การปรับปรุงประสิทธิภาพวิวัฒนาการเชื้อเพลิงของการใช้งานด้านยานยนต์ ยกระดับประสบการณ์ของผู้ขับขี่
โตเกียว
Kioxia เปิดตัว e-MMC Ver. 5.1 ผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังรุ่นใหม่
อุปกรณ์ใหม่มีหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นใหม่ที่ปรับปรุงประสิทธิภาพการอ่านและเขียนข้อมูล
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–27 กันยายน 2023
Kioxia Corporation ซึ่งเป็นบริษัทชั้นนำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ได้ประกาศการสุ่มตัวอย่าง[1]ของ JEDEC e-MMC Ver. 5.1[2] ผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังรุ่นใหม่ที่มีประสิทธิภาพสูงขึ้นสำหรับการใช้งานของผู้บริโภค ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ได้รวมหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นใหม่ของบริษัท[3] และตัวควบคุมไว้ในแพ็กเกจเดียว ซึ่งช่วยลดภาระงานของโปรเซสเซอร์และปรับปรุงความสะดวกในการใช้งาน จะมีการวางจำหน่ายผลิตภัณฑ์ทั้ง 64 และ 128 กิกะไบต์ (GB)
Kioxia: e-MMC Ver. 5.1 อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง (รูปภาพ: Business Wire)
เนื่องจากตลาดยังคงเปลี่ยนมาใช้ UFS[4] จึงมีบางกรณีที่ e-MMC ยังคงใช้งานได้ ซึ่งรวมถึงสินค้าอุปโภคบริโภคที่มีความต้องการพื้นที่จัดเก็บข้อมูลระดับกลาง เช่น แท็บเล็ต คอมพิวเตอร์ส่วนบุคคล อุปกรณ์ ณ จุดขาย และอุปกรณ์มือถือแบบพกพาอื่นๆ ตลอดจนสมาร์ททีวีและ NIC อัจฉริยะ Kioxia ยังคงเสริมความแข็งแกร่งในตำแหน่งผู้นำตลาดด้วยการนำเสนอกลุ่มผลิตภัณฑ์ที่กว้างขวางและมีประสิทธิภาพสูง และขยายตัวเลือกที่มีให้สำหรับการใช้งานเหล่านี้ อุปกรณ์ Kioxia ใหม่ปรับปรุงประสิทธิภาพการเขียนข้อมูลตามลำดับและแบบสุ่มประมาณ 2.5 เท่า และประสิทธิภาพการอ่านข้อมูลแบบสุ่มประมาณ 2.7 เท่า เมื่อเทียบกับอุปกรณ์รุ่นก่อนหน้า[3] นอกจากนี้ เทราไบต์ที่เขียน (TBW)[5] ได้รับการปรับปรุงประมาณ 3.3 เท่า เมื่อเทียบกับอุปกรณ์รุ่นก่อนหน้า ซึ่งสอดคล้องกับการตั้งค่าพื้นที่ที่ได้รับการปรับปรุง[6] สำหรับพื้นที่ e-MMC ทั้งหมด
ขณะนี้ Kioxia กำลังสุ่มตัวอย่างอุปกรณ์ e-MMC รุ่นใหม่ โดยคาดว่าจะมีการผลิตจำนวนมากในฤดูใบไม้ผลิปี 2024
หมายเหตุ:
[1]: อุปกรณ์ใหม่ล่าสุดของบริษัทรองรับในสองความจุได้แก่ 64GB และ 128GB การจัดส่งตัวอย่างอุปกรณ์ 64GB เริ่มต้นในเดือนนี้ โดยอุปกรณ์ 128GB มีกำหนดจัดส่งหลังเดือนตุลาคม ข้อมูลจำเพาะของตัวอย่างอาจแตกต่างจากผลิตภัณฑ์เชิงพาณิชย์
[2]: e-MMC (การ์ดมัลติมีเดียแบบฝัง): หนึ่งในข้อกำหนดมาตรฐานของหน่วยความจำแฟลชแบบฝังที่กำหนดโดย JEDEC ผลิตภัณฑ์ใหม่รองรับการจัดคิวคำสั่งและฟังก์ชันการป้องกันการเขียนข้อมูลที่ปลอดภัยซึ่งระบุไว้เป็นตัวเลือกใน JEDEC Ver. 5.1.
[3]: เปรียบเทียบกับอุปกรณ์รุ่นก่อนหน้าของ Kioxia “THGAMSG9T24BAIL”, “THGAMST0T24BAIL”
[4]: Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับประเภทผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังที่สร้างขึ้นตามข้อกำหนดมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงรองรับการสื่อสารสองทางเต็มอัตรา (full duplexing) ซึ่งช่วยให้สามารถอ่านและเขียนข้อมูลพร้อมกันระหว่างโปรเซสเซอร์โฮสต์และอุปกรณ์ UFS
[5]: TBW หรือเทราไบต์ที่เขียนจะวัดจำนวนการเขียนข้อมูลสะสมที่ไดรฟ์คาดว่าจะเสร็จสิ้นตลอดอายุการใช้งาน
[6]: หากตั้งค่า Enhanced Area ความจุที่ผู้บริโภคสามารถใช้งานได้ทั้งหมดที่กำหนดค่าได้จะลดลง
ความเร็วในการอ่าน เขียนข้อมูลและ TBW เป็นค่าที่ดีที่สุดที่ได้รับในสภาพแวดล้อมการทดสอบเฉพาะที่ Kioxia และ Kioxia รับประกันทั้งความเร็วในการอ่านหรือเขียนข้อมูลหรือ TBW ในอุปกรณ์แต่ละเครื่อง ความเร็วในการอ่าน เขียนข้อมูล และ TBW อาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียนข้อมูล
โปรดทราบว่าความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์ Kioxia จะถูกระบุโดยอิงตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่จำนวนความจุหน่วยความจำที่ผู้ใช้ปลายทางสามารถจัดเก็บข้อมูลได้ ความจุที่ผู้บริโภคใช้งานได้จะลดลงเนื่องจากพื้นที่ข้อมูลโอเวอร์เฮด การจัดรูปแบบ บล็อกที่เสียหาย และข้อจำกัดอื่นๆ และอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์โฮสต์และการใช้งาน สำหรับรายละเอียด โปรดดูข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง คำจำกัดความของ 1KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คำจำกัดความของ 1Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ 1Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต
ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม
เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นบริษัทชั้นระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำที่ทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายนปี 2017 บริษัท Toshiba Memory ได้แยกตัวออกจากบริษัท Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบหน่วยความจำที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าแก่สังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในการใช้งานที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล
*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53560476/en
รายชื่อติดต่อ
สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html
สอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
แผนกวางแผนกลยุทธ์การขาย
Satoshi Shindo
โทร: +81-3-6478-2404
ที่มา: Kioxia Corporation
Kioxia เปิดตัว PCIe® 5.0 SSD ใหม่สำหรับองค์กรและโครงสร้างพื้นฐานของศูนย์ข้อมูล
KIOXIA CD8P Series Data Center NVMe™ Drives ใหม่ที่ปรับปรุงประสิทธิภาพ ความหน่วง และคุณภาพการบริการในรูปแบบ E3.S และ 2.5 นิ้ว (U.2)
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–8 สิงหาคม 2023
Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศเปิดตัว KIOXIA CD8P Series ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ Solid State Drives (SSD) ระดับศูนย์ข้อมูล KIOXIA CD8P Series เหมาะสมอย่างยิ่งกับเซิร์ฟเวอร์ที่ใช้งานทั่วไปและสภาพแวดล้อมคลาวด์ที่สามารถใช้ประโยชน์จากประสิทธิภาพ PCIe® 5.0 (32GT/s x4) แอปพลิเคชันศูนย์ข้อมูลเหล่านี้สามารถสร้างปริมาณงานผสมที่ซับซ้อนกระจายไปทั่วระบบเวอร์ชวลไลเซชันขนาดใหญ่ในศูนย์ข้อมูลการปฏิบัติงาน 24×7 ไดรฟ์ใหม่มีความจุสูงถึง 30.72 เทราไบต์ (TB) [1] และใน Enterprise and Datacenter Standard Form Factor (EDSFF) ทั้ง E3.S และ 2.5 นิ้ว (U.2)
PCIe(R) 5.0 SSD สำหรับองค์กรและโครงสร้างพื้นฐานของศูนย์ข้อมูล: KIOXIA CD8P Series (ภาพ: Business Wire)
KIOXIA CD8P Series ได้รับการปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงาน ความหน่วง พลังงานที่ลดลงและความร้อนของสภาพแวดล้อมศูนย์ข้อมูลที่ประสิทธิภาพการใช้พลังงานและการระบายความร้อนเป็นสิ่งสำคัญ KIOXIA CD8P Series มอบความสามารถในการคาดการณ์และความสม่ำเสมอที่จำเป็นสำหรับประสบการณ์การใช้งานที่ราบรื่น
KIOXIA CD8P Series ตระหนักถึงประสิทธิภาพการอ่านตามลำดับที่เพิ่มขึ้นประมาณ 60% ถึง 80% เมื่อเทียบกับ PCIe 4.0 SSD รุ่นก่อนหน้า ซึ่งรวมถึง:
• ประสิทธิภาพการอ่านแบบสุ่ม [2] สูงถึง 2,000K IOPS [3] และประสิทธิภาพการเขียนแบบสุ่ม [2] สูงถึง 400K IOPS
• เวลาแฝงเปอร์เซ็นไทล์ต่ำและสม่ำเสมอที่ 99.999 ซึ่งต่ำกว่า 250us ในปริมาณงานการอ่านแบบสุ่มมาตรฐาน [4] และต่ำกว่า 1.8ms ในปริมาณงานผสมสไตล์ OLTP มาตรฐาน [5]
• การออกแบบพอร์ตเดียว ปรับให้เหมาะสมสำหรับปริมาณงานระดับศูนย์ข้อมูล
ไดรฟ์ศูนย์ข้อมูลใหม่ใช้เทคโนโลยี KIOXIA BiCS FLASH™ generation 5 ซึ่งเป็นเทคโนโลยี 3D flash memory triple-level cell (TLC) และใช้คอนโทรลเลอร์ที่พัฒนาขึ้นเอง KIOXIA CD8P Series SSD เป็นไปตามข้อกำหนด PCIe 5.0 และ NVMe™ 2.0 รวมถึง NVM Express™ Management Interface (NVMe-MI™) v1.1d และรองรับ Open Compute Project (OCP) Datacenter NVMe Specifications (ไม่ใช่ข้อกำหนดทั้งหมด)
คุณสมบัติและประโยชน์เพิ่มเติมรวมถึง:
• ความน่าเชื่อถือของข้อมูลเต็มรูปแบบพร้อมการปกป้องข้อมูลแบบ end-to-end, การป้องกันไฟฟ้าดับ และการกู้คืนความล้มเหลวของแฟลชไดย์
• ตัวเลือกความปลอดภัย: Non-SED, SIE และ SED (TCG Opal และ Ruby SSCs) [6]
ไดรฟ์ KIOXIA CD8P Series สามารถสุ่มตัวอย่างเพื่อเลือกลูกค้าได้แล้ว
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
ข้อมูลผลิตภัณฑ์ซีรีส์ KIOXIA CD8P Series
https://www.kioxia.com/en-jp/business/ssd/data-center-ssd.html#cd-series
หมายเหตุ
[1] ผลิตภัณฑ์ฟอร์มแฟกเตอร์ E3.S จะมีจำหน่ายในความจุตั้งแต่ 1.6TB ถึง 15.36TB
ผลิตภัณฑ์ฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 2.5 นิ้วจะมีจำหน่ายในความจุตั้งแต่ 1.6TB ถึง 30.72TB
[2] เงื่อนไข: ขนาดบล็อก 4KiB, จัดแนว 4KiB, สุ่ม 100%
[3] IOPS: อินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I/O ต่อวินาที)
[4] เงื่อนไข: ขนาดบล็อก 4KiB, จัดแนว 4KiB, QD = 32, สุ่ม 100%, อ่าน 100% สำหรับความจุ 3,200 GB ถึง 7,680 GB
[5] เงื่อนไข: ขนาดบล็อก 4KiB, จัดแนว 4KiB, QD = 32, สุ่ม 100%, อ่าน 70% สำหรับความจุ 3,200 GB ขึ้นไป
[6] ความพร้อมใช้งานของตัวเลือกความปลอดภัย/การเข้ารหัสอาจแตกต่างกันไปตามภูมิภาค
คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุในการจัดเก็บโดยใช้ยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1 GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1 TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุในการจัดเก็บน้อยลง ความจุที่ใช้ได้ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป
ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์โฮสต์ เงื่อนไขการอ่านและเขียน และขนาดไฟล์
SIE: โมเดลตัวเลือก Sanitize Instant Erase รองรับ Crypto Erase ซึ่งเป็นคุณสมบัติมาตรฐานที่กำหนดโดยคณะกรรมการด้านเทคนิค (T10) ของ INCITS (คณะกรรมการระหว่างประเทศสำหรับมาตรฐานเทคโนโลยีสารสนเทศ)
SED: โมเดลตัวเลือก Self-Encrypting Drive รองรับ TCG Opal และ Ruby SSC ไม่รองรับคุณสมบัติบางอย่างของ TCG Opal SSC
PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
NVMe, NVM Express และ NVMe-MI เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ
ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม
ข้อมูลทั้งหมดที่ระบุในบทความนี้อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและ Solid-State Drives (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนหน้าได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและหน่วยความจำ – คุณค่าต่อสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล
ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
Kioxia Group
Global Sales Offices
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html
*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่:
https://www.businesswire.com/news/home/53512769/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
ติดต่อ
ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404
แหล่งที่มา: Kioxia Corporation
KIOXIA SSD ได้รับการอนุมัติความเข้ากันได้กับโอสบัสของ Adaptec และอแดปเตอร์ SmartRAID จาก Microchip
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–15 มิถุนายน 2023
วันนี้ Kioxia Corporationผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศว่า PCIe® 4.0 NVMe™ และ SAS SSD ผ่านการทดสอบความเข้ากันได้และสามารถทำงานร่วมกันกับ Adaptec® HBA 1200 Series ของ Microchip Technology Inc., โฮสบัสอะแดปเตอร์ (HBA) ของ SmartHBA 2200 Series และ SmartRAID 3200 อะแดปเตอร์ RAID ซีรีส์
KIOXIA SSD ผ่านการทดสอบความเข้ากันได้และสามารถทำงานร่วมกันกับ Adaptec® Host Bus และอะแดปเตอร์ SmartRAID ของไมโครชิป (ภาพ: Business Wire)
ในฐานะที่เป็นหนึ่งในพอร์ตโฟลิโอ SSD ที่กว้างขวางที่สุดในอุตสาหกรรม ไดรฟ์ KIOXIA พร้อมใช้งานสำหรับไคลเอ็นต์พีซี เช่นเดียวกับศูนย์ข้อมูล เซิร์ฟเวอร์ระดับไฮเปอร์สเกลและองค์กร และระบบจัดเก็บข้อมูล KIOXIA CD6, CD8 และ CM6 Series PCIe 4.0 NVMe SSD และ KIOXIA PM6 และ PM7 Series 24G SAS SSD เสร็จสิ้นการทดสอบความเข้ากันได้ที่ดำเนินการโดย Microchip
Smart Storage Adapters ของ Microchip นำประสิทธิภาพ ความสามารถ การจัดการ และการทำงานร่วมกันที่เป็นผู้นำตลาด ซึ่งให้ความยืดหยุ่นในการออกแบบด้วยความสามารถในการใช้งานอุปกรณ์เก็บข้อมูล NVMe, SAS และ SATA ในการเชื่อมต่อเดียว และนำเสนอโซลูชัน Tri-mode HBA ที่หลากหลายรวมถึงรุ่น 32 พอร์ต
ความสำเร็จโดยรวมของโครงสร้างพื้นฐานศูนย์ข้อมูลยุคหน้าขึ้นอยู่กับการทำงานร่วมกันของระบบนิเวศและความพยายามในการทำงานร่วมกันเพื่อให้ผลิตภัณฑ์และเทคโนโลยีในปัจจุบันและอนาคตทำงานร่วมกันได้อย่างราบรื่น ในฐานะผู้นำด้าน SSD สำหรับองค์กรและศูนย์ข้อมูล Kioxia มุ่งมั่นที่จะขับเคลื่อนอุตสาหกรรมไปข้างหน้าด้วยโซลูชันหน่วยความจำที่เป็นนวัตกรรมใหม่ที่ขับเคลื่อนแอปพลิเคชันและบริการคลื่นลูกใหม่
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
กลุ่มผลิตภัณฑ์ SSD สำหรับองค์กร, Data Center SSD และ Client SSD ของ Kioxia
https://www.kioxia.com/en-jp/business/ssd.html
*ชื่อ Microchip และ Adaptec เป็นเครื่องหมายการค้าของ Microchip Technology Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม
เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยทรงจำ” โดยการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าบนหน่วยความจำสำหรับสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง ซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล
*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53419931/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
รายชื่อผู้ติดต่อ
คำถามของลูกค้า:
บริษัท Kioxia
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html
สอบถามข้อมูลสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทย์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404
ที่มา: Kioxia Corporation
Kioxia เปิดตัวอุปกรณ์ Next-Generation UFS เวอร์ชัน 4.0
อุปกรณ์ 256GB, 512GB และ 1TB ใหม่ช่วยให้สดมาร์ทโฟนและแอปพลิเคชันมือถือใช้ประโยชน์จากเครือข่าย 5G ได้
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–31 พฤษาภาคม 2023
การพัฒนาเทคโนโลยี Universal Flash Storage[1] (UFS) ไปข้างหน้าอย่างต่อเนื่องโดย Kioxia Corporation ซึ่งเป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศการสุ่มตัวอย่างของอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 ที่มีประสิทธิภาพสูงกว่า อุปกรณ์เหล่านี้ให้ความเร็วในการโอนหน่วยเก็บข้อมูลแบบฝังตัวที่รวดเร็วด้วยขนาดแพ็คเกจที่เล็ก และมีเป้าหมายสำหรับแอพพลิเคชั่นมือถือที่หลากหลายรุ่นต่อไป รวมถึงสมาร์ทโฟนระดับแนวหน้า ประสิทธิภาพที่ได้รับการปรับปรุงจากผลิตภัณฑ์ UFS ของ Kioxia ช่วยให้แอปพลิเคชันเหล่านี้สามารถใช้ประโยชน์ด้านการเชื่อมต่อของ 5G ซึ่งทำให้ดาวน์โหลดได้เร็วขึ้น ลดเวลาหน่วง และปรับปรุงประสบการณ์ผู้ใช้
Kioxia: อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 (ภาพ: Business Wire)
อุปกรร์ UFS เวอร์ชัน 4.0 จาก Kioxia รวมหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D ที่เป็นนวัตกรรมของบริษัทและตัวควบคุมในแพ็คเกจมาตรฐาน JEDEC โดย UFS 4.0 รวม MIPI M-PHY 5.0 และ UniPro 2.0 และรองรับความเร็วอินเทอร์เฟซตามทฤษฎีสูงถึง 23.2Gbps ต่อเลนหรือ 46.4Gbps ต่ออุปกรณ์ UFS 4.0 เข้ากันได้กับ UFS 3.1 แบบย้อนหลัง
คุณสมบัติที่สำคัญ ได้แก่
- การปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานเหนือรุ่นก่อนหน้า[3]: การเขียนตามลำดับ +18%, การเขียนแบบสุ่ม +30% และการอ่านแบบสุ่ม +13%
- รองรับฟีเจอร์ High Speed Link Startup Sequence (HS-LSS): โดย UFS ทั่วไป การเริ่มต้นลิงก์ (ลำดับการเริ่มต้นของ M-PHY และ UniPro) ระหว่างอุปกรณ์และโฮสต์จะทำงานที่ PWM-G1 ความเร็วต่ำ (3~9Mbps[4]) แต่ด้วย HS-LSS สามารถทำงานได้ที่ความเร็ว HS-G1 อัตรา A (1248Mbps) ซึ่งคาดว่าจะลดเวลาในการเริ่มต้นลิงก์ได้ประมาณ 70% เมื่อเทียบกับวิธีการทั่วไป
- ปรับปรุงความปลอดภัย: ในการใช้ Advanced RPMB (Replay Protected Memory Block) เพื่อการเข้าถึงการอ่านและเขียนข้อมูลความปลอดภัยที่รวดเร็วยิ่งขึ้น เช่น ข้อมูลประจำตัวของผู้ใช้ในพื้นที่ RPMB และ RPMB Purge เพื่อให้แน่ใจว่ามีการล้างข้อมูลที่ถูกละทิ้งอย่างปลอดภัยและรวดเร็ว
- รองรับ Extended Initiator ID (Ext-IID): มีวัตถุประสงค์เพื่อกับ Multi Circular Queue (MCQ) ที่โฮสต์คอนโทรลเลอร์ UFS 4.0 เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานแบบสุ่ม
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
ข้อมูลผลิตภัณฑ์ของอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 ของ Kioxia
https://www.kioxia.com/en-jp/business/memory/mlc-nand/ufs4.html
หมายเหตุ
[1] Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับกลุ่มผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังตัวที่สร้างขึ้นตามข้อกำหนดมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากเป็นอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงสนับสนุนการดูเพล็กซ์เต็มรูปแบบ ซึ่งช่วยให้สามารถอ่านและเขียนพร้อมกันระหว่างหน่วยประมวลผลโฮสต์และอุปกรณ์ UFS
[2] อุปกรณ์ใหม่ล่าสุดของบริษัทรองรับสามความจุ: 256 กิกะไบต์ (GB), 512GB และ 1 เทราไบต์ (TB) การจัดส่งตัวอย่างของอุปกรณ์ 256GB และ 512GB เริ่มในเดือนนี้ โดยมีกำหนดจัดส่งอุปกรณ์ 1TB หลังจากเดือนตุลาคม ข้อมูลจำเพาะของตัวอย่างอาจแตกต่างจากผลิตภัณฑ์เชิงพาณิชย์
[3] เมื่อเปรียบเทียบอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 ขนาด 512 GB ใหม่ของ Kioxia 4.0 และอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 ขนาด 512 GB รุ่นก่อนหน้าของ Kioxia (หมายเลขชิ้นส่วน THGJFJT2T85BAT0)
[4] ความเร็วในการสื่อสาร PWM-G1 ขึ้นอยู่กับโฮสต์และอุปกรณ์
*ในการกล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia ทุกครั้ง: ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่จำนวนความจุหน่วยความจำที่มีให้สำหรับการจัดเก็บข้อมูลโดยผู้ใช้ปลายทาง ความจุที่ผู้บริโภคใช้งานได้จะน้อยลงเนื่องจากพื้นที่ข้อมูลส่วนหัว การจัดรูปแบบ บล็อกเสีย และข้อจำกัดอื่นๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และแอปพลิเคชัน สำหรับรายละเอียด โปรดดูข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง คำจำกัดความของ 1KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คำจำกัดความของ 1Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ 1Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต
*ความเร็วในการอ่านและเขียนเป็นค่าที่ดีที่สุดที่ได้รับจากสภาพแวดล้อมการทดสอบเฉพาะที่ Kioxia Corporation และ Kioxia Corporation ไม่รับประกันความเร็วในการอ่านหรือเขียนในอุปกรณ์แต่ละตัว ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียน
*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม
เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนหน้าได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าต่อสังคมที่ใช้หน่วยความจำ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia หรือ BiCS FLASH™ กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล
*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53408968/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
ติดต่อ
ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html
ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404
แหล่งที่มา: Kioxia Corporation
Kioxia เตรียมจัดแสดง SSD ระดับ Consumer ใหม่ที่มอบประสิทธิภาพ PCIe® 4.0 ที่งาน COMPUTEX
การจัดแสดงข้อมูลอ้างอิงเพื่อนำเสนอความเร็วในการอ่านตามลำดับประมาณ 5,000 MB/s สำหรับพีซีเกมประสิทธิภาพสูง เดสก์ท็อป และโน้ตบุ๊ก
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–25 พฤษภาคม 2023
Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศเปิดตัว SSD ระดับ consumer รุ่นใหม่ที่มีกำหนดวางจำหน่ายในไตรมาสที่สามของปี 2023 โดย EXCERIA PLUS G3 Series จะใช้ประโยชน์จากเทคโนโลยี PCIe® 4.0 และให้ความจุสูงถึง 2 เทราไบต์ (TB) ซีรีส์ใหม่นี้เหมาะสำหรับผู้ใช้ทั่วไปที่ใช้พีซีสำหรับเล่นเกมประสิทธิภาพสูง เดสก์ท็อป และโน้ตบุ๊ก โดยนำเสนอความเร็วและราคาที่ย่อมเยาที่พวกเขาต้องการ EXCERIA PLUS G3 Series ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์ที่อยู่ระหว่างการพัฒนา จะจัดแสดงอ้างอิงที่งาน COMPUTEX TAIPEI ตั้งแต่วันที่ 30 พฤษภาคม ถึง 2 มิถุนายน ที่ศูนย์นิทรรศการ Taipei Nangang
SSD ระดับ Consumer รุ่น EXCERIA PLUS G3 Series ของ Kioxia มอบประสิทธิภาพ PCIe® 4.0 (ภาพ: Business Wire)
นำเสนอหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D TLC (เซลล์สามระดับ) ของ Kioxia โดย EXCERIA PLUS G3 Series ใช้ฟอร์มแฟคเตอร์ด้านเดียวประเภท M.2 2280 ที่เหมาะสำหรับทั้งเดสก์ท็อปและระบบมือถือ ไดรฟ์ใหม่จะรองรับซอฟต์แวร์ SSD Utility Management ของ Kioxia ซึ่งช่วยผู้ใช้ในการตรวจสอบและบำรุงรักษา SSD
จุดเด่นของ EXCERIA PLUS G3 Series ได้แก่
- ใช้เทคโนโลยี PCIe® 4.0 และ NVMe™ 1.4
- มอบความเร็วในการอ่านต่อเนื่องสูงสุดประมาณ 5,000 เมกะไบต์ต่อวินาที (MB/s) [1] (เบื้องต้น)
- ฟอร์มแฟคเตอร์ M.2 2280 ด้านเดียว
- มอบประสิทธิภาพการใช้พลังงานเพิ่มขึ้นสูงสุดประมาณ 70% ที่ความเร็วการอ่านตามลำดับสูงสุดเมื่อเทียบกับ EXCERIA PLUS G2 Series รุ่นก่อนหน้า[2] (เบื้องต้น)
หมายเหตุ
[1] ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับปัจจัยต่าง ๆ เช่น อุปกรณ์โฮสต์ ซอฟต์แวร์ (ไดรเวอร์ ระบบปฏิบัติการ ฯลฯ) และเงื่อนไขการอ่าน/เขียน
[2] จากการวิจัย Kioxia (ณ วันที่ 25 พฤษภาคม 2023) ค่าเหล่านี้คือความเร็วในการอ่านที่ดีที่สุดต่อการใช้พลังงานที่ได้รับในสภาพแวดล้อมการทดสอบเฉพาะที่ Kioxia Corporation
*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์รายงานความจุของหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้ยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 230 = 1,073,741,824 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุน้อยกว่า ความจุที่มีอยู่ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่าง ๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ เช่น ระบบปฏิบัติการ Microsoft และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป
*กลุ่มผลิตภัณฑ์ส่วนบุคคลจะแตกต่างกันไปตามประเทศและภูมิภาค
*ภาพสินค้าอาจแตกต่างจากสินค้าจริง
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ
*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม
*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 นั้น Toshiba Memory รุ่นก่อนหน้าได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 โดย Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าของหน่วยความจำที่มีต่อสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53406125/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
ติดต่อ
ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Satoshi Shindo
โทร: +81-3-6478-2404
แหล่งที่มา: Kioxia Corporation
Kioxia เปิดตัวไคลเอนต์ SSD Series BG6 ใหม่ นำประสิทธิภาพ PCIe® 4.0 และราคาย่อมเยามาสู่กระแสหลัก
ไดรฟ์ใหม่มีหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นที่ 6; SSD 2,048GB รักษาฟอร์มแฟคเตอร์ M.2 2230
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–23 พฤษภาคม 2023
Kioxia Corporation วันนี้ประกาศการเพิ่ม KIOXIA BG6 Series ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ไดรฟ์โซลิดสเทต PCIe® 4.0 (SSD) ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์แรกที่มีหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D เจนเนอเรชั่นที่ 6 ของบริษัท[1] และประสิทธิภาพเกือบ 1.7 เท่าของรุ่นก่อน[2] ซึ่งออกแบบมาเพื่อปลดปล่อยความเร็วที่เพิ่มขึ้นและความสามารถในการจ่ายของ PCIe® 4.0 สำหรับผู้ใช้พีซี KIOXIA BG6 Series ไคลเอนต์ SSD ที่ทรงพลังและกะทัดรัดนำเสนอฟอร์มแฟคเตอร์ M.2 2230 แบบแยกพร้อมความจุที่สูงขึ้นและประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดีขึ้น มีเวอร์ชันฟอร์มแฟกเตอร์ด้านเดียว M.2 2280 ให้ใช้งานด้วย KIOXIA BG6 Series จะเริ่มสุ่มตัวอย่างในช่วงครึ่งหลังของปี 2023 สำหรับการประเมินของลูกค้า OEM
SSD แบบไคลเอ็นท์ KIOXIA BG6 Series มอบประสิทธิภาพและความคุ้มค่าของ PCIe® 4.0 สู่ตลาดกระแสหลัก (ภาพ: Business Wire)
KIOXIA BG6 Series ปลดล็อกประสิทธิภาพของแฟลชแบบแบ็คเอนด์ในขณะที่ยังคงราคาย่อมเยาและเพิ่มความจุ ทำให้เป็นตัวเลือกที่น่าสนใจเป็นพิเศษสำหรับโน้ตบุ๊กและเดสก์ท็อปเชิงพาณิชย์และสำหรับผู้บริโภค ไดรฟ์ KIOXIA BG6 รองรับเทคโนโลยี Host Memory Buffer (HMB) ที่ครบกำหนด ซึ่งใช้ส่วนหนึ่งของหน่วยความจำโฮสต์ (DRAM) ราวกับว่ามันเป็นของตนเอง เพื่อให้ได้ SSD ประสิทธิภาพสูงที่ไม่มี DRAM
คุณลักษณะและคุณประโยชน์เพิ่มเติมประกอบด้วย:
- ความจุ 256 กิกะไบต์ (GB), 512 GB, 1,024 GB และ 2,048 GB[3]
- PCIe® อินเทอร์เฟซ 64 กิกะทรานเฟอร์ต่อวินาที (GT/s) (Gen4 x4 เลน)
- การอ่านตามลำดับสูงสุด 6,000 เมกะไบต์ต่อวินาที (MB/s) และการเขียนตามลำดับ 5,300 MB/s
- สูงถึง 850,000 IOPS[4] การอ่านแบบสุ่มและการเขียนแบบสุ่ม 900,000 IOPS
- การสนับสนุนในอนาคตสำหรับชุดคุณลักษณะ NVMe™ 1.4c และคำสั่งการจัดการพื้นฐานผ่าน System Management Bus (SMBus) ทำให้สามารถจัดการระบายความร้อนได้แน่นขึ้น
- รองรับมาตรฐาน TCG Pyrite และ Opal ล่าสุด[5] เช่นเดียวกับการปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร ทำให้มั่นใจได้ว่าข้อมูลจะปลอดภัยไม่ว่าจะอยู่ที่บ้านหรือในสำนักงาน
- รองรับสัญญาณแจ้งเตือนไฟฟ้าดับเพื่อป้องกันข้อมูลจากการบังคับปิดเครื่อง
- สัญญาณแถบข้าง (PERST#, CLKREQ# และ PLN#) รองรับทั้ง 1.8V และ 3.3V
- รองรับคุณสมบัติการกู้คืนเฟิร์มแวร์ของแพลตฟอร์ม
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
กลุ่มผลิตภัณฑ์ SSD ไคลเอนต์ของ Kioxia รวมถึงรายละเอียดของ KIOXIA BG6 Serieshttps://www.kioxia.com/en-jp/business/ssd/client-ssd.html
หมายเหตุ
[1] SSD 256 GB และ 512 GB ใช้หน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นที่ 5
[2] เปรียบเทียบ KIOXIA BG5 Series กับ BG6 Series
[3] คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์รายงานความจุของพื้นที่เก็บข้อมูลโดยใช้ยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุที่น้อยกว่า ความจุที่มีอยู่ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การฟอร์แมต การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตแล้วตามจริงอาจแตกต่างกันไป
[4] IOPS: อินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I/O ต่อวินาที)
[5] ความพร้อมใช้งานของตัวเลือกความปลอดภัย/การเข้ารหัสอาจแตกต่างกันไปตามภูมิภาค
*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม
เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและมูลค่าบนหน่วยความจำสำหรับสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง ซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล
คำถามของลูกค้า:
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html
*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงข้อกำหนด เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53405194/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
รายชื่อติดต่อ
ฝ่ายสอบถามสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404
ที่มา: Kioxia Corporation
Kioxia เป็นรายแรกที่เปิดตัว EDSFF SSD บนระบบ Hewlett Packard Enterprise
KIOXIA CD7 Series EDSFF E3.S ไดรฟ์แบบฟอร์มแฟกเตอร์พร้อมส่งบนเซิร์ฟเวอร์และพื้นที่จัดเก็บ HPE ที่คัดสรรแล้ว
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–17 พฤษภาคม 2023
Kioxia Corporation ประกาศในวันนี้ว่ากลุ่มผลิตภัณฑ์ KIOXIA CD7 Series EDSFF (ฟอร์มแฟกเตอร์มาตรฐานขององค์กรและศูนย์ข้อมูล) E3.S NVMe™ SSD พร้อมใช้งานแล้วบนเซิร์ฟเวอร์และพื้นที่เก็บข้อมูลจาก Hewlett Packard Enterprise (HPE)
KIOXIA CD7 E3.S Series ศูนย์ข้อมูล NVMe(TM) SSDs (ภาพ: Business Wire)
ไดรฟ์ EDSFF[1] ตัวแรกของอุตสาหกรรมที่ออกแบบด้วยเทคโนโลยี PCIe® 5.0, KIOXIA CD7 Series E3.S SSD เพิ่มความหนาแน่นของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลแบบแฟลชต่อไดรฟ์เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงานและการรวมแร็ค[2] เซิร์ฟเวอร์ HPE ProLiant Gen11 ซึ่งเป็นเซิร์ฟเวอร์จัดเก็บข้อมูล HPE Alletra 4000 และ HPE Synergy 480 Gen11 Compute Module เปิดใช้งานด้วยอินเทอร์เฟซ PCIe® 5.0 ล่าสุด ทำให้มีประสิทธิภาพมากกว่า PCIe® 4.0 ถึงสองเท่า และมาพร้อมกับช่องใส่ไดรฟ์ EDSFF E3.S ที่เป็นอุปกรณ์เสริม
ด้วยวิวัฒนาการตามธรรมชาติของฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 2.5 นิ้ว[3] EDSFF E3.S ได้รับการออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการของที่จัดเก็บข้อมูลแบบแฟลชประสิทธิภาพสูง E3.S ช่วยให้การปรับใช้มีความหนาแน่นและมีประสิทธิภาพมากขึ้นในยูนิตแร็คเดียวกัน เมื่อเทียบกับไดรฟ์ขนาด 2.5 นิ้ว ในขณะที่ปรับปรุงคุณสมบัติการทำความเย็นและระบายความร้อน และเพิ่มความจุได้ถึง 1.5 ถึง 2 เท่า
ความจุตั้งแต่ 1,920 ถึง 7,680 กิกะไบต์ (GB) ทำให้ KIOXIA CD7 E3.S Series ระดับศูนย์ข้อมูล NVMe™ 1.4 SSD เป็นไปตามข้อกำหนด EDSFF E3.S และมีความทนทาน 1 DWPD[4] ที่เน้นการอ่าน
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง: หน้าผลิตภัณฑ์ของ KIOXIA CD7 E3.S Series
https://www.kioxia.com/en-jp/business/ssd/data-center-ssd/cd7-r-e3s.html
หมายเหตุ
[1] ณ วันที่ 9 พฤศจิกายน 2021 อ้างอิงจากการสำรวจข้อมูลอุตสาหกรรมที่เปิดเผยต่อสาธารณะ
[2] เปรียบเทียบกับ SSD ฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 2.5 นิ้ว
[3] 2.5 นิ้วหมายถึงฟอร์มแฟกเตอร์ของ SSD ไม่ใช่ขนาดจริง
[4] DWPD: เขียนไดรฟ์ต่อวัน การเขียนเต็มไดรฟ์หนึ่งครั้งต่อวันหมายความว่าสามารถเขียนและเขียนไดรฟ์ซ้ำได้เต็มความจุวันละครั้งทุกวันภายใต้เวิร์กโหลดที่ระบุตลอดอายุการใช้งานที่ระบุ ผลลัพธ์จริงอาจแตกต่างกันไปเนื่องจากการกำหนดค่าระบบ การใช้งาน และปัจจัยอื่น ๆ
*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุในการจัดเก็บโดยใช้ยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุในการจัดเก็บน้อยกว่า ความจุที่ใช้ได้ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่าง ๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ โดยความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป
*HEWLETT PACKARD ENTERPRISE, HEWLETT PACKARD, HPE เป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัท Hewlett Packard Enterprise และ/หรือบริษัทในเครือ
*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม
เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนหน้าได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าของหน่วยความจำต่อสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, PC, SSD, ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล
ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html
*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อนั้นถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53401913/en
ติดต่อ
ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อมวลชน:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404
แหล่งที่มา: Kioxia Corporation
Kioxia และ HPE ร่วมมือกันเพื่อส่ง SSDs สู่อวกาศ ณ สถานีอวกาศนานาชาติ
โครงการ HPE Spaceborne Computer-2 นำเสนอ KIOXIA SSDs ในระบบ HPE Edgeline Converged Edge และเซิร์ฟเวอร์ HPE ProLiant ที่ใช้สำหรับการทดลองวิจัย
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–28 กุมภาพันธ์ 2023
วันนี้ Kioxia Corporation ได้ประกาศการเข้าร่วมอย่างภาคภูมิในโปรแกรม Hewlett Packard Enterprise (HPE) Spaceborne Computer-2 (SBC-2) ในฐานะส่วนหนึ่งของโครงการ KIOXIA SSDs มอบพื้นที่จัดเก็บข้อมูลแฟลชที่มีประสิทธิภาพในเซิร์ฟเวอร์ HPE Edgeline และ HPE ProLiant ในสภาพแวดล้อมการทดสอบเพื่อดำเนินการทดลองทางวิทยาศาสตร์บนสถานีอวกาศนานาชาติ (ISS)
จะมีการนำเสนอ KIOXIA SSD ในโครงการ HPE Spaceborne Computer-2 บนสถานีอวกาศนานาชาติ (ภาพ: Business Wire)
HPE Spaceborne Computer-2 ซึ่งเป็นระบบ Edge Computing เชิงพาณิชย์ในอวกาศเครื่องแรกและระบบที่เปิดใช้งาน AI ที่ทำงานบนสถานีอวกาศนานาชาติ เป็นส่วนหนึ่งของภารกิจที่ยิ่งใหญ่กว่าในการยกระดับการประมวลผลอย่างมีนัยสำคัญและลดการพึ่งพาการสื่อสารในขณะที่การสำรวจอวกาศขยายตัวอย่างต่อเนื่อง ตัวอย่างเช่น นักบินอวกาศสามารถมีอิสระที่เพิ่มขึ้นโดยการประมวลผลข้อมูลโดยตรงบนสถานีอวกาศนานาชาติ ทำให้ไม่จำเป็นต้องส่งข้อมูลดิบมายังโลกเพื่อประมวลผล วิเคราะห์ และส่งกลับไปยังอวกาศ
HPE SBC-2 ได้รับการออกแบบมาเพื่อใช้งานการประมวลผลประสิทธิภาพสูงต่างๆ ในอวกาศ รวมถึงการประมวลผลภาพแบบเรียลไทม์ การเรียนรู้เชิงลึก และการจำลองทางวิทยาศาสตร์ โดย HPE SBC-2 ใช้การผสมผสานระหว่างโซลูชันการประมวลผลขอบของ HPE รวมถึง HPE Edgeline Converged Edge System ซึ่งเป็นระบบที่ทนทานและกะทัดรัด และเซิร์ฟเวอร์ HPE ProLiant สำหรับการทำงานที่มีประสิทธิภาพสูง HPE SBC-2 กำหนดเป้าหมายปริมาณงานที่หลากหลายและได้ช่วยความก้าวหน้าในด้านการดูแลสุขภาพ การประมวลผลภาพ การกู้คืนภัยพิบัติทางธรรมชาติ การพิมพ์ 3 มิติ 5G AI และอื่นๆ แล้ว
ในฐานะผู้สนับสนุน HPE SBC-2 Kioxia ได้จัดหา SSD ที่ใช้แฟลช รวมถึง KIOXIA RM Series Value SAS และ KIOXIA XG Series NVMe™ SSD เพื่อเปิดใช้งานโซลูชันเหล่านี้ SSD ที่ใช้แฟลชเหล่านี้เหมาะสมกว่าที่จัดเก็บฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์แบบดั้งเดิม เพื่อให้สามารถทนต่อข้อกำหนดด้านพลังงาน ประสิทธิภาพ และความน่าเชื่อถือของพื้นที่ภายนอก เนื่องจากไม่มีชิ้นส่วนที่เคลื่อนไหว ไวต่อคลื่นแม่เหล็กไฟฟ้าน้อยกว่า และให้ประสิทธิภาพที่รวดเร็วกว่า
Kioxia ร่วมมือกับ HPE เพื่อสร้างโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลที่ดีที่สุดในระดับเดียวกันเป็นเวลาหลายปี และผลิตภัณฑ์ของบริษัทช่วยให้โซลูชัน HPE มีความหลากหลาย ตั้งแต่อุปกรณ์เคลื่อนที่ ศูนย์ข้อมูล ไปจนถึงองค์กร
*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม
เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าบนหน่วยความจำสำหรับสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล
*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคา และข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: www.businesswire.com/news/home/53353109/en
ติดต่อ
บริการสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนเชิงกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทรศัพท์: +81-3-6478-2404
ที่มา: Kioxia Corporation
Kioxia ประกาศเปิดตัว EDSFF E1.S SSD รุ่นใหม่สำหรับศูนย์ข้อมูลไฮเปอร์สเกล
KIOXIA รุ่น XD7P Data Center NVMe™ SSDs ใหม่ ได้ปรับปรุงประสิทธิภาพให้ดียิ่งขึ้น ซึ่งได้รับการออกแบบด้วยเทคโนโลยี PCIe® 5.0
TOKYO—(BUSINESS WIRE)—19 ตุลาคม 2022
สานต่อภารกิจของบริษัทในการรับมือกับความต้องการเฉพาะของแอปพลิเคชันระดับองค์กรและศูนย์ข้อมูล Kioxia Corporation จึงได้ประกาศความสำเร็จด้วยการเปิดตัว KIOXIA รุ่น XD7P Data Center NVMe SSDs ที่ออกแบบมาสำหรับไฮเปอร์สเกลและเซิรฟ์เวอร์ทั่วไป ไดรฟ์ KIOXIA รุ่น XD7P ได้รับการออกแบบมาสำหรับแอปพลิเคชันเซิร์ฟเวอร์แบบไฮเปอร์สเกลและแบบทั่วไปในองค์กรใหม่ และฟอร์มแฟกเตอร์มาตรฐานของศูนย์ข้อมูล (EDSFF) ฟอร์มแฟกเตอร์ E1.S ไดรฟ์ KIOXIA รุ่น XD7P เป็นรุ่นที่สองของ E1.S SSD ของ Kioxia ซึ่งรองรับOpen Compute Project (OCP) Data Center NVMe SSD ต่อจาก KIOXIA รุ่น XD6 ไดรฟ์ KIOXIA รุ่น XD7P นั้นอยู่ระหว่างการสุ่มตัวอย่างเพื่อเลือกลูกค้า
EDSFF E1.S SSDs รุ่นใหม่สำหรับศูนย์ข้อมูลไฮเปอร์สเกล: KIOXIA XD7P รุ่น Data Center NVMe™ SSDs (ภาพ: Business Wire)
KIOXIA รุ่น XD7P Data Center NVMe SSD ให้ประสิทธิภาพโดยรวมที่ดีขึ้น อีกทั้งยังบรรลุประสิทธิภาพในการไรท์ตามลำดับเกือบ 1.5 ถึง 2 เท่า และสุ่มเปรียบเทียบประสิทธิภาพในการอ่าน/ไรท์กับรุ่นก่อนหน้า
ไดรฟ์ KIOXIA รุ่น XD7P ได้รับการออกแบบตามข้อกำหนด PCIe 4.0 และ NVMe 2.0 อีกทั้งยังอยู่ระหว่างการพัฒนา PCIe 5.0 ที่มีความเร็วอินเทอร์เฟซสูงสุด 32 GT/s ต่อเลน ดังนั้น KIOXIA รุ่น XD7P จะวางจำหน่ายเบื้องต้นในรูปแบบ PCIe 4.0 SSD ส่วนแบบ PCIe 5.0 SSD นั้นจะจัดจำหน่ายตามความต้องการของลูกค้า
KIOXIA รุ่น XD7P ใช้ตัวควบคุม Kioxia ที่เหมาะสมซึ่งสามารถปรับแต่งได้ตามความต้องการของลูกค้า โดยใช้เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นที่ 5 ของ Kioxia เป็นพื้นฐาน ฟอร์มแฟกเตอร์ E1.S จะมีความสูงที่ 9.5 มม. 15 มม. และ 25 มม. พร้อมตัวเลือกฮีตซิงก์ อีกทั้งยังมีความจุพร้อมใช้งานสูงสุดถึง 7.68 TB พร้อมความทนทาน 1 DWPD นอกจากนี้ ยังมีตัวเลือกการรักษาความปลอดภัย TCG Opal SSC SED อีกด้วย [2]
หมายเหตุ
[1] ตัวอย่างทางวิศวกรรมมีไว้สำหรับการประเมินลูกค้า OEM (ลูกค้าที่จ้างผลิตสินค้าเพื่อนำไปขายในแบรนด์ของตัวเอง) ข้อมูลคุณสมบัติอาจแตกต่างจากช่วงที่มีการผลิตเป็นจำนวนมาก
[2] ความพร้อมใช้งานของตัวเลือกความปลอดภัย/การเข้ารหัสอาจแตกต่างกันไปตามภูมิภาค
* DWPD: อัตราการไรท์ของไดรฟ์ต่อหนึ่งวัน (Drive Write(s) Per Day) หมายถึงไดรฟ์สามารถไรท์และรีไรท์ใหม่เต็มความจุได้วันละครั้งทุกวันเป็นระยะเวลาห้าปี ซึ่งเป็นระยะเวลาการรับประกันผลิตภัณฑ์ที่ระบุไว้ ในส่วนผลลัพธ์จริงอาจแตกต่างกันไปเนื่องจากการกำหนดค่าระบบ การใช้งาน และปัจจัยอื่น ๆ
*ความเร็วในการอ่านและไรท์อาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับเครื่องหลัก เงื่อนไขการอ่านและไรท์ และขนาดของไฟล์
*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation ได้กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์และเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์รายงานความจุในการจัดเก็บข้อมูลโดยใช้กำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงอาจแสดงค่าความจุน้อยลง ประสิทธิภาพความจุที่มี (รวมถึง ตัวอย่างของไฟล์มีเดียหลายไฟล์) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งเอาไว้ก่อน หรือเนื้อหาของมีเดียนั้น ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป
*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่ได้จดทะเบียนของบริษัท NVM Express, Inc ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำที่อุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 หน่วยความจำ Toshiba รุ่นก่อนได้แยกตัวออกจากบริษัท Toshiba Corporation ซึ่งเป็นผู้คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและมูลค่าตามหน่วยความจำสำหรับสังคม BiCS FLASH™ ซึ่งเป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia ซึ่งจะกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูงอันรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง เครื่องคอมพิวเตอร์ SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล
สอบถามข้อมูลลูกค้าได้ที่
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html
*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมทั้งราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของการบริการ และข้อมูลติดต่อนั้นเป็นข้อมูลที่ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ได้แจ้งให้ทราบล่วงหน้า
แกลลอรีรูปภาพ/มัลติมีเดีย
สามารถรับชมได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/52947783/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
ติดต่อ
สอบถามสื่อได้ที่
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404
ที่มา: Kioxia Corporation
