์ส: VDSS=1200V
  • พิกัดกระแสไฟฟ้า (กระแสตรง) ที่เดรน: ID=(229)A[8]
  • ความต้านทานขณะทำงานต่ำ:
    RDS(ON)=7.2mΩ (ปกติ) (VGS=+18V, Ta=25°C)
    RDS(ON)=12.1mΩ (ปกติ) (VGS=+18V, Ta=175°C)

หมายเหตุ
[8] ค่าโดยประมาณ

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(Ta=25°C, เว้นแต่จะระบุเป็นอย่างอื่น)

หมายเลขชิ้นส่วน

X5M007E120

บรรจุภัณฑ์

ชื่อบรรจุภัณฑ์ของ Toshiba

2-7Q1A

ขนาด (มม.)

ปกติ

6.0×7.0

พิกัด

สูงสุด

สัมบูรณ์

แรงดันไฟฟ้าระหว่างเดรนและซอร์ส VDSS (V)

1200

แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและซอร์ส VGSS (V)

+25/-10

กระแสไฟฟ้าที่เดรน (กระแสตรง) ID (A)

(229)[8]

กระแสไฟฟ้าที่เดรน (พัลส์) ID พัลส์ (A)

(458)[8]

อุณหภูมิช่องกระแสไฟฟ้า Tch (°C)

175

ค่า

ทางไฟฟ้า

แรงดันขีดเริ่มที่เกต

Vth (V)

VDS =10V,

ID=16.8mA

ปกติ

4.0

ความต้านทานขณะทำงาน

ระหว่างเดรนและซอร์ส

RDS(on) (mΩ)

ID=50A,

VGS =+18V

ปกติ

7.2

ID=50A,

VGS =+18V,

Ta=175°C

ปกติ

12.1

แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า

VSD (V)

ISD=50A,

VGS =-5V

ปกติ

-1.21

แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า

VSD (V)

ISD=50A,

VGS=-5V,

Ta=175°C

ปกติ

-1.40

ความต้านทานที่เกตภายใน

rg (Ω)

เดรนเปิด,

f=1MHz

ปกติ

3.0

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ X5M007E120 ในข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับเต็มได้ที่ลิงก์ด้านล่าง
Toshiba เริ่มจัดส่งตัวอย่างขั้นทดสอบของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) 1200V แบบดายเปลือยที่มีความต้านทานขณะทำงานต่ำและมีความเสถียรสูงสำหรับใช้ในอินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับอุปกรณ์กำลังไฟฟ้าซิลิคอนคาร์ไบด์ของ Toshiba ได้ที่ลิงก์ด้านล่าง
อุปกรณ์กำลังไฟฟ้าซิลิคอนคาร์ไบด์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ
* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ซึ่งรวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อเป็นข้อมูลล่าสุด ณ วันที่ประกาศ แต่สามารถเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซึ่งเป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านเซมิคอนดักเตอร์และโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ได้นำนวัตกรรมและประสบการณ์ที่สั่งสมมานานกว่าครึ่งศตวรรษมาใช้เพื่อมอบเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน, LSI ของระบบ และผลิตภัณฑ์ฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์ที่มีประสิทธิภาพโดดเด่นแก่ลูกค้าและพาร์ทเนอร์ธุรกิจ

พนักงานที่มีอยู่ทั่วโลกกว่า 19,400 ชีวิตล้วนมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ที่อยู่ในระดับสูงสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกับลูกค้าอย่างใกล้ชิดเพื่อร่วมกันสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ๆ บริษัทมุ่งหวังที่จะสร้างและมีส่วนร่วมสร้างอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนแห่ง

เรียนรู้เพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/54145871/en

ข้อมูลติดต่อ

สำหรับลูกค้าที่ต้องการสอบถามข้อมูล
Power & Small Signal Device Sales & Marketing Dept.I
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

สำหรับสื่อที่ต้องการสอบถามข้อมูล
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Dept.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

.

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว MOSFET แบบเดรนร่วม ชนิด N-Channel กำลังไฟ 30 โวลต์ ที่เหมาะสำหรับอุปกรณ์ที่เชื่อมต่อด้วย USB และการปกป้องชุดแบตเตอรี่

Logo

KAWASAKI, Japan–(BUSINESS WIRE)–7 พฤศจิกายน 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “SSM10N961L” MOSFET แบบเดรนร่วม ชนิด N-channel กำลังไฟ 30 โวลต์ ซึ่งมีค่าความต้านทานในสถานะเปิดต่ำ ที่เหมาะสำหรับอุปกรณ์ที่เชื่อมต่อด้วย USB และการปกป้องชุดแบตเตอรี่ เริ่มการจัดส่งแล้ววันนี้

Toshiba: SSM10N961L, a 30V N-channel common-drain MOSFET in a new, small, thin package. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: SSM10N961L, MOSFET แบบเดรนร่วม ชนิด N-channel กำลังไฟ 30V ในแพ็กเกจใหม่ ขนาดเล็กและบาง (กราฟฟิก: Business Wire)

ในช่วงที่ผ่านมา อุปกรณ์ MOSFET แบบเดรนร่วม ชนิด N-channel ของ Toshiba เน้นสำหรับผลิตภัณฑ์ที่มีกำลังไฟ 12 โวลต์ ซึ่งส่วนใหญ่มีไว้เพื่อใช้ในการปกป้องชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออนของสมาร์ทโฟน การเปิดตัวของผลิตภัณฑ์กำลังไฟ 30 โวลต์นี้ได้คำนึงถึงการเลือกใช้กับอุปกรณ์ที่ขยายกว้างขึ้นซึ่งต้องการกำลังไฟมากกว่า 12 โวลต์ เช่น โหลดสวิตชิ่งสายไฟสำหรับอุปกรณ์ที่ชาร์จไฟด้วย USB และการปกป้องชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออนในเครื่องคอมพิวเตอร์แล็ปท็อป และแท็บเล็ต

ด้วยความตระหนักถึงสวิตช์แบบสองทิศทางซึ่งมีค่าความต้านทานในสถานะเปิด (RDS(ON)) ระหว่าง drain-source ต่ำ ซึ่งจะต้องใช้ MOSFET อย่างน้อยสองตัว ไม่ว่าจะเป็นขนาด 3.3×3.3 มม. หรือ 2×2 มม. ที่มีค่า RDS(ON)  ต่ำ ผลิตภัณฑ์ใหม่ของ Toshiba ใช้แพ็กเกจใหม่ TCSPAG-341​501 (ขนาด 3.37 มม. ​× 1.47 มม. (typ.), t=0.11 มม. (typ.)) ซึ่งมีขนาดเล็กและบาง ทั้งยังมีคุณสมบัติค่าความต้านทานในสถานะเปิด (RSS(ON)) ของ source-source ต่ำ ที่ 9.9mΩ (typ.) ในรูปแบบเดรนร่วมที่รวมในแพ็กเกจเดียว

เทคโนโลยีสายชาร์จเร็ว (USB Power Delivery – USB PD) ซึ่งรองรับกำลังไฟในช่วงตั้งแต่ 15 วัตต์ (5V / 3A) ถึงกำลังไฟสูงสุดที่ 240 วัตต์ (48V / 5A) ได้รับการพัฒนาขึ้นเพื่ออุปกรณ์ที่ต้องการแหล่งจ่ายไฟที่สูง โดยสายชาร์จ USB PD กำหนดฟังก์ชันการสลับหน้าที่สำหรับการสลับเปลี่ยนแหล่งจ่ายและรับไฟ และต้องใช้อุปกรณ์ที่มีสายชาร์จ USB ที่รองรับการจ่ายไฟแบบสองทิศทาง เพื่อให้สามารถจ่ายและรับไฟได้ทั้งสองด้าน ซึ่งผลิตภัณฑ์ MOSFET ใหม่แบบเดรนร่วมชนิด N-channel นี้รองรับการจ่ายไฟแบบสองทิศทางและใช้พื้นที่เพียงเล็กน้อย

เมื่อใช้รวมกับผลิตภัณฑ์ที่มีวงจรไดรเวอร์ในกลุ่ม TCK42xG series ของ Toshiba จะกลายเป็นวงจรสวิตช์ไฟฟ้าที่มีฟังก์ชันป้องกันการไหลย้อนกลับ หรือวงจรไฟฟ้ามัลติเพล็กซ์เซอร์ ซึ่งสามารถสลับการทำงานระหว่างสวิตช์แบบ Make-Before-Break (MBB) และ Break-Before-Make (BBM) ได้ และในวันนี้ Toshiba ได้เปิดตัว ดีไซน์อ้างอิงสำหรับวงจรไฟฟ้ามัลติเพล็กซ์เซอร์ (โดยใช้ MOSET แบบเดรนร่วม) จากการผสมผสามผลิตภัณฑ์นี้ ในการใช้ดีไซน์อ้างอิงนี้จะช่วยให้สามารถลดเวลาในการออกแบบและการพัฒนาผลิตภัณฑ์ได้

Toshiba จะดำเนินการขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์และพัฒนาคุณลักษณะต่าง ๆ ให้ดียิ่งขึ้นเพื่อเพิ่มความยืดหยุ่นด้านการออกแบบ

การใช้งานกับอุปกรณ์

  • สมาร์ทโฟน
  • เครื่องคอมพิวเตอร์แล็ปท็อป
  • แท็บเล็ต และอื่น ๆ

คุณสมบัติ

  • ค่าพิกัดแรงดันไฟฟ้าสูง: VSSS=30V
  • ค่าความต้านทานในสถานะเปิดต่ำ: RSS(ON)=9.9mΩ (typ.) (VGS=10V)
  • โครงสร้างการเชื่อมต่อแบบเดรนร่วมสำหรับการนำไฟฟ้าสองทิศทาง
  • แพ็กเกจ TCSPAG-341501 ขนาดเล็กและบาง: 3.37 มม. × 1.47 มม. (typ.), t=0.11มม. (typ.)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(หากไม่มีการระบุไว้, Ta=25°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

SSM10N961L

ลักษณะขั้ว

N-channel×2

การเชื่อมต่อภายใน

เดรนร่วม

อันดับแรงดันไฟฟ้า

สูงสุด

สัมบูรณ์

แรงดันไฟฟ้า Source-source VSSS (V)

30

แรงดันไฟฟ้า Gate-source VGSS (V)

±20

แหล่งกำลังไฟฟ้า (DC) IS (A)[1]

9.0

แหล่งกำลังไฟฟ้า (DC) IS (A)[2]

14.0

คุณลักษณะ

ทางไฟฟ้า

แรงดันไฟฟ้าเบรกดาวน์ Source-source       V(BR)SSS (V)

VGS＝0V

min

30

ความต้านทานในสถานะเปิดของ Source–source RSS(ON) (mΩ)

VGS＝10V

typ.

9.9

VGS＝4.5V

typ.

13.6

แพ็กเกจ

ชื่อ

TCSPAG-341501

ขนาด (มม.)

typ.

3.37×1.47, t=0.11

ดูตัวอย่างและตรวจสอบสินค้า

สั่งซื้อออนไลน์

หมายเหตุ:
[1] อุปกรณ์ติดตั้งบนแผ่นลามิเนตใยแก้ว FR4 ขนาด 25 มม. × 27.5 มม., t=1.6 มม., Cu Pad: 18µm, 407 มม.2
[2] อุปกรณ์ติดตั้งบนแผ่นลามิเนตใยแก้ว FR4 ขนาด 25 มม. × 27.5 มม., t=1.6 มม., Cu Pad: 70µm, 687.5 มม.2

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่ โปรดเข้าไปที่ลิงก์ด้านล่างนี้
SSM10N961L

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba โปรดเข้าไปที่ลิงก์ด้านล่างนี้
MOSFETs

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับข้อเสนอด้านโซลูชันของ Toshiba โดยใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่ โปรดเข้าไปที่ลิงก์ด้านล่างนี้  
การใช้งานกับอุปกรณ์
สมาร์ทวอทช์
Action Camera
อุปกรณ์แท็บเล็ต

หากต้องการตรวจสอบสถานะของผลิตภัณฑ์ใหม่จากตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
SSM10N961L
สั่งซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ ข้อมูลด้านการบริการและการติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบันตามวันที่ของประกาศนี้ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นบริษัทผู้จัดหาโซลูชันชั้นนำในด้านเซมิคอนดักเตอร์และพื้นที่ในการจัดเก็บ ซึ่งนำเสนอประสบการณ์และนวัตกรรมด้านเซมิคอนดักเตอร์ชนิดแยกชิ้น ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจมากกว่าครึ่งศตวรรษ

พนักงานของบริษัทกว่า 21,500 รายทั่วโลกมีความมุ่งมั่นในการเพิ่มคุณค่าให้กับผลิตภัณฑ์สูงสุด และส่งเสริมการร่วมมือกับลูกค้าอย่างใกล้ชิดในการร่วมสร้างสรรค์คุณค่าและตลาดใหม่ ด้วยยอดขายต่อปีที่เฉียด 8 แสนล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation มุ่งหน้าในการสร้างและสนับสนุนอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับผู้คนทุกหนแห่ง
ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่:

https://www.businesswire.com/news/home/53738996/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ข้อมูลติดต่อ

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:
Small Signal Device Sales & Marketing Dept.
Tel: +81-44-548-2215
ติดต่อเรา

สอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Dept.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งข้อมูล: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation


Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว SiC MOSFET รุ่นที่ 3 สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรมพร้อมแพ็กเกจสี่พินที่ช่วยลดการสูญเสียเมื่อเปิดปิด

Logo

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–31 สิงหาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) ได้เปิดตัว MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) “ซีรีส์ TWxxxZxxxC” ที่ใช้แพ็กเกจ TO-247-4L(X) สี่พินที่ช่วยลดการสูญเสียเมื่อเปิดปิดด้วย[1 ] ชิป SiC MOSFET รุ่นที่ 3 สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรม การจัดส่งผลิตภัณฑ์สิบรายการจะเริ่มตั้งแต่วันนี้ โดยห้ารายการที่มีระดับ 650V และห้ารายการที่มีระดับ 1200V

Toshiba: 3rd generation SiC MOSFETs for industrial equipment with four-pin package that reduces switching loss. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: SiC MOSFET รุ่นที่ 3 สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรมพร้อมแพ็กเกจสี่พินที่ช่วยลดการสูญเสียเมื่อเปิดปิด (กราฟิก: Business Wire)

ผลิตภัณฑ์ใหม่คือ ผลิตภัณฑ์แรกในกลุ่มผลิตภัณฑ์ SiC MOSFET ของโตชิบาที่ใช้แพ็กเกจ TO-247-4L(X) สี่พิน ซึ่งช่วยให้สามารถเชื่อมต่อแบบเคลวินของขั้วต่อแหล่งสัญญาณสำหรับไดรฟ์เกต แพ็กเกจสามารถลดผลกระทบของการเหนี่ยวนำสายไฟภายในแพ็กเกจ ปรับปรุงประสิทธิภาพการเปิดปิดความเร็วสูง สำหรับ TW045Z120C ใหม่ การสูญเสียเมื่อเปิดเครื่องจะลดลงประมาณ 40% และการสูญเสียเมื่อปิดเครื่องจะลดลงประมาณ 34%[2] เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ปัจจุบันของ Toshiba ซึ่งคือ TW045N120C ในแพ็กเกจ TO-247 สามพิน ซึ่งจะช่วยลดการสูญเสียพลังงานของเครื่องจักร

การออกแบบอ้างอิงสำหรับอินเวอร์เตอร์สามเฟสที่ใช้ SiC MOSFETs ถูกเผยแพร่ทางออนไลน์

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ของตนต่อไปเพื่อตอบสนองแนวโน้มของตลาด และมีส่วนช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของเครื่องจักรและขยายกำลังการผลิตไฟฟ้า

หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนสิงหาคม 2023
[2] ณ เดือนสิงหาคม 2023 ค่าที่วัดโดย Toshiba (เงื่อนไขการทดสอบ: VDD=800V, VGG=+18V/0V, ID=20A, RG=4.7Ω, L=100μH, Ta=25°C)

การใช้งาน

  • การสลับแหล่งจ่ายไฟ (เซิร์ฟเวอร์ ศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์สื่อสาร ฯลฯ)
  • สถานีชาร์จ EV
  • อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์
  • เครื่องสำรองไฟ (UPS)

คุณสมบัติ

  • แพ็กเกจสี่พิน TO-247-4L(X):
    การสูญเสียเมื่อเปิดปิดจะลดลงโดยการเชื่อมต่อแบบเคลวินของขั้วต่อแหล่งสัญญาณสำหรับไดรฟ์เกต
  • SiC MOSFET รุ่นที่ 3
  • ค่าความต้านทานจากแหล่งเดรนต่ำ x ค่าประจุเกต-เดรน
  • แรงดันไปข้างหน้าของไดโอดต่ำ: VDSF=-1.35V (typ.) (VGS=-5V)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(Ta=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเลขชิ้นส่วน

แพ็กเกจ

ระดับกระแสไฟสูงสุดโดยสัมบูรณ์

คุณลักษณะทางไฟฟ้า

การตรวจสอบตัวอย่าง

และ

ความพร้อม

ค่าความต้านทาน

จาก

จากเกต

VDSS

(V)

ค่าประจุ

จาก

จากเกต

VGSS

(V)

กระแส

เดรน

(DC)

ID

(A)

ค่าความต้านทาน

จาก

แหล่ง

เดรน

RDS(ON)

(mΩ)

แรงดันไฟฟ้า

เทรชโฮลด์

จากเกต

Vth

(V)

ค่าประจุ

เกต

รวม

Qg

(nC)

ค่าประจุ

เกต-

รวม

Qgd

(nC)

อินพุต

ความจุ

Ciss

(pF)

แรงดัน

ไปข้างหน้า

จากเกต

VDSF

(V)

Tc=25°C

VGS=18V

VDS=10V

VGS=18V

VGS=18V

typ.

ทดสอบ

สภาพ

VDS

(V)

VGS=-5V

typ.

typ.

typ.

typ.

TW015Z120C

TO-247-4L(X)

1200

-10 ถึง 25

100

15

3.0 ถึง 5.0

158

23

6000

800

-1.35

ซื้อออนไลน์

TW030Z120C

60

30

82

13

2925

ซื้อออนไลน์

TW045Z120C

40

45

57

8.9

1969

ซื้อออนไลน์

TW060Z120C

36

60

46

7.8

1530

ซื้อออนไลน์

TW140Z120C

20

140

24

4.2

691

ซื้อออนไลน์

TW015Z65C

650

100

15

128

19

4850

400

ซื้อออนไลน์

TW027Z65C

58

27

65

10

2288

ซื้อออนไลน์

TW048Z65C

40

48

41

6.2

1362

ซื้อออนไลน์

TW083Z65C

30

83

28

3.9

873

ซื้อออนไลน์

TW107Z65C

20

107

21

2.3

600

ซื้อออนไลน์

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TW015Z120C
TW030Z120C
TW045Z120C
TW060Z120C
TW140Z120C
TW015Z65C
TW027Z65C
TW048Z65C
TW083Z65C
TW107Z65C

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFET

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับข้อเสนอโซลูชันของ Toshiba

การใช้งาน
เซิร์ฟเวอร์
เครื่องสำรองไฟ
ไฟ LED

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TW015Z120C
ซื้อออนไลน์

TW030Z120C

ซื้อออนไลน์

TW045Z120C
ซื้อออนไลน์

TW060Z120C
ซื้อออนไลน์

TW140Z120C
ซื้อออนไลน์

TW015Z65C
ซื้อออนไลน์

TW027Z65C
ซื้อออนไลน์

TW048Z65C
ซื้อออนไลน์

TW083Z65C
ซื้อออนไลน์

TW107Z65C
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บขั้นสูง ที่ประยุกต์ใช้ประสบการณ์กว่าครึ่งศตวรรษและนวัตกรรมในการนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ชนิดแยกชิ้น ผลิตภัณฑ์ระบบ LSI และ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation คาดหวังที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีขึ้นเพื่อทุกคนทั่วโลก โดยมียอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ)
ดูข้อมูลเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53546551/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

รายชื่อติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation


Featured, Technology

Toshiba พัฒนาโมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) แบบคู่ 2200V ตัวแรกของอุตสาหกรรมที่ช่วยลดขนาดและเพิ่มประสิทธิภาพของเครื่องจักรอุตสาหกรรม

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–29 สิงหาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้พัฒนา “MG250YD2YMS3” ซึ่งเป็นโมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) แบบคู่ 2200V ตัวแรกของอุตสาหกรรม[1] สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรม โมดูลใหม่นี้มีระดับกระแสไฟเดรน (DC) ที่ 250A และใช้ชิป SiC MOSFET รุ่นที่สามของบริษัท เหมาะสำหรับการใช้งานที่ใช้ DC1500V เช่น ระบบพลังงานแสงอาทิตย์และระบบกักเก็บพลังงาน โดยจะเริ่มทำการจัดส่งเครื่องตั้งแต่วันนี้

Toshiba: MG250YD2YMS3, the industry's first 2200V dual silicon carbide(SiC) MOSFET module. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: MG250YD2YMS3 โมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) แบบคู่ 2200V ตัวแรกในอุตสาหกรรม (กราฟิก: Business Wire)

การใช้งานทางอุตสาหกรรมดังที่กล่าวข้างต้นโดยทั่วไปจะใช้ไฟ DC1000V หรือต่ำกว่า และอุปกรณ์จ่ายไฟส่วนใหญ่เป็นผลิตภัณฑ์ 1200V หรือ 1700V อย่างไรก็ตาม เนื่องจากคาดว่าจะมีการใช้งาน DC1500V อย่างแพร่หลายในอีกไม่กี่ปีข้างหน้า Toshiba จึงได้เปิดตัวผลิตภัณฑ์ 2200V ตัวแรกของอุตสาหกรรมออกมา

MG250YD2YMS3 มีการสูญเสียการนำไฟฟ้าต่ำโดยมีแรงดันไฟฟ้า (sense) จากแหล่งเดรนต่ำที่ 0.7V (typ.)[2] นอกจากนี้ยังมีการสูญเสียเมื่อเปิดและปิดที่ต่ำกว่าที่ 14mJ (typ.)[3] และ 11mJ (typ.)[3] ตามลำดับ ซึ่งลดลงประมาณ 90%[4] เมื่อเทียบกับ IGBT ซิลิคอน (Si) ทั่วไป คุณลักษณะเหล่านี้ส่งผลให้เครื่องจักรมีประสิทธิภาพสูงขึ้น การสูญเสียเมื่อเปิดปิดที่ต่ำยังทำให้วงจรสามระดับแบบเดิมถูกแทนที่ด้วยวงจรสองระดับที่มีจำนวนโมดูลต่ำกว่า ซึ่งมีส่วนทำให้เครื่องจักรมีขนาดเล็กลง

Toshiba จะยังคงตอบสนองความต้องการของตลาดในด้านประสิทธิภาพสูงและการลดขนาดเครื่องจักรอุตสาหกรรมต่อไป

หมายเหตุ:
[1] ในบรรดาโมดูล SiC MOSFET แบบคู่ จากการสำรวจของ Toshiba ณ เดือนสิงหาคม 2023
[2] เงื่อนไขการทดสอบคือ ID=250A, VGS=+20V, Tch=25°C
[3] เงื่อนไขการทดสอบคือ VDD=1100V, ID=250A, Tch=150°C
[4] การเปรียบเทียบการสูญเสียเมื่อเปิดปิดของ Toshiba สำหรับโมดูล Si 2300V และ MG250YD2YMS3 ซึ่งเป็นโมดูล SiC MOSFET ใหม่ทั้งหมด ณ เดือนสิงหาคม 2023 (ค่าประสิทธิภาพสำหรับโมดูล Si 2300V เป็นการประมาณการของ Toshiba โดยอ้างอิงจากเอกสารที่เผยแพร่ในหรือก่อนเดือนมีนาคม 2023)

การใช้งาน

เครื่องจักรอุตสาหกรรม

– ระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานทดแทน (ระบบพลังงานแสงอาทิตย์ ฯลฯ)

– ระบบกักเก็บพลังงาน

– อุปกรณ์ควบคุมมอเตอร์สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรม

– ตัวแปลง DC-DC ความถี่สูง ฯลฯ

คุณสมบัติ

  • แรงดันไฟฟ้า (sense) จากแหล่งเดรนต่ำคือ
  • DS(on)sense=0.7V (typ.) (ID=250A, VGS=+20V, Tch=25°C)
  • การสูญเสียเมื่อเปิดต่ำคือ

Eon=14mJ (typ.) (VDD=1100V, ID=250A, Tch=150°C)

  • การสูญเสียเมื่อปิดต่ำคือ

Eoff=11mJ (typ.) (VDD=1100V, ID=250A, Tch=150°C)

  • ความเหนี่ยวนำลัดวงจรต่ำคือ

LsPN=12nH (typ.)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(Tc=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเลขชิ้นส่วน

MG250YD2YMS3

ชื่อแพ็คเกจของ Toshiba

2-153A1A

ระดับกระแสไฟสูงสุดโดยสัมบูรณ์

แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งเดรนต่ำ VDSS (V)

2200

แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งเกท VGSS (V)

+25 / -10

กระแสเดรน (DC) ID (A)

250

กระแสเดรน (พัลส์) IDP (A)

500

อุณหภูมิช่อง Tch (°C)

150

แรงดันไฟฟ้าแยก Visol (Vrms)

4000

คุณลักษณะทางไฟฟ้า

แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งเดรน (sense)

VDS(on)sense (V)

ID=250A, VGS=+20V,

Tch＝25°C

typ.

0.7

แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งเดรนเมื่อเปิด (sense)

VSD(on)sense (V)

IS=250A, VGS=+20V,

Tch＝25°C

typ.

0.7

แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งเดรนเมื่อปิด (sense)

VSD(off)sense (V)

IS＝250A, VGS=-6V,

Tch＝25°C

typ.

1.6

การสูญเสียเมื่อเปิด

Eon (mJ)

VDD=1100V,

ID=250A, Tch＝150°C

typ.

14

การสูญเสียเมื่อปิด

Eoff (mJ)

typ.

11

ความเหนี่ยวนำลัดวงจร LsPN (nH)

typ.

12

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
MG250YD2YMS3

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเครื่องไฟฟ้า SiC ของ Toshiba
เครื่องไฟฟ้า SiC

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทจำนวน 21,500 คนทั่วโลก มีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีที่เข้าใกล้ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ) บริษัท Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทั่วโลก

ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: www.businesswire.com/news/home/53545285/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ช่องทางติดต่อสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ช่องทางติดต่อสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว MOSFET พลังงาน N-channel 100V ที่รองรับการย่อขนาดของวงจรพาวเวอร์ซัพพลาย

Logo

– มี On-resistance ต่ำและมีพื้นที่ปฏิบัติการที่ปลอดภัยที่กว้างขึ้น โดยใช้กระบวนการรุ่นล่าสุด –

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–29 มิถุนายน 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “TPH3R10AQM” ซึ่งเป็น MOSFET พลังงาน N-channel 100V ที่ประดิษฐ์ขึ้นด้วยกระบวนการรุ่นล่าสุดของ Toshiba นั่นคือ U-MOS X-H ผลิตภัณฑ์มุ่งเป้าไปที่การใช้งาน เช่น วงจรสวิตชิ่งและวงจร Hot swap[1] บนสายไฟของอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้สำหรับศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร เริ่มจัดส่งแล้ววันนี้

Toshiba: a 100V N-channel power MOSFET

Toshiba: MOSFET พลังงาน N-channel 100V “TPH3R10AQM” ประดิษฐ์ขึ้นด้วย U-MOS X-H ซึ่งเป็นกระบวนการรุ่นล่าสุดของ Toshiba (กราฟิก: Business Wire)

TPH3R10AQM เป็นผู้นำในอุตสาหกรรม[2] 3.1mΩ ความต้านทานต่อแหล่งเดรนสูงสุด 16%[2] ต่ำกว่าผลิตภัณฑ์ 100V ของ Toshiba “TPH3R70APL” ซึ่งใช้กระบวนการรุ่นก่อนหน้า จากการเปรียบเทียบแบบเดียวกัน TPH3R10AQM ได้ขยายพื้นที่การทำงานที่ปลอดภัยถึง 76%[3] ทำให้เหมาะสำหรับการทำงานในโหมดเชิงเส้น การลด On-resistance และการขยายช่วงการทำงานเชิงเส้นในพื้นที่การทำงานที่ปลอดภัยจะลดจำนวนการเชื่อมต่อแบบขนาน นอกจากนี้ ช่วงแรงดันธรณีประตูที่ 2.5V ถึง 3.5V ทำให้มีโอกาสน้อยที่จะทำงานผิดพลาดเนื่องจากสัญญาณรบกวนของแรงดันเกต

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้แพ็คเกจ SOP Advance(N) ที่เข้ากันได้สูง

Toshiba จะยังคงขยายไลน์อัพพาวเวอร์ MOSFET ที่สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของพาวเวอร์ซัพพลายโดยการลดการสูญเสีย และช่วยลดการใช้พลังงานของอุปกรณ์

การใช้งาน

  • พาวเวอร์ซัพพลายสำหรับอุปกรณ์สื่อสาร เช่น สำหรับศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร
  • แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง (ตัวแปลง DC-DC ประสิทธิภาพสูง ฯลฯ)

คุณสมบัติ

  • นำเสนอค่าความต้านทาน On-resistance ต่ำที่ยอดเยี่ยมในอุตสาหกรรม[2] : RDS(ON)=3.1mΩ (สูงสุด) (VGS=10V)
  • พื้นที่ปฏิบัติการที่ปลอดภัยกว้าง
  • ระดับอุณหภูมิช่องสูง: Tch (สูงสุด)=175°C

หมายเหตุ:
[1] วงจรสำหรับเชื่อมต่อและถอดชิ้นส่วนต่าง ๆ ในระบบโดยไม่ต้องปิดระบบในขณะที่อุปกรณ์ทำงาน
[2] ผลสำรวจของ Toshiba ณ เดือนมิถุนายน 2023
[3] ความกว้างของพัลส์: tw=10ms, VDS=48V

ข้อมูลจำเพาะหลัก 

(นอกจากที่ระบุไว้, Ta=25°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

TPH3R10AQM

การจัดอันดับสูงสุดแบบสัมบูรณ์

แรงดันจากเดรน VDSS (V)

100

กระแสเดรน (DC) ID (A)

Tc=25°C

อุณหภูมิช่อง Tch (°C)

175

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

ความต้านทานต่อไฟฟ้าจากเดรน RDS(ON)

max (mΩ)

VGS=10V

3.1

VGS=6V

6.0

ค่าเกตทั้งหมด (gate-source plus gate-drain) Qg typ. (nC)

83

ค่าการสลับเกต Qsw typ. (nC)

32

ค่าเอาต์พุต Qoss typ. (nC)

88

ค่าตัวเก็บประจุระหว่างอินพุต Ciss typ. (pF)

5180

แพ็กเกจ

ชื่อ

SOP Advance(N)

ขนาด typ. (มม.)

4.9×6.1

การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TPH3R10AQM

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFETs

To check availability of the new products at online distributors, visit:

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่
TPH3R10AQM
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และคลังข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทจำนวน 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง

ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53435647/en

ติดต่อ

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า

ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:

Chiaki Nagasawa

ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว MOSFET แบบ Common-Drain ขนาดเล็กและบางที่มีคุณสมบัติ On-Resistance ต่ำมาก เหมาะสำหรับอุปกรณ์ชาร์จเร็ว

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–18 พฤษภาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “SSM14N956L” ซึ่งเป็น MOSFET แบบ N-channel ระบายน้ำทั่วไป 12V ที่มีพิกัดกระแส 20A สำหรับใช้ในวงจรป้องกันแบตเตอรี่ในชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน (Li-ion) เช่น สำหรับอุปกรณ์พกพา ซึ่งเริ่มจัดส่งแล้ววันนี้

Toshiba: SSM14N956L, a small and thin common-drain MOSFET featuring very low On-resistance (Graphic: Business Wire)

Toshiba: SSM14N956L, MOSFET แบบ Common-Drain ขนาดเล็กและบางที่มีคุณสมบัติ On-Resistance ต่ำมาก (กราฟิก: Business Wire)

ชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน (Li-ion) อาศัยวงจรป้องกันที่ทนทานสูงเพื่อลดการเกิดความร้อนขณะชาร์จและคายประจุ และเพื่อเพิ่มความปลอดภัย วงจรเหล่านี้ต้องมีลักษณะการใช้พลังงานต่ำและบรรจุภัณฑ์ที่มีความหนาแน่นสูง โดยต้องใช้ MOSFET ที่มีขนาดเล็กและบางและมีความต้านทานต่อไฟฟ้าต่ำ

SSM14N956L ใช้ไมโครโปรเซสเซอร์ของ Toshiba เช่นเดียวกับ SSM10N954L ที่เปิดตัวแล้ว ซึ่งช่วยให้มั่นใจได้ถึงการสูญเสียพลังงานที่ต่ำ เนื่องจากคุณสมบัติด้านความต้านทานไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม[1] และพลังงานสแตนด์บายต่ำ ซึ่งรับรู้ได้จากคุณลักษณะกระแสไฟรั่วที่เกต-ซอร์สที่ต่ำซึ่งเป็นระดับชั้นนำในอุตสาหกรรม[1] คุณสมบัติเหล่านี้ช่วยยืดเวลาการทำงานของแบตเตอรี่ ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ยังใช้บรรจุภัณฑ์ใหม่ขนาดเล็กและบาง TCSPED-302701 (2.74 มม. x 3.0 มม., t = 0.085 มม. (ทั่วไป))

Toshiba จะยังคงพัฒนาผลิตภัณฑ์ MOSFET สำหรับวงจรป้องกันในอุปกรณ์ที่ใช้พลังงานจากชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน

การใช้งาน

  • อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคและอุปกรณ์สำนักงานและส่วนบุคคลที่มีชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน รวมถึงสมาร์ทโฟน แท็บเล็ต พาวเวอร์แบงค์ อุปกรณ์สวมใส่ เกมคอนโซล แปรงสีฟันไฟฟ้า กล้องดิจิทัลคอมแพค กล้องดิจิตอล SLR เป็นต้น

คุณสมบัติ

  • ความต้านทานไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม[1]: RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V
  • กระแสไฟรั่วจากแหล่งเกตต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม[1]: IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V
  • แพ็กเกจ TCSPED-302701 ขนาดเล็กและบาง: 2.74 มม. x 3.0 มม., t=0.085 มม. (ทั่วไป)
  • โครงสร้างท่อระบายน้ำทั่วไปที่สามารถใช้งานได้ง่ายในวงจรป้องกันแบตเตอรี่

หมายเหตุ:
[1]: ในบรรดาผลิตภัณฑ์ที่มีการจัดอันดับเดียวกัน จากผลสำรวจของ Toshiba ในเดือนพฤษภาคม 2023

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น, Ta=25°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

SSM14N956L

SSM10N954L[2]

การกำหนดค่า

ท่อระบายน้ำทั่วไป N-channel

การประเมินค่า

สูงสุดสุทธิ

แหล่งจ่ายแรงดัน VSSS (V)

12

แรงดันแหล่งกำเนิดเกต VGSS (V)

±8

กระแสไฟแหล่งจ่าย (DC) IS (A)

20.0

13.5

คุณลักษณะ

ทางไฟฟ้า

กระแสรั่วไหลของเกต-ซอร์ส IGSS

max (μA)

@VGS＝ ±8V

±1

ความต้านทานไฟฟ้า

ของแหล่งจ่าย RSS(ON)

typ. (mΩ)

@VGS＝4.5V

1.00

2.1

@VGS＝3.8V

1.10

2.2

@VGS＝3.1V

1.25

2.4

@VGS＝2.5V

1.60

3.1

แพ็กเกจ

ชื่อ

TCSPED-302701

TCSPAC-153001

ขนาดทั่วไป (มม.)

2.74×3,

t=0.085

1.49×2.98,

t=0.11

การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

หมายเหตุ:
[2] จำหน่ายสินค้าแล้ว

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
SSM14N956L

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
SSM14N956L
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านเซมิคอนดักเตอร์และโซลูชันจัดเก็บขั้นสูง โดยนำประสบการณ์และนวัตกรรมที่สั่งสมมากว่าครึ่งศตวรรษมาใช้ เพื่อมอบเซมิคอนดักเตอร์, วงจร LSI ระบบ และผลิตภัณฑ์ HDD ที่มีความโดดเด่นให้แก่ลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นในการเพิ่มคุณประโยชน์ของผลิตภัณฑ์ให้ถึงขีดสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อร่วมสร้างคุณประโยชน์และตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและเข้ามามีบทบาทเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53401946/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-44-548-2215
ติดต่อเรา

ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อมวลชน:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology, Uncategorized

Toshiba เปิดตัว Power MOSFET แบบ N-channel 150V พร้อมความต้านทานต่อไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม และคุณลักษณะการฟืนตัวย้อนกลับที่ได้รับการปรับปรุงซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้กับแหล่งจ่ายไฟ

Logo

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–30 มีนาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว Power MOSFET แบบ N-channel 150V “TPH9R00CQ5” ซึ่งใช้กระบวนการ U-MOSX-H เจนเนอเรชันล่าสุด[2] สำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งของอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร โดยเริ่มจัดส่งวันนี้

Toshiba: TPH9R00CQ5, a 150V N-channel power MOSFET that helps increase the efficiency of power supplies. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: TPH9R00CQ5 ที่เป็น Power MOSFET แบบ N-channel 150V ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้กับแหล่งจ่ายไฟ (กราฟิก: Business Wire)

TPH9R00CQ5 นำเสนอความต้านทานต่อไฟฟ้าเดรนต่ำของแหล่งที่มาชั้นนำในอุตสาหกรรม[1] ที่ 9.0mΩ (สูงสุด) ซึ่งลดลงประมาณ 42% จากผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ของ Toshiba “TPH1500CNH1[3]” เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ของ Toshiba “TPH9R00CQH[4]” ค่าการฟืนตัวย้อนกลับจะลดลงประมาณ 74% และช่วงเวลาฟืนตัวย้อนกลับ[5] ประมาณ 44% ซึ่งทั้งสองคุณลักษณะการฟืนตัวย้อนกลับมีความสำคัญกับแอปพลิเคชันการแก้ไขแบบซิงโครนัส ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ที่ใช้ในแอปพลิเคชันการแก้ไขแบบซิงโครนัส[6] ช่วยลดการสูญเสียพลังงานของแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งและช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพ นอกจากนี้ เมื่อเทียบกับ TPH9R00CQH ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ช่วยลดแรงดันสไปค์ที่เกิดขึ้นระหว่างสวิตชิ่ง ซึ่งช่วยลด EMI ของแหล่งจ่ายไฟ

ผลิตภัณฑ์นี้ใช้แพ็คเกจยอดนิยม SOP Advance(N) ชนิดติดตั้งบนพื้นผิว

Toshiba ยังมีเครื่องมือที่สนับสนุนการออกแบบวงจรสำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง นอกเหนือจากรุ่น G0 SPICE ซึ่งตรวจสอบการทำงานของวงจรในเวลาอันสั้นแล้ว รุ่น G2 SPICE ที่มีความแม่นยำสูงซึ่งสร้างลักษณะเฉพาะชั่วคราวได้อย่างแม่นยำก็มีวางจำหน่ายแล้วเช่นกัน

Toshiba ยังได้พัฒนาการออกแบบอ้างอิง “ตัวแปลง DC-DC แบบไม่มีแยก Buck-Boost ขนาด 1 กิโลวัตต์สำหรับอุปกรณ์โทรคมนาคม” และ “อินเวอร์เตอร์สามเฟสหลายระดับโดยใช้ MOSFET” ที่ใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ ซึ่งมีอยู่ในเว็บไซต์ของ Toshiba ตั้งแต่วันนี้ ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้สามารถใช้กับการออกแบบอ้างอิง “ตัวแปลง DC-DC แบบฟูลบริดจ์ขนาด 1 กิโลวัตต์” ที่เผยแพร่แล้วได้

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ Power MOSFET ที่ช่วยลดการสูญเสียพลังงาน เพิ่มประสิทธิภาพของแหล่งจ่ายไฟ และช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์ต่อไป

การใช้งาน

  • แหล่งจ่ายไฟของอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น ที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร
  • แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง (ตัวแปลง DC-DC ประสิทธิภาพสูง และอื่น ๆ)

คุณสมบัติ

  • ความต้านทานไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม[1]: RDS(ON)=9.0mΩ (สูงสุด) (VGS=10V)
  • ค่าการฟื้นตัวย้อนกลับชั้นนำในอุตสาหกรรม[1]: Qrr=34nC (typ.) (-dIDR/dt=100A/μs)
  • ช่วงเวลาฟื้นตัวย้อนกลับอย่างรวดเร็วชั้นนำในอุตสาหกรรม[1]: trr=40ns (typ.) (-dIDR/dt=100A/μs)
  • ระดับอุณหภูมิช่องสูง: Tch (สูงสุด)=175°C

หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนมีนาคม 2023 เปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ 150V อื่น ๆ ผลสำรวจของ Toshiba

[2] ณ เดือนมีนาคม 2023

[3] ผลิตภัณฑ์ 150V ที่ใช้กระบวนการสร้างที่มีอยู่ U-MOSVIII-H

[4] ผลิตภัณฑ์ที่ใช้กระบวนการสร้างรุ่นเดียวกับ TPH9R00CQ5 และมีแรงดันไฟฟ้าและความต้านทานไฟฟ้าแบบเดียวกัน

[5] การดำเนินการสวิตชิ่งที่ไดโอดตัว MOSFET เปลี่ยนจากไปข้างหน้าเป็นย้อนกลับ

[6] หากใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่ในวงจรที่ไม่ได้ดำเนินการฟื้นตัวย้อนกลับ การสูญเสียพลังงานจะเทียบเท่ากับ TPH9R00CQH

ข้อกำหนดหลัก 

(Ta=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเลขชิ้นส่วน

TPH9R00CQ5

การจัดอันดับ

สูงสุด

แบบสัมบูรณ์

แรงดันจากเดรน VDSS (V)

150

กระแสเดรน (DC) ID (A)

Tc=25°C

64

อุณหภูมิช่อง Tch (°C)

175

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

ความต้านทานต่อไฟฟ้าจากเดรน

RDS(ON) max (mΩ)

VGS=10V

9.0

VGS=8V

11.0

ค่าเกตทั้งหมด Qg typ. (nC)

44

ค่าการสลับเกต QSW typ. (nC)

11.7

ค่าเอาต์พุต Qoss typ. (nC)

87

ค่าตัวเก็บประจุระหว่างอินพุต Ciss typ. (pF)

3500

ช่วงเวลาฟืนตัวย้อนกลับ trr typ. (ns)

-dIDR/dt=100A/μs

40

ค่าการฟืนตัวย้อนกลับ Qrr typ. (nC)

34

แพ็กเกจ

ชื่อ

SOP Advance(N)

ขนาด typ. (มม.)

4.9 x 6.1 x 1.0

การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TPH9R00CQ5

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับรายละเอียดที่เกี่ยวข้องกับผลิตภัณฑ์ใหม่

U-MOSX-H ซีรีส์ 150V MOSFET เหมาะอย่างยิ่งสำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งที่มีประสิทธิภาพ

การปรับปรุงประสิทธิภาพโดยอินเวอร์เตอร์หลายระดับพร้อม 150V MOSFET

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFETs

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่

TPH9R00CQ5
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และคลังข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัทจำนวน 23,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีทะลุ 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง
ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: www.businesswire.com/news/home/53370162/en

ติดต่อ

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
อีเมล: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba พัฒนา SiC MOSFET พร้อมไดโอดกั้น Schottky ในตัวที่ให้ความต้านทานต่ำและมีความน่าเชื่อถือสูง

Logo

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–9 ธันวาคม 2022

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation และ Toshiba Corporation (เรียกรวมกันว่า “Toshiba”) ได้พัฒนาทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามสารกึ่งตัวนำ SiC ของโลหะออกไซด์ (MOSFET) ที่จัดเรียงไดโอดกั้น Schottky (SBD) ในตัวในรูปแบบการตรวจสอบ (รูปแบบการตรวจสอบแบบฝัง SBD) เพื่อให้เกิดทั้งความต้านทานต่ำและความน่าเชื่อถือสูง Toshiba ยืนยันว่าการออกแบบนี้ช่วยลดความต้านทาน[1] (RonA) ประมาณ 20% เมื่อเทียบกับ SiC MOSFET ในปัจจุบัน โดยไม่สูญเสียความน่าเชื่อถือ[2]

Toshiba: Schematic diagram of MOSFETs with newly developed check pattern embedded SBD-SiC MOSFET (Graphic: Business Wire)

Toshiba: แผนผังไดอะแกรมของ MOSFET พร้อมรูปแบบการตรวจสอบที่พัฒนาขึ้นใหม่ที่ฝัง SBD-SiC MOSFET (กราฟิก: Business Wire)

อุปกรณ์ไฟฟ้าเป็นส่วนประกอบที่จำเป็นสำหรับการจัดการพลังงานไฟฟ้าและลดการสูญเสียพลังงานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทุกชนิด และเพื่อให้เกิดสังคมที่มีความเป็นกลางทางคาร์บอน SiC ถูกมองว่าเป็นวัสดุรุ่นต่อไปสำหรับอุปกรณ์ เนื่องจากให้แรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่าและสูญเสียน้อยกว่าซิลิกอน ในขณะที่การใช้ SiC ในปัจจุบันจำกัดอยู่ที่อินเวอร์เตอร์สำหรับรถไฟเป็นหลัก แต่การใช้งานที่กว้างขึ้นนั้นอยู่บนขอบฟ้า ในด้านต่าง ๆ รวมถึงการใช้พลังงานไฟฟ้าของยานพาหนะและการย่อขนาดอุปกรณ์อุตสาหกรรม อย่างไรก็ตาม มีปัญหาที่ต้องจัดการก่อน เพราะการนำไฟฟ้าแบบสองขั้วในไดโอดของตัวเครื่องระหว่างการทำงานแบบย้อนกลับของ SiC MOSFET นั้นเป็นอันตรายเนื่องจากลดความต้านทานลง

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation พัฒนาโครงสร้างอุปกรณ์ที่ฝัง SBD ไว้ใน MOSFET เพื่อปิดการทำงานของไดโอดในตัวเครื่อง แต่พบว่าการแทนที่ช่องสัญญาณ MOSFET ด้วย SBD แบบฝังทำให้ความหนาแน่นของช่องสัญญาณลดลงและเพิ่ม RonA การแลกเปลี่ยนนี้ได้รับการแก้ไขด้วยโครงสร้าง SBD แบบฝังใหม่ และ Toshiba ยืนยันว่าได้ปรับปรุงคุณสมบัติด้านประสิทธิภาพแล้ว

Toshiba ได้ปรับปรุงทั้งการสูญเสียการนำไฟฟ้าใน SiC MOSFET ที่ฝัง SBD และประสบความสำเร็จในการนำไดโอดที่ดี โดยใช้การกระจาย SBD แบบตรวจสอบรูปแบบ การประเมินลักษณะกระแสด้านข้างของ MOSFET ที่ฝังตัวในคลาส SBD ขนาด 1.2kV ด้วยการออกแบบที่เหมาะสมที่สุดยืนยันว่าการใช้การออกแบบตรวจสอบเพื่อวางตำแหน่ง SBD ที่ฝังไว้ใกล้กับไดโอดของตัวเครื่องจะจำกัดการนำไฟฟ้าแบบสองขั้วของไดโอดแบบฝังได้อย่างมีประสิทธิภาพ ในขณะที่ ขีดจำกัดกระแสยูนิโพลาร์ของการนำไฟฟ้าย้อนกลับเป็นสองเท่าที่เกิดขึ้นจากการออกแบบรูปแบบ SBD แบบสไทรพ์ในปัจจุบันสำหรับการใช้พื้นที่ SBD เดียวกัน
พบว่า RonA ลดลงประมาณ 20% ที่ 2.7mΩ・cm2

การปรับปรุงที่ได้รับการยืนยันนี้ในการแลกเปลี่ยนเป็นสิ่งจำเป็นหาก SiC MOSFET จะถูกใช้ในอินเวอร์เตอร์สำหรับการใช้งานมอเตอร์ไดรฟ์ Toshiba ดำเนินการประเมินอย่างต่อเนื่องเพื่อพัฒนาคุณลักษณะด้านไดนามิกและความน่าเชื่อถือ และพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์พลังงานประสิทธิภาพสูงที่น่าดึงดูดซึ่งมีส่วนทำให้เกิดความเป็นกลางทางคาร์บอน

รายละเอียดของความสำเร็จได้รับการรายงานในการประชุมประจำปี IEEE International Electron Devices ครั้งที่ 68 ซึ่งเป็นการประชุมเซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้าระหว่างประเทศที่จัดขึ้นในซานฟรานซิสโก สหรัฐอเมริกา เมื่อวันที่ 3 ถึง 7 ธันวาคม

หมายเหตุ:

[1] On-resistance คือค่าความต้านทานระหว่างเดรนและซอร์สของ MOSFET ระหว่างการทำงาน (ON)

[2] การวิจัยของโตชิบา เมื่อเดือนพฤศจิกายน 2022

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่แจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และสตอเรจขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทจำนวน 23,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีทะลุ 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง
ดูข้อมูลเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53035265/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

สอบถามข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า:
ติดต่อเรา

สอบถามข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
K.Tanaka, S.Mihashi
กลุ่มงานสื่อสารองค์กรและข่าวกรองการตลาด
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: +81-44-548-2122
อีเมล: tdsc-publicrelations@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation


Featured, Technology

โตชิบาเปิดตัว SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้แก่อุปกรณ์อุตสาหกรรม

Logo

– กลุ่มผลิตภัณฑ์ประกอบด้วยขนาด 1200 โวลต์ และ 650 โวลต์ –

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–30 สิงหาคม 2565

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“โตชิบา”) ได้เปิดตัวอุปกรณ์ไฟฟ้ารุ่นใหม่ในซีรีส์ “TWxxNxxxC” อย่าง MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) รุ่นที่ 3[1] [2] ที่ให้ค่าความต้านทานไฟฟ้าต่ำและลดสูญเสียเนื่องจากการเปลี่ยนสถานะได้อย่างมาก ผลิตภัณฑ์รุ่นนี้มี 10 รายการ ได้แก่ ผลิตภัณฑ์ 1200 โวลต์จำนวน 5 รายการ และ 650 โวลต์ จำนวน 5 รายการ โดยออกสู่ตลาดแล้ววันนี้

เอกสารประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีเนื้อหามัลติมีเดีย ดูอย่างเต็มรูปแบบได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220829005265/en/

Toshiba: 3rd generation SiC MOSFETs

โตชิบา: SiC MOSFET รุ่นที่ 3 “ซีรี่ส์ TWxxxNxxxC” (กราฟิก: Business Wire)

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ช่วยลดความต้านทานต่อหน่วยพื้นที่ (RDS(ON)A) ลงประมาณ 43%[3] ทำให้เกิดความต้านทานไฟฟ้าของขาเดรนกับซอร์ส * ลักษณะการชาร์ของขาเกตและเดรน (RDS(ON)*Qgd) ซึ่งเป็นดัชนีสำคัญที่แสดงถึงความสัมพันธ์ระหว่างการสูญเสียการนำไฟฟ้าและการสูญเสียเนื่องจากการเปลี่ยนสถานะ ซึ่งจะลดลงประมาณ 80%[4]

ผลิตภัณฑ์นี้ช่วยลดการสูญเสียเนื่องจากการเปลี่ยนสถานะ 20%[5] และลดทั้งความต้านทานไฟฟ้าและการสูญเสียเนื่องจากการเปลี่ยนสถานะ รวมทั้งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้แก่อุปกรณ์มากขึ้น

โตชิบาจะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์อุปกรณ์ไฟฟ้าและปรับปรุงโรงงานผลิต และตั้งเป้าสร้างเศรษฐกิจที่ปราศจากก๊าซคาร์บอนโดยการจัดหาอุปกรณ์ไฟฟ้าประสิทธิภาพสูงที่ใช้งานง่าย

หมายเหตุ:

[1] โตชิบาได้พัฒนาโครงสร้างอุปกรณ์ที่ลดความต้านทานไฟฟ้าต่อหน่วยพื้นที่ (RDS(ON)A) โดยใช้โครงสร้างที่มีไดโอดกั้น schottky ในตัวที่พัฒนาขึ้นสำหรับ SiC MOSFET รุ่นที่ 2 และยังลดความจุป้อนกลับในบริเวณทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ทางแยก

[2] MOSFET คือ ทรานซิสเตอร์แบบ field-effect ของเซมิคอนดักเตอร์เมทัลออกไซด์

[3] จากการสำรวจของโตชิบา เปรียบเทียบ SiC MOSFET ขนาด 1200 โวลต์ใหม่กับ SiC MOSFET รุ่นที่ 2 เมื่อตั้งค่า RDS(ON)A เป็น 1

[4] จากการสำรวจของโตชิบา เปรียบเทียบ SiC MOSFET ขนาด 1200 โวลต์ใหม่กับ SiC MOSFET รุ่นที่ 2 เมื่อตั้งค่า RDS(ON)*Qgd เป็น 1

[5] จากการสำรวจของโตชิบา เปรียบเทียบ SiC MOSFET ขนาด 1200 โวลต์ใหม่กับ SiC MOSFET รุ่นที่ 2

การใช้งาน
・สวิตช์จ่ายไฟ (เซิร์ฟเวอร์ ศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์สื่อสาร ฯลฯ)
・สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า
・อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์
・เครื่องสำรองไฟ (UPS)

คุณสมบัติ
・ความต้านทานต่ำต่อหน่วยพื้นที่ (RDS(ON)A)
・ความต้านทานไฟฟ้าของขาเดรนกับซอร์ส * ลักษณะการชาร์ของขาเกตและเดรนต่ำ(RDS(ON)*Qgd)
・แรงดันของไดโอดต่ำ: VDSF= -1.35V (typ.) @VGS= -5V

ลักษณะจำเพาะหลัก

(@Ta=25°C เว้นแต่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

รหัสสินค้า

แพ็คเกจ

ระดับสูงสุด

ลักษณะจำเพาะทางไฟฟ้า

ดูตัวอย่างสินค้า

&

การวางจำหน่าย

แรงดันไฟฟ้าขาเดรน

VDSS

(V)

แรงดันไฟฟ้าขาเกต

VGSS

(V)

กระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่าน

(DC)

ID

(A)

แรงดันไฟฟ้าขาเดรนกับซอร์ส

RDS(ON)

typ.

(mΩ)

แรงดันไฟฟ้า เกตเทรชโฮลด์

Vth

(V)

การชาร์จขาเกตทั้งหมด

Qg

typ.

(nC)

การชาร์จขาเกตกับเดรน

Qgd

typ.

(nC)

ค่าความจุไฟฟ้าทางอินพุต

Ciss

typ.

(pF)

แรงดันของไดโอด

VDSF

typ.

(V)

@Tc=25°C

@VGS=18V

@VDS=10V

@VDS=400V,

f=100kHz

@VGS= -5V

TW015N120C

TO-247

1200

-10 to 25

100

15

3.0 to 5.0

158

23

6000

-1.35

ซื้อออนไลน์

TW030N120C

60

30

82

13

2925

ซื้อออนไลน์

TW045N120C

40

45

57

8.9

1969

ซื้อออนไลน์

TW060N120C

36

60

46

7.8

1530

ซื้อออนไลน์

TW140N120C

20

140

24

4.2

691

ซื้อออนไลน์

TW015N65C

650

100

15

128

19

4850

ซื้อออนไลน์

TW027N65C

58

27

65

10

2288

ซื้อออนไลน์

TW048N65C

40

48

41

6.2

1362

ซื้อออนไลน์

TW083N65C

30

83

28

3.9

873

ซื้อออนไลน์

TW107N65C

20

107

21

2.3

600

ซื้อออนไลน์

คลิกลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ตัวใหม่
ผลิตภัณฑ์ 1200 โวลต์
TW015N120C
TW030N120C
TW045N120C
TW060N120C
TW140N120C

ผลิตภัณฑ์ 650 โวลต์
TW015N65C
TW027N65C
TW048N65C
TW083N65C
TW107N65C

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ SiC MOSFET ของโตชิบา

SiC Power Devices
SiC MOSFETs

ตรวจสอบการวางจำหน่ายผลิตภัณฑ์ตัวใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ โดยเข้าไปที่:

ผลิตภัณฑ์ 1200 โวลต์

TW015N120C
ซื้อออนไลน์

TW030N120C
ซื้อออนไลน์

TW045N120C
ซื้อออนไลน์

TW060N120C
ซื้อออนไลน์

TW140N120C
ซื้อออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ 650 โวลต์

TW015N65C
ซื้อออนไลน์

TW027N65C
ซื้อออนไลน์

TW048N65C
ซื้อออนไลน์

TW083N65C
ซื้อออนไลน์

TW107N65C
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ระดับแถวหน้าผู้จัดหาโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บที่มีความก้าวล้ำ รวบรวมประสบการณ์และนวัตกรรมที่สะสมมากว่าครึ่งศตวรรษ เพื่อส่งมอบผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจของเรา

พนักงานทั้ง 23,000 คนจากทั่วโลกของ TDSC มุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีที่สูงกว่า 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านดอลลาร์สหรัฐฯ) ในขณะนี้ TDSC หวังที่จะได้มีส่วนสร้างอนาคตที่ดีกว่าให้กับผู้คนทั่วโลก

ดูเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเนื้อหาต้นฉบับ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20220829005265/en/

ติดต่อ:

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า:

ฝ่ายการตลาดและฝ่ายขายอุปกรณ์กำลัง

โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:

Chiaki Nagasawa

ฝ่ายการตลาดดิจิทัล

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

เมล: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Featured, Technology

โมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ 1200V และ 1700V ที่เพิ่งเปิดตัวใหม่ของโตชิบาจะมีส่วนช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมขนาดเล็กมีประสิทธิภาพมากขึ้น

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–26 ม.ค. 2565

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัวโมดูล MOSFET ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) สองโมดูล ได้แก่ “MG600Q2YMS3” ที่มีพิกัดแรงดันไฟฟ้า 1200V และอัตรากระแสไฟ drain current rating ที่ 600A ส่วนรุ่น “MG400V2YMS3” ที่มีระดับแรงดันไฟฟ้า 1700V มีกระแสไฟ drain current rating ที่ 400A ซึ่งถือเป็นผลิตภัณฑ์ของโตชิบารุ่นแรกที่มีพิกัดแรงดันไฟฟ้า เหมือนกับของรุ่น MG800FXF2YMS3 ที่วางจำหน่ายไปก่อนหน้านี้ในอุปกรณ์ขนาด 1200V, 1700V และ 3300V ตามลำดับ

ข่าวประชาสัมพันธ์นี้มีเนื้อหาเป็นมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220125005489/en/

Toshiba: 1200V and 1700V silicon carbide (SiC) MOSFET modules that contribute to smaller, more efficient industrial equipment. (Graphic: Business Wire)

โตชิบา: โมดูล MOSFET ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) 1200V และ 1700V ที่ช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีขนาดเล็กลงและมีประสิทธิภาพมากขึ้น (กราฟิก: Business Wire)

โมดูลใหม่นี้มีความเข้ากันได้ในการติดตั้งกับโมดูล IGBT ซิลิคอน (Si) ที่ใช้กันอย่างแพร่หลาย ลักษณะการสูญเสียพลังงานต่ำตอบสนองความต้องการสำหรับประสิทธิภาพที่สูงขึ้นและการลดขนาดในอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น คอนเวอร์เตอร์และอินเวอร์เตอร์สำหรับยานพาหนะทางรถไฟ และระบบผลิตพลังงานทดแทน

 การใช้งาน

  • อินเวอร์เตอร์และคอนเวอร์เตอร์สำหรับยานพาหนะรถไฟ
  • ระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานหมุนเวียน
  • อุปกรณ์ควบคุมมอเตอร์
  • ตัวแปลง DC-DC ความถี่สูง

ฟีเจอร์

  • การติดตั้งเข้ากันได้กับโมดูล Si IGBT
  • การสูญเสียต่ำกว่าโมดูล Si IGBT

MG600Q2YMS3

VDS(on)sense =0.9V (typ.) @ID=600A, Tch=25°C

Eon=25mJ (typ.), Eoff=28mJ (typ.) @VDS=600V, ID=600A, Tch=150°C

MG400V2YMS3

VDS(on)sense=0.8V (typ.) @ID=400A, Tch=25°C

Eon=28mJ (typ.), Eoff=27mJ (typ.) @VDS=900V, ID=400A, Tch=150°C

  • เทอร์มิสเตอร์ NTC ในตัว

ข้อมูลจำเพาะหลัก

( @Tc=25°C นอกจากที่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเลขชิ้นส่วน

MG600Q2YMS3

MG400V2YMS3

บรรจุภัณฑ์

2-153A1A

อัตรากระแสสูงสุด

กระแส Drain-source voltage VDSS (V)

1200

1700

กระแส Gate-source voltage VGSS (V)

+25/-10

+25/-10

กระแส Drain current (DC) ID (A)

600

400

กระแส Drain current (pulsed) IDP (A)

1200

800

กระแส Channel temperature Tch (°C)

150

150

กระแส Isolation voltage Visol (Vrms)

4000

4000

คุณลักษณะไฟฟ้า

Drain-source on-voltage (sense)

VDS(on)sense typ. (V)

@VGS =+20V,

Tch＝25°C

0.9

@ID＝600A

0.8

@ID＝400A

Source-drain on-voltage (sense)

VSD(on)sense typ. (V)

@VGS =+20V,

Tch＝25°C

0.8

@IS＝600A

0.8

@IS＝400A

Source-drain off-voltage (sense)

VSD(off)sense typ. (V)

@VGS =-6V,

Tch＝25°C

1.6

@IS＝600A

1.6

@IS＝400A

Turn-on switching loss Eon typ. (mJ)

Eon typ. (mJ)

@Tch=150°C

25

@ VDS=600V,

ID=600A

28

@VDS=900V,

ID=400A

Turn-off switching loss Eoff typ. (mJ)

Eoff typ. (mJ)

@Tch=150°C

28

@ VDS=600V,

ID=600A

27

@VDS=900V,

ID=400A

คุณลักษณะเทอร์มิสเตอร์

Rated NTC resistance R typ. (kΩ)

5.0

5.0

NTC B value B typ. (K)

＠TNTC=25 – 150°C

3375

3375

ติดตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

MG600Q2YMS3

MG400V2YMS3

ตามลิงค์สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ SiC Power Devices ของโตชิบา

SiC Power Devices

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และสตอเรจขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน LSIs และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 22,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการร่วมสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ ด้วยยอดขายประจำปีที่สูงกว่า 710,000 ล้านเยน (6.5 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20220125005489/en/

ติดต่อ:

สอบถามสำหรับลูกค้า

Power Device Sales & Marketing Dept.

โทร: +81-44-548-2216

ติดต่อเรา

ติดต่อสำหรับสื่อ:

Chiaki Nagasawa

ฝ่ายการตลาดดิจิทัล

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

โทร: +81-44-549-8361

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย