Tag Archives: kioxia

Featured, Technology

Kioxia เริ่มการผลิตอุปกรณ์หน่วยความจําแฟลชแบบฝัง QLC UFS Ver. 4.0 รุ่นแรกจำนวนมากสำหรับอุตสาหกรรม

Logo

อุปกรณ์ 512GB ใหม่นําความหนาแน่นบิตที่สูงขึ้นของ QLC มาสู่ UFS

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–30 ตุลาคม 2024

Kioxia Corporation ผู้นําระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจํา ประกาศในวันนี้ว่าได้เริ่มการผลิตอุปกรณ์หน่วยความจําแฟลชแบบฝัง1 Universal Flash Storage (UFS)2 Ver. 4.0 รุ่นแรกจำนวนมากสำหรับอุตสาหกรรมที่มีเทคโนโลยีบันทึกข้อมูล 4 บิตต่อเซลล์ (QLC)

QLC UFS Ver. 4.0 Embedded Flash Memory Devices (Photo: Business Wire)

อุปกรณ์หน่วยความจําแฟลชแบบฝัง QLC UFS Ver. 4.0 (ภาพ: Business Wire)

QLC UFS มีความหนาแน่นของบิตที่สูงกว่า TLC UFS แบบดั้งเดิม ทําให้เหมาะสําหรับแอปพลิเคชันเพื่อใช้งานบนอุปกรณ์เคลื่อนที่ที่ต้องการความจุในการจัดเก็บข้อมูลที่สูงขึ้น ความก้าวหน้าในเทคโนโลยีคอนโทรลเลอร์และการแก้ไขข้อผิดพลาดทําให้เทคโนโลยี QLC สามารถบรรลุเป้าหมายนี้ได้ ในขณะที่ยังคงประสิทธิภาพในการแข่งขันไว้ได้ QLC UFS ขนาด 512 กิกะไบต์ (GB) ใหม่ของ Kioxia มีความเร็วในการอ่านแบบเรียงสูงสุด 4,200 เมกะไบต์ต่อวินาที (MB/s) และความเร็วในการเขียนแบบเรียงสูงสุด 3,200 MB/s โดยใช้ประโยชน์จากความเร็วอินเทอร์เฟซ UFS 4.0 ได้อย่างเต็มที่

QLC UFS ของ Kioxia เหมาะอย่างยิ่งสําหรับสมาร์ทโฟนและแท็บเล็ต ตลอดจนแอปพลิเคชันรุ่นต่อไปอื่นๆ ที่ต้องคำนึงถึงความจุและประสิทธิภาพในการจัดเก็บข้อมูลที่สูงขึ้นเป็นหลัก รวมถึงพีซี เครือข่าย AR/VR และ AI

Kioxia เป็นบริษัทแรกที่เปิดตัวเทคโนโลยี UFS3 และยังคงพัฒนาผลิตภัณฑ์ใหม่อย่างต่อเนื่อง อุปกรณ์ QLC UFS Ver. 4.0 ใหม่นี้ผสานรวมหน่วยความจําแฟลช BiCS FLASH™ 3D ที่เป็นนวัตกรรมของบริษัทและคอนโทรลเลอร์ในแพ็คเกจมาตรฐาน JEDEC UFS 4.0 ผสานรวม MIPI M-PHY 5.0 และ UniPro 2.0 และรองรับความเร็วอินเทอร์เฟซเชิงทฤษฎีสูงสุด 23.2 กิกะบิตต่อวินาที (Gbps) ต่อเลนหรือ 46.4 Gbps ต่ออุปกรณ์ UFS 4.0 เข้ากันได้กับ UFS 3.1 รุ่นเก่าได้

คุณสมบัติหลัก ได้แก่ :

  • รองรับคุณสมบัติ High Speed Link Startup Sequence (HS-LSS): ด้วย UFS ทั่วไป การเริ่มต้นลิงค์ (ลําดับการเริ่มต้น M-PHY และ UniPro) ระหว่างอุปกรณ์และโฮสต์จะดําเนินการที่ PWM-G1 ความเร็วต่ำ (3~9 เมกะบิตต่อวินาที 4) แต่ด้วย HS-LSS สามารถทํางานได้ที่ HS-G1 Rate A ที่เร็วกว่า (1,248 เมกะบิตต่อวินาที) คาดว่าจะช่วยลดเวลาในการเริ่มต้นลิงค์ได้ประมาณ 70% เมื่อเทียบกับวิธีทั่วไป
  • เพิ่มความปลอดภัย: โดยใช้ Advanced RPMB (Replay Protected Memory Block) เพื่อปรับปรุงการเข้าถึงการอ่านและเขียนข้อมูลความปลอดภัย เช่น ข้อมูลประจําตัวของผู้ใช้ในพื้นที่ RPMB และ RPMB Purge เพื่อให้แน่ใจว่าข้อมูลความปลอดภัยที่ถูกทิ้งจะถูกทำความสะอาดอย่างปลอดภัยและรวดเร็ว
  • รองรับ Extended Initiator ID (Ext-IID): ออกแบบมาเพื่อใช้กับ Multi Circular Queue (MCQ) ที่ตัวควบคุมโฮสต์ UFS 4.0 เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพการสุ่ม

หมายเหตุ

(1)การอ้างสิทธิ์ครั้งแรกในอุตสาหกรรมจากการสํารวจข้อมูลที่เปิดเผยต่อสาธารณะของ Kioxia ณ วันที่ 30 ตุลาคม 2024

(2)Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สําหรับผลิตภัณฑ์หน่วยความจําแบบฝังที่สร้างขึ้นตามข้อกําหนดมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากมีอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงรองรับการพิมพ์แบบดูเพล็กซ์เต็มรูปแบบซึ่งช่วยให้สามารถอ่านและเขียนพร้อมกันระหว่างโปรเซสเซอร์โฮสต์และอุปกรณ์ UFS ได้

(3)การจัดส่งตัวอย่างครั้งแรกของ Kioxia Corporation ณ วันที่ 8 กุมภาพันธ์ 2013
https://www.kioxia.com/en-jp/business/news/2013/20130208-1.html

(4)ความเร็วในการสื่อสาร PWM-G1 ขึ้นอยู่กับโฮสต์และอุปกรณ์

*ทุกครั้งที่การกล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia: ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะถูกระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจําภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่ปริมาณความจุหน่วยความจําที่ผู้ใช้ปลายทางสามารถจัดเก็บข้อมูลได้ ความจุที่ผู้บริโภคใช้ได้จะลดลงเนื่องจากพื้นที่ข้อมูลโอเวอร์เฮด การจัดรูปแบบ บล็อกที่ไม่ดี และข้อจํากัดอื่นๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และแอปพลิเคชัน สําหรับรายละเอียด โปรดดูข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ ที่เกี่ยวข้อง คําจํากัดความของ 1KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คําจํากัดความของ 1Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คําจํากัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ 1Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต

*1 Gbps คํานวณเป็น 1,000,000,000 บิต/วินาที ความเร็วในการอ่านและเขียนเป็นค่าที่ดีที่สุดที่ได้รับในสภาพแวดล้อมการทดสอบเฉพาะที่ Kioxia และ Kioxia รับประกันความเร็วในการอ่านหรือเขียนในอุปกรณ์แต่ละเครื่อง ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียน

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นําระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจํา ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจําแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจําแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจํา” โดยนําเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าตามหน่วยความจําสําหรับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจําแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ กําลังกําหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

*ข้อมูลในเอกสารนี้ เช่น ราคาและข้อมูลจําเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลที่ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/54143662/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

สอบถามข้อมูลสื่อ:

Kioxia Corporation

ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย

Satoshi Shindo

โทรศัพท์: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

แก้ไขและแทนที่: Kioxia สาธิต SSD ที่รองรับ Flexible Data Placement พร้อมฐานข้อมูล RocksDB ในงาน OCP Global Summit 2024

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–18 ตุลาคม 2024

บริษัท Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ เตรียมจัดแสดงและสาธิตประสิทธิภาพของ SSD รุ่น KIOXIA XD Series ที่มาพร้อมฟังก์ชัน Flexible Data Placement (FDP) ซึ่งรองรับฐานข้อมูล RocksDB ในงาน OCP Global Summit 2024 ระหว่างวันที่ 15-17 ตุลาคม 2024 ณ เมืองซานโฮเซ่ สหรัฐอเมริกา ฐานข้อมูล RocksDB โดดเด่นด้วยความสามารถในการค้นหาข้อมูลปริมาณมหาศาลได้อย่างรวดเร็วและจัดการข้อมูลประวัติได้อย่างมีประสิทธิภาพ จึงถูกนำไปใช้อย่างแพร่หลายในแอปพลิเคชัน AI ช่วยสร้าง (generative AI) และแอปพลิเคชันบนคลาวด์ ฟังก์ชัน FDP ซึ่งถูกกำหนดในข้อเสนอทางเทคนิคของ NVM Express™ TP4146 ช่วยให้สามารถควบคุมการจัดวางข้อมูลภายใน SSD ได้อย่างยืดหยุ่น การจัดการตำแหน่งข้อมูลใน SSD อย่างเหมาะสม โดยปรับเปลี่ยนซอฟต์แวร์โฮสต์และไดรเวอร์อุปกรณ์เพียงเล็กน้อย จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและยืดอายุการใช้งานของ SSD ได้อย่างมีนัยสำคัญ

SSD ทำงานตามคำสั่งจากซอฟต์แวร์โฮสต์และไดรเวอร์อุปกรณ์ในการจัดเก็บและลบข้อมูล เมื่อกระบวนการนี้เกิดซ้ำ ๆ อาจเกิดการจัดสรรข้อมูลใหม่ภายใน SSD ซึ่งอาจส่งผลให้ความเร็วในการเข้าถึงลดลงและสิ้นเปลืองรอบการเขียนข้อมูลของหน่วยความจำแฟลชโดยไม่จำเป็น โดยเฉพาะเมื่อการจัดสรรข้อมูลเกิดขึ้นบ่อยครั้ง การใช้ FDP ช่วยลดปัญหาการจัดสรรข้อมูลใหม่ ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและยืดอายุการใช้งานของ SSD ได้อย่างเต็มที่

การสาธิตในงาน OCP Global Summit จะแสดงให้เห็นถึงการทำงานของฟังก์ชัน FDP ใน SSD สำหรับศูนย์ข้อมูล KIOXIA XD Series NVMe™ พร้อมปลั๊กอินที่พัฒนาโดย Kioxia เพื่อรองรับความสามารถของ FDP ซึ่งได้รับการทดสอบร่วมกับ RocksDB ผลการทดสอบและประเมินอย่างละเอียดพบว่า ระบบที่ใช้ FDP ช่วยเพิ่มอายุการใช้งานของแอปพลิเคชัน RocksDB ได้ประมาณสามเท่า และเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานได้ประมาณ 1.8 เท่า เมื่อเทียบกับระบบแบบดั้งเดิมที่ใช้ SSD ทั่วไปและระบบไฟล์มาตรฐาน1

ผลลัพธ์เหล่านี้จะถูกนำเสนอผ่านการสาธิตแบบสดที่บูธของ Kioxia (A7) ในงาน OCP Global Summit นอกจากนี้ Kioxia ยังมีแผนที่จะเผยแพร่ปลั๊กอินที่รองรับ RocksDB FDP ในรูปแบบโอเพนซอร์ส Kioxia ยังคงมุ่งมั่นในการพัฒนาและแบ่งปันเทคโนโลยีเพื่อการใช้งาน SSD และหน่วยความจำแฟลชอย่างมีประสิทธิภาพ ซึ่งจะช่วยยกระดับประสิทธิภาพของโครงสร้างพื้นฐานการประมวลผลขั้นสูงและศูนย์ข้อมูลในอนาคต

หมายเหตุ :

1 อ้างอิงจากผลการทดสอบในห้องปฏิบัติการของ Kioxia ณ วันที่ 14 ตุลาคม 2024

NVM Express และ NVMe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ

เครื่องหมาย OCP และ Open Compute Project เป็นกรรมสิทธิ์ของมูลนิธิ Open Compute Project และใช้โดยได้รับอนุญาต

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทอื่น ๆ

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ มุ่งเน้นการพัฒนา ผลิต และจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory ซึ่งเป็นบริษัทต้นกำเนิดของ Kioxia ได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ผู้คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่ให้ทางเลือกแก่ลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้แก่สังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D อันเป็นนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังเปลี่ยนโฉมหน้าการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่ต้องการความจุสูง เช่น สมาร์ทโฟนรุ่นล่าสุด คอมพิวเตอร์ส่วนบุคคล SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

*ข้อมูลในเอกสารนี้ ซึ่งรวมถึงราคาผลิตภัณฑ์และข้อมูลจำเพาะ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ข้อมูลติดต่อ

สำหรับคำถามจากสื่อ :

บริษัท Kioxia Corporation

แผนกวางแผนกลยุทธ์การขาย

Satoshi Shindo

โทร : +81-3-6478-2404

แหล่งที่มา : บริษัท Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia สาธิต SSD ที่รองรับ Flexible Data Placement พร้อมฐานข้อมูล RocksDB ในงาน OCP Global Summit 2024

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–15 ตุลาคม 2024

บริษัท Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ เตรียมจัดแสดงและสาธิตประสิทธิภาพของ SSD รุ่น KIOXIA XD Series ที่มาพร้อมฟังก์ชัน Flexible Data Placement (FDP) ซึ่งรองรับฐานข้อมูล RocksDB ในงาน OCP Global Summit 2024 ระหว่างวันที่ 15-17 ตุลาคม 2024 ณ เมืองซานโฮเซ่ สหรัฐอเมริกา ฐานข้อมูล RocksDB โดดเด่นด้วยความสามารถในการค้นหาข้อมูลปริมาณมหาศาลได้อย่างรวดเร็วและจัดการข้อมูลประวัติได้อย่างมีประสิทธิภาพ จึงถูกนำไปใช้อย่างแพร่หลายในแอปพลิเคชัน AI ช่วยสร้าง (generative AI) และแอปพลิเคชันบนคลาวด์ ฟังก์ชัน FDP ซึ่งถูกกำหนดในข้อกำหนดพื้นฐานของ NVM Express™ (TP4161) ช่วยให้สามารถควบคุมการจัดวางข้อมูลภายใน SSD ได้อย่างยืดหยุ่น การจัดการตำแหน่งข้อมูลใน SSD อย่างเหมาะสม โดยปรับเปลี่ยนซอฟต์แวร์โฮสต์และไดรเวอร์อุปกรณ์เพียงเล็กน้อย จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและยืดอายุการใช้งานของ SSD ได้อย่างมีนัยสำคัญ

SSD ทำงานตามคำสั่งจากซอฟต์แวร์โฮสต์และไดรเวอร์อุปกรณ์ในการจัดเก็บและลบข้อมูล เมื่อกระบวนการนี้เกิดซ้ำ ๆ อาจเกิดการจัดสรรข้อมูลใหม่ภายใน SSD ซึ่งอาจส่งผลให้ความเร็วในการเข้าถึงลดลงและสิ้นเปลืองรอบการเขียนข้อมูลของหน่วยความจำแฟลชโดยไม่จำเป็น โดยเฉพาะเมื่อการจัดสรรข้อมูลเกิดขึ้นบ่อยครั้ง การใช้ FDP ช่วยลดปัญหาการจัดสรรข้อมูลใหม่ ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและยืดอายุการใช้งานของ SSD ได้อย่างเต็มที่

การสาธิตในงาน OCP Global Summit จะแสดงให้เห็นถึงการทำงานของฟังก์ชัน FDP ใน SSD สำหรับศูนย์ข้อมูล KIOXIA XD Series NVMe™ พร้อมปลั๊กอินที่พัฒนาโดย Kioxia เพื่อรองรับความสามารถของ FDP ซึ่งได้รับการทดสอบร่วมกับ RocksDB ผลการทดสอบและประเมินอย่างละเอียดพบว่า ระบบที่ใช้ FDP ช่วยเพิ่มอายุการใช้งานของแอปพลิเคชัน RocksDB ได้ประมาณสามเท่า และเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานได้ประมาณ 1.8 เท่า เมื่อเทียบกับระบบแบบดั้งเดิมที่ใช้ SSD ทั่วไปและระบบไฟล์มาตรฐาน1

ผลลัพธ์เหล่านี้จะถูกนำเสนอผ่านการสาธิตแบบสดที่บูธของ Kioxia (A7) ในงาน OCP Global Summit นอกจากนี้ Kioxia ยังมีแผนที่จะเผยแพร่ปลั๊กอินที่รองรับ RocksDB FDP ในรูปแบบโอเพนซอร์ส Kioxia ยังคงมุ่งมั่นในการพัฒนาและแบ่งปันเทคโนโลยีเพื่อการใช้งาน SSD และหน่วยความจำแฟลชอย่างมีประสิทธิภาพ ซึ่งจะช่วยยกระดับประสิทธิภาพของโครงสร้างพื้นฐานการประมวลผลขั้นสูงและศูนย์ข้อมูลในอนาคต

หมายเหตุ :

1 อ้างอิงจากผลการทดสอบในห้องปฏิบัติการของ Kioxia ณ วันที่ 14 ตุลาคม 2024

NVM Express และ NVMe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ

เครื่องหมาย OCP และ Open Compute Project เป็นกรรมสิทธิ์ของมูลนิธิ Open Compute Project และใช้โดยได้รับอนุญาต

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทอื่น ๆ

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ มุ่งเน้นการพัฒนา ผลิต และจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory ซึ่งเป็นบริษัทต้นกำเนิดของ Kioxia ได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ผู้คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่ให้ทางเลือกแก่ลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้แก่สังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D อันเป็นนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังเปลี่ยนโฉมหน้าการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่ต้องการความจุสูง เช่น สมาร์ทโฟนรุ่นล่าสุด คอมพิวเตอร์ส่วนบุคคล SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

*ข้อมูลในเอกสารนี้ ซึ่งรวมถึงราคาผลิตภัณฑ์และข้อมูลจำเพาะ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ข้อมูลติดต่อ

สำหรับคำถามจากสื่อ :

บริษัท Kioxia Corporation

แผนกวางแผนกลยุทธ์การขาย

Satoshi Shindo

โทร : +81-3-6478-2404

แหล่งที่มา : บริษัท Kioxia Corporation

Featured, Technology

เทคโนโลยี RAID Offload ที่ใช้ SSD จาก Kioxia ได้รับการยกย่องให้เป็น ‘Best of Show’ ในงาน Future of Memory and Storage (FMS) 2024

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–08 สิงหาคม 2024

Kioxia Corporation ประกาศในวันนี้ว่าเทคโนโลยี RAID Offload บน SSD ได้รับรางวัล FMS 'Best of Show' ในประเภทเทคโนโลยี SSD the ‘Most Innovative Technology’ รางวัลเหล่านี้เป็นการยกย่องผลิตภัณฑ์และบริษัทที่สําคัญที่สุดทั่วโลก ในอุตสาหกรรมหน่วยความจําและการจัดเก็บข้อมูล

SSD-Based RAID Offload Technology from Kioxia Named ‘Best of Show’ at Future of Memory and Storage (FMS) 2024 (Photo: Business Wire)

เทคโนโลยี RAID Offload ที่ใช้ SSD จาก Kioxia ได้รับการยกย่องให้เป็น 'Best of Show' ในงาน Future of Memory and Storage (FMS) 2024 (ภาพ: Business Wire)

“เรารู้สึกเป็นเกียรติที่ได้มอบรางวัล 'Best of Show' ให้กับเทคโนโลยีการปกป้องข้อมูล RAID Offload ที่ก้าวล้ำของ Kioxia ด้วยรางวัล ” Jay Kramer ประธานโครงการรางวัลและประธานของ Network Storage Advisors Inc. กล่าว “นี่เป็นความสําเร็จที่โดดเด่น ที่ไม่เพียงแต่สะท้อนถึงความสามารถทางเทคโนโลยีของ Kioxia เท่านั้น แต่ยังรวมถึงความสามารถในการรับมือกับความท้าทายที่สําคัญในอุตสาหกรรมด้วยโซลูชันที่ล้ำสมัยอีกด้วย”

เมื่อเทคโนโลยีการประมวลผลและการจัดเก็บข้อมูลมีการพัฒนามากขึ้น การปกป้องข้อมูลผ่าน RAID หรือ Erasure Coding (EC) จึงมีความต้องการเพิ่มมากขึ้น นอกจากนี้โซลูชัน RAID และ Erasure Coding ของซอฟต์แวร์และฮาร์ดแวร์แบบดั้งเดิมก็ยังต้องดิ้นรน เพื่อให้ทันกับความก้าวหน้าอย่างรวดเร็วของประสิทธิภาพของ SSD ซึ่งเพิ่มขึ้นตามรุ่นใหม่แต่ละรุ่น ปัญหาเหล่านี้เน้นย้ำถึงความจําเป็นในการใช้แนวทางที่เป็นนวัตกรรมใหม่ เพื่อจัดการกับความท้าทายในการปกป้องข้อมูลที่เซิร์ฟเวอร์และระบบจัดเก็บข้อมูลสมัยใหม่ต้องเผชิญ

SSDs ของ Kioxia พร้อม RAID Offload มอบโซลูชันที่ยั่งยืนและปรับขนาดได้ตามมาตรฐานที่โฮสต์เป็นผู้ควบคุม เพื่อถ่ายโอนการการประมวลผล RAID แบบแพริตี้ ซึ่งจะช่วยปลดปล่อยทรัพยากร CPU หน่วยความจํา และแคชของโฮสต์ที่มีค่า ซึ่งขณะนี้สามารถใช้เพื่อเร่งความเร็วแอปพลิเคชันหลักได้ สิ่งนี้สามารถปรับปรุงประสิทธิภาพ ลดต้นทุนระบบ และเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงานในเซิร์ฟเวอร์และระบบจัดเก็บข้อมูลได้อย่างมาก

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นําระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจํา ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา ผลิต และจําหน่ายหน่วยความจําแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจําแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจํา” โดยนําเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าจากหน่วยความจําสําหรับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจําแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ กําลังกําหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจําเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลที่ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่:  https://www.businesswire.com/news/home/54106417/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

สอบถามข้อมูลสื่อ:

Kioxia Corporation

ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย

Satoshi Shindo

โทรศัพท์: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia พัฒนา SSD บรอดแบนด์พร้อมอินเทอร์เฟซแบบออปติคอลสำหรับศูนย์กลางข้อมูลสีเขียว (Green Data Center) แห่งยุคต่อไป

Logo

การสาธิตเทคโนโลยีในงานสัมมนา Future of Memory and Storage ที่บูธ Kioxia หมายเลข 307

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–07 สิงหาคม 2024

Kioxia Corporation บริษัทชั้นนำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ จะจัดแสดงต้นแบบของ SSD บรอดแบนด์พร้อมอินเทอร์เฟซแบบออปติคอลสำหรับศูนย์กลางข้อมูลแห่งยุคต่อไปในงานประชุม “FMS: the Future of Memory and Storage” ซึ่งจะจัดขึ้นในเมืองซานตาคลารา รัฐแคลิฟอร์เนีย ระหว่างวันที่ 6 ถึง 8 สิงหาคม เทคโนโลยี SSD ช่วยเพิ่มระยะห่างทางกายภาพระหว่างอุปกรณ์คอมพิวเตอร์และอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลได้อย่างมาก โดยเปลี่ยนอินเทอร์เฟซการเดินสายไฟฟ้าเป็นแบบออปติคัล ลดขนาดสายไฟลง แต่ยังคงประสิทธิภาพด้านการใช้พลังงานและคุณภาพสัญญาณที่สูงเอาไว้ได้ นอกจากนี้ ยังเพิ่มความยืดหยุ่นสูงให้กับการออกแบบและการใช้งานระบบศูนย์ข้อมูลอีกด้วย

การใช้อินเทอร์เฟซแบบออปติคัลทำให้สามารถรวบรวมส่วนประกอบแต่ละชิ้นที่ประกอบเป็นระบบ เช่น SSD และ CPU และเชื่อมต่อเข้าด้วยกันได้อย่างราบรื่น นับเป็นการพัฒนาต่อยอดของ “ระบบคอมพิวเตอร์แบบแยกส่วน” ที่สามารถใช้ทรัพยากรได้อย่างมีประสิทธิภาพตามปริมาณงานที่เฉพาะเจาะจง นอกจากนี้ ด้วยความสมบูรณ์ของสัญญาณที่สูง อินเทอร์เฟซแบบออปติคัลจึงสามารถทำให้สภาพแวดล้อมการประมวลผล เช่น อวกาศ มีประสิทธิภาพยิ่งขึ้นได้

ความสำเร็จนี้เป็นผลมาจากโครงการ “การพัฒนาเทคโนโลยีศูนย์กลางข้อมูลสีเขียวแห่งยุคต่อไป” ของญี่ปุ่น JPNP21029 ซึ่งได้รับเงินอุดหนุนจากองค์การพัฒนาพลังงานใหม่และเทคโนโลยีอุตสาหกรรมแห่งประเทศญี่ปุ่น (NEDO) ซึ่งอยู่ภายใต้ “โครงการกองทุนนวัตกรรมสีเขียว: การก่อสร้างโครงสร้างพื้นฐานดิจิทัลยุคถัดไป”  ในโครงการทุนนี้ เทคโนโลยีรุ่นต่อไปได้รับการพัฒนาโดยมีเป้าหมายที่จะทำให้ประหยัดพลังงานมากกว่า 40% เมื่อเทียบกับศูนย์ข้อมูลในปัจจุบัน ในฐานะส่วนหนึ่งของโครงการนี้ Kioxia กำลังพัฒนา SSD บรอดแบนด์ที่มีอินเทอร์เฟซออปติคัลสำหรับการจัดเก็บข้อมูลในศูนย์กลางข้อมูลสีเขียวรุ่นต่อไป

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งมุ่งมั่นในการพัฒนา ผลิต และจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตทไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นบริษัทก่อนหน้าได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “ความจำ” ด้วยการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าอีกทั้งยังสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำสำหรับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติอันล้ำสมัยของ Kioxia หรือ BiCS FLASH™ กำลังกำหนดทิศทางของอนาคตของระบบจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

*ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ เช่น ราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลที่ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่ก็อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

สอบถามข้อมูลสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Satoshi Shindo
Tel: +81-3-6478-2404

แหล่งที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia คว้ารางวัล Lifetime Achievement Award จาก FMS จากผลงานการคิดค้นแฟลช NAND แบบ 3 มิติ

Logo

ทีมพัฒนาของ Kioxia คว้ารางวัลจากการคิดค้นเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ BiCS FLASH อันล้ำสมัย

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–25 กรกฎาคม 2024

Kioxia Corporation ซึ่งเป็นผู้คิดค้นหน่วยความจำแฟลชแบบ NAND คว้ารางวัล Lifetime Achievement Award ประจำปี 2024 จาก FMS: the Future of Memory and Storage โดยทีมวิศวกรรมจาก Kioxia ซึ่งได้แก่คุณฮิเดอากิ อาโอจิ, เรียวตะ คัตสึมาตะ, มาซารุ คิโตะ, มาซารุ คิโดะ และฮิโรยาสึ ทานากะ จะขึ้นรับรางวัลอันทรงเกียรตินี้จากผลงานการพัฒนาและจัดจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติรายแรก เทคโนโลยีอันล้ำสมัยนี้ได้กลายมาเป็นพื้นฐานสำคัญสำหรับการใช้งานทางคอมพิวเตอร์ต่างๆ มากมาย ซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ศูนย์ข้อมูล, AI และอุตสาหกรรม

Kioxia นำเสนอแนวคิดเกี่ยวกับเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ BiCS FLASHTM ที่งาน VLSI Symposium เมื่อปี 2007 โดยหลังจากประกาศตัวต้นแบบไป Kioxia ก็เดินหน้าพัฒนาเพื่อยกระดับเทคโนโลยีดังกล่าวเพื่อการผลิตออกมาเป็นจำนวนมาก ซึ่งในที่สุดก็ได้เปิดตัวหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ 48 ชั้นขนาด 256 กิกะบิต (Gb) ตัวแรกของโลกไปเมื่อปี 2015

“การคิดค้นหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติของ Kioxia ได้พลิกโฉมการจัดเก็บข้อมูลไป เปลี่ยนจากการยกระดับเทคโนโลยีที่มีอยู่เดิมมาเป็นโซลูชันสุดล้ำที่ตอบโจทย์ระบบคอมพิวเตอร์ยุคใหม่” คุณ Chuck Sobey ซึ่งดำรงตำแหน่งประธานทั่วไปของ FMS กล่าว “เรายินดีอย่างยิ่งที่ได้นำเสนอผลงานอันสำคัญนี้ และอยากจะเห็นสิ่งที่จะเกิดขึ้นในอนาคต”

หน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ BiCS FLASH มาพร้อมโครงสร้างแบบวางซ้อน 3 มิติที่ช่วยเพิ่มความจุและยกระดับประสิทธิภาพการทำงาน หน่วยความจำรูปแบบนี้ได้พลิกโฉมแวดวงธุรกิจการจัดเก็บข้อมูลไปจากเดิม เทคโนโลยีนี้ช่วยให้เกิดโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลที่มีความหนาแน่นสูงขึ้นพร้อมรักษาความน่าเชื่อถือและประสิทธิภาพไว้ดังเดิม ซึ่งช่วยยกระดับขีดความสามารถให้กับศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เพื่อผู้บริโภค และอุปกรณ์เคลื่อนที่ต่างๆ ได้เป็นอย่างมาก ทั้งยังเป็นมาตรฐานใหม่สำหรับเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชอีกด้วย เทคโนโลยี BiCS FLASH ของ Kioxia ใช้การวางซ้อนแบบแนวตั้ง (Vertical stacking) ซึ่งขจัดข้อจำกัดที่พบในแฟลช NAND เชิงระนาบ ช่วยเปิดทางให้เกิดการพัฒนาโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลหน่วยความจำต่างๆ ในอนาคต ทั้งยังช่วยตอกย้ำภาพลักษณ์ของ Kioxia Corporation ในฐานะผู้นำวงการอีกด้วย

“นวัตกรรมทางเทคนิคของหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติจาก Kioxia นับเป็นความสำเร็จครั้งยิ่งใหญ่” คุณอัตสึชิ อิโนอุเอะ รองประธานและผู้บริหารด้านเทคโนโลยีจากแผนกหน่วยความจำของ Kioxia Corporation กล่าว “เทคโนโลยีของเราทำให้เพื่อนร่วมวงการได้มองเห็นความเป็นไปได้ใหม่ๆ ช่วยให้หน่วยความจำแฟลชสามารถเพิ่มความหนาแน่นของการจัดเก็บข้อมูลต่อเซลล์ ดาย และแพ็กเกจได้อย่างมาก ผมตื่นเต้นที่จะได้เห็นความสำเร็จของเราได้รับการยอมรับ และหวังว่าจะได้เห็นความเปลี่ยนแปลงที่เกิดขึ้นอย่างต่อเนื่องในอีกหลายปีต่อจากนี้ครับ”

“เพื่อนๆ วิศวกรใน Kioxia ต่างเป็นแรงบันดาลใจให้ผม ไม่เพียงแต่ในเรื่องความสำเร็จทางเทคโนโลยี แต่ยังรวมถึงความมุ่งมั่นที่จะยกระดับวงการโดยอาศัยการคิดค้นสิ่งใหม่ๆ อย่างไม่หยุดยั้งและคอยช่วยเหลือผู้ที่ทำงานด้านเทคโนโลยีรอบๆ ตัว” คุณเรียวตะ คัตสึมาตะ วิศวกรอาวุโสจากศูนย์พัฒนาหน่วยความจำขั้นสูงของ Kioxia Corporation กล่าว “ผลงานของเราไม่เพียงแต่สร้างความเปลี่ยนแปลงในวงกว้าง แต่ยังช่วยให้คนในวงการหันมาสนใจการคิดค้นสิ่งใหม่ๆ และร่วมมือกันอีกด้วย ผมดีใจมากที่ได้เห็นผู้คนยอมรับในความเป็นผู้นำและวิสัยทัศน์นี้”

เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิตินี้ยังคว้ารางวัล Imperial Invention Prize จาก National Commendation for Invention ประจำปี 2020 ในประเทศญี่ปุ่น และได้รับรางวัล Award for Science and Technology ประจำปี 2023 จาก The Commendation for Science and Technology โดยกระทรวงการศึกษา วัฒนธรรม กีฬา วิทยาศาสตร์ และเทคโนโลยีของประเทศญี่ปุ่น รวมถึงรางวัล IEEE Andrew S. Grove Award ประจำปี 2021

หมายเหตุ:

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทภายนอก

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ มุ่งเน้นด้านการพัฒนา ผลิต และจัดจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและไดรฟ์แบบโซลิดสเตต (SSD) โดยเฉพาะ เมื่อเดือนเมษายนปี 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อเดิมได้แยกตัวจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND เมื่อปี 1987 บริษัท Kioxia มุ่งมั่นที่จะพัฒนาโลกใบนี้ให้ดียิ่งขึ้นด้วยการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบต่างๆ ที่ช่วยให้ลูกค้าได้มีสิทธิ์เลือกและส่งมอบประโยชน์ให้กับสังคมผ่านหน่วยความจำต่างๆ ทั้งนี้ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติอันล้ำสมัยของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ มีส่วนช่วยในการยกระดับการจัดเก็บข้อมูลสำหรับการใช้งานที่มีความหนาแน่นสูงแบบต่างๆ ซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ผู้ติดต่อ

โคตะ ยามาจิ
ประชาสัมพันธ์
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

แหล่งที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia และ Xinnor ร่วมมือกันเพื่อส่งมอบโซลูชัน PCIe 5.0 NVMe SSD RAID ประสิทธิภาพสูงสําหรับแอปพลิเคชันระดับองค์กรและศูนย์ข้อมูล

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–05 มิถุนายน 2024

Kioxia Corporation ผู้นําระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจํา ประกาศในวันนี้ว่า KIOXIA PCIe® 5.0 NVMe™ SSD ได้รับการทดสอบความเข้ากันได้ และความสามารถในการทํางานร่วมกันกับโซลูชัน Xinnor, Ltd. (“Xinnor”) RAID และประสบความสําเร็จในการรัน PostgreSQL มากกว่าโซลูชัน RAID ของซอฟต์แวร์ที่มีการกําหนดค่าฮาร์ดแวร์เดียวกันถึง 25 เท่า(1). โซลูชันนี้จะสาธิตในบูธ KIOXIA ที่งาน COMPUTEX TAIPEI ซึ่งจะจัดขึ้นตั้งแต่วันที่ 4 มิถุนายนถึง 7 มิถุนายน

KIOXIA CM7 Series PCIe(R) 5.0 NVMe(TM) SSDs (Photo: Business Wire)

KIOXIA CM7 Series PCIe(R) 5.0 NVMe(TM) SSD (ภาพ: Business Wire)

PostgreSQL (พร้อมส่วนขยาย pgvector) และฐานข้อมูลเวกเตอร์มีความสําคัญมากขึ้นสําหรับระบบ generative AI และ RAG (Retrieval Augmented Generation) มากกว่าเดิม และผลลัพธ์เหล่านี้แสดงให้เห็นถึงประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นโดยใช้โซลูชัน xiRAID Opus และ KIOXIA PCIe® 5.0 NVMe™ SSD ของ Xinnor สําหรับแอปลิเคชัน generative AI และ RAG

เซิร์ฟเวอร์ใหม่ที่มีอินเทอร์เฟซ PCIe® 5.0 และ SSD ความเร็วสูงที่สอดคล้องกัน เป็นที่ต้องการสําหรับแอปพลิเคชันประสิทธิภาพสูง เช่น generative AI และความสําคัญของ SSD ที่เข้ากันได้กับ PCIe® 5.0 เพื่อรองรับความต้องการที่กำลังเพิ่มมากขึ้น โซลูชัน RAID ซอฟต์แวร์ประสิทธิภาพสูงของ Kioxia และ Xinnor ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพสูงสุดของ PCIe® 5.0 SSD สําหรับ AI, Machine Learning (ML) และแอปพลิเคชันการวิเคราะห์ข้อมูลในศูนย์ข้อมูลขององค์กรภายในองค์กร KIOXIA CM7 Series SSD ประสบความสําเร็จในการทดสอบความเข้ากันได้ที่ดําเนินการโดยทั้งสองฝ่าย

ความสําเร็จของโครงสร้างพื้นฐานศูนย์ข้อมูลรุ่นต่อไปจะขึ้นอยู่กับการทํางานร่วมกันของระบบนิเวศและความพยายามในการทดสอบการทํางานร่วมกันเพื่อให้แน่ใจว่าผลิตภัณฑ์และเทคโนโลยีในปัจจุบันและอนาคตทํางานร่วมกันได้อย่างราบรื่น และส่งมอบตามที่คาดไว้ ในฐานะผู้นําด้าน SSD ระดับองค์กรและศูนย์ข้อมูล Kioxia มุ่งมั่นที่จะขับเคลื่อนอุตสาหกรรมไปข้างหน้าด้วยโซลูชันหน่วยความจําที่เป็น นวัตกรรมใหม่ที่ขับเคลื่อนคลื่นลูกใหม่ของแอปพลิเคชันและบริการ Kioxia จะยังคงสนับสนุนระบบนิเวศ PCIe® 5.0 ต่อไป และเพิ่มมูลค่าสูงสุดของ PCIe® 5.0 NVMe™ SSD ประสิทธิภาพสูง

ลิงค์ที่เกี่ยวข้อง: กลุ่มผลิตภัณฑ์ KIOXIA Enterprise SSD
https://www.kioxia.com/en-jp/business/ssd/enterprise-ssd.html

หมายเหตุ

(1) เมื่อเทียบกับโซลูชัน RAID มาตรฐานใน Linux (mdraid / mdadm) ในโหมดลดระดับโดยที่ไดรฟ์ตัวหนึ่งล้มเหลว ในการดําเนินการอ่านฐานข้อมูล (สืบค้น)

*Xinnor และ xiRAID เป็นเครื่องหมายการค้าของ Xinnor, Ltd.

*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นําระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจํา ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจําแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจําแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจํา” โดยนําเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและหน่วยความจำ – คุณค่าพื้นฐานสำหรับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจําแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กําลังกําหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

สอบถามข้อมูลลูกค้า:

Kioxia Group
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจําเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/54031655/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

สอบถามข้อมูลสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
Tel: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia สุ่มตัวอย่าง อุปกรณ์หน่วยความจําแฟลชแบบฝัง UFS Ver. 4.0 รุ่นล่าสุด

Logo

ขนาดแพ็คเกจที่เล็กลง การปรับปรุงประสิทธิภาพช่วยให้ผู้ใช้ ได้รับประสบการณ์ที่ดีขึ้นบนแอปพลิเคชันมือถือ

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–23 เมษายน 2024

Kioxia Corporation ผู้นําระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจํา ประกาศในวันนี้ว่าได้เริ่มสุ่มตัวอย่าง (1) อุปกรณ์หน่วยความจําแฟลชแบบฝังUniversal Flash Storage (2) (UFS) Ver. 4.0 รุ่นล่าสุด ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้รองรับความจุ 256 กิกะไบต์ (GB), 512GB และ 1 เทราไบต์ (TB) เหมาะอย่างยิ่งสําหรับแอปพลิเคชันมือถือยุคหน้าที่หลากหลาย รวมถึงสมาร์ทโฟนระดับแนวหน้า

Latest generation UFS Ver. 4.0 embedded flash memory devices (Graphic: Business Wire)

อุปกรณ์หน่วยความจําแฟลชแบบฝัง UFS Ver. 4.0 รุ่นล่าสุด (กราฟิก: Business Wire)

ประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นของผลิตภัณฑ์ UFS ใหม่ ช่วยให้ได้ประโยชน์สูงสุดจากการเชื่อมต่อ 5G ส่งผลให้การดาวน์โหลดเร็วขึ้น ลดเวลาแฝง และประสบการณ์ผู้ใช้ที่ดีขึ้น ขนาดบรรจุภัณฑ์ที่เล็กลงช่วยเพิ่มประสิทธิภาพพื้นที่บอร์ด และความยืดหยุ่นในการออกแบบ

คุณสมบัติที่สําคัญ ได้แก่ :

  • การปรับปรุงความเร็วในการอ่าน / เขียนมากกว่ารุ่นก่อนหน้า (3): การเขียนตามลําดับประมาณ +15%, การเขียนแบบสุ่ม +50% และการอ่านแบบสุ่ม +30%
  • ขนาดบรรจุภัณฑ์ลดลงจากรุ่นก่อนหน้า(4): ขนาดบรรจุภัณฑ์คือ 9 มม. x 13 มม. และความหนาของบรรจุภัณฑ์คือ 0.8 มม. (256GB และ 512GB) และ 0.9 มม. (1TB) ส่งผลให้ลดลงประมาณ 18% เมื่อเทียบกับขนาดบรรจุภัณฑ์ทั่วไป (11 มม. x 13 มม.)

Kioxia เป็นบริษัทแรกที่แนะนําเทคโนโลยี UFS(5) และพัฒนาผลิตภัณฑ์ใหม่อย่างต่อเนื่อง อุปกรณ์ UFS Ver. 4.0 ล่าสุดผสานรวมหน่วยความจําแฟลช BiCS FLASH™ 3D ที่เป็นนวัตกรรมของบริษัทและตัวควบคุมไว้ในแพ็คเกจมาตรฐาน JEDEC UFS 4.0 ประกอบด้วย MIPI M-PHY 5.0 และ UniPro 2.0 และรองรับความเร็วอินเทอร์เฟซตามทฤษฎีสูงสุด 23.2 กิกะบิตต่อวินาที (Gbps) ต่อเลน หรือ 46.4 Gbps ต่ออุปกรณ์ UFS 4.0 สามารถใช้งานร่วมกับ UFS 3.1 รุ่นเก่าได้

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
UFS 4.0 – ออกแบบมาสําหรับการจัดเก็บข้อมูลบนมือถือรุ่นต่อไป

หมายเหตุ:
(1) การจัดส่งตัวอย่างอุปกรณ์ขนาด 256GB และ 512GB เริ่มต้นในเดือนนี้ โดยอุปกรณ์ขนาด 1TB มีกําหนดจะตามมาหลังเดือนมิถุนายน 2024 ข้อมูลจําเพาะของตัวอย่างอาจแตกต่างจากผลิตภัณฑ์เชิงพาณิชย์

(2) Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สําหรับผลิตภัณฑ์หน่วยความจําแบบฝัง ที่สร้างขึ้นตามข้อกําหนดมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงรองรับการสื่อสารแบบสองทางสมบูรณ์ ซึ่งช่วยให้สามารถอ่านและเขียนพร้อมกันระหว่างหน่วยประมวลผลโฮสต์ และอุปกรณ์ UFS

(3) อุปกรณ์ 512GB รุ่นก่อนหน้าของ Kioxia Corporation หมายเลข “THGJFLT2E46BATP”.

(4) เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ UFS 4.0 รุ่นก่อนหน้าของ Kioxia

(5) การจัดส่งตัวอย่างครั้งแรกของ Kioxia Corporation ณ วันที่ 8 กุมภาพันธ์ 2013
https://www.kioxia.com/en-jp/business/news/2013/20130208-1.html

ในการกล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia ทุกครั้ง: ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะถูกระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจําภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่จํานวนความจุหน่วยความจําที่ผู้ใช้ปลายทางสามารถจัดเก็บข้อมูลได้ ความจุที่ผู้บริโภคใช้งานได้จะลดลง เนื่องจากพื้นที่ข้อมูลโอเวอร์เฮด การจัดรูปแบบ บล็อกที่ไม่ดี และข้อจํากัดอื่น ๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และแอปพลิเคชัน สําหรับรายละเอียด โปรดดูข้อมูลจําเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง คําจํากัดความของ 1KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คําจํากัดความของ 1Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คําจํากัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ 1Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต

1Gbps คํานวณเป็น 1,000,000,000 บิต/วินาที ความเร็วในการอ่านและเขียนเป็นค่าที่ดีที่สุดที่ได้รับในสภาพแวดล้อมการทดสอบเฉพาะที่ Kioxia และ Kioxia รับประกันทั้งความเร็วในการอ่านและเขียนในอุปกรณ์แต่ละเครื่อง ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียน

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นําระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจํา ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจําแฟลชและโซลิดสเทตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายนปี 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจําแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจํา” โดยนําเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าตามความทรงจําเพื่อสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจําแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia กําลังกําหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

สอบถามข้อมูลลูกค้า:
Kioxia Group
สํานักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจําเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53946110/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

สอบถามข้อมูลสื่อ:
Kioxia Corporation
Sales Strategic Planning Division
Satoshi Shindo
โทร: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia ร่วมมือกับเซิร์ฟเวอร์จาก Hewlett Packard Enterprise สำหรับจรวดอวกาศที่มุ่งสู่สถานีอวกาศนานาชาติ

Logo

HPE Spaceborne Computer-2 มาพร้อม Value SAS จาก KIOXIA, SSD แบบ SAS และ NVMe ระดับองค์กร ช่วยให้สามารถทดลองทางวิทยาศาสตร์ได้โดยมีความจุในการเก็บข้อมูลกว่า 130 TB

เคปคานาเวอรัล ฟลอริดา–(BUSINESS WIRE)–2 กุมภาพันธ์ 2024

วันนี้ SSD จาก KIOXIA ได้ออกเดินทางไปกับจรวดสำหรับทำภารกิจ NG-20 ซึ่งเป็นการส่ง HPE Spaceborne Computer-2 เวอร์ชันปรับปรุงโดยอาศัยเซิร์ฟเวอร์ HPE EdgeLine และ ProLiant จาก Hewlett Packard Enterprise (HPE) ออกสู่สถานีอวกาศนานาชาติ (International Space Station หรือ ISS) ทั้งนี้ SSD จาก KIOXIA ช่วยให้ HPE Spaceborne Computer-2 มีพื้นที่เก็บข้อมูลแบบแฟลชที่ทนทานสำหรับดำเนินการทดลองทางวิทยาศาสตร์บนสถานีอวกาศ

KIOXIA SSDs on Space Launch Destined for the International Space Station (Graphic: Business Wire)

SSD จาก KIOXIA บนจรวดอวกาศที่มุ่งสู่สถานีอวกาศนานาชาติ (รูปภาพ: Business Wire)

HPE Spaceborne Computer-2 ซึ่งใช้เทคโนโลยีเชิงพาณิชย์ที่หาซื้อได้ทั่วไปนี้มาพร้อมเทคโนโลยี Edge Computing และความสามารถจาก AI ในตัวเพื่อรองรับการวิจัยในที่ห่างไกล โดยเป็นส่วนหนึ่งของภารกิจที่ยิ่งใหญ่ขึ้นในการยกระดับขีดความสามารถในการประมวลผลบนอวกาศให้พัฒนาอย่างมีนัยสำคัญและลดการพึ่งพาการสื่อสารในเวลาเช่นนี้ที่การสำรวจอวกาศขยายขอบเขตออกไปอย่างไม่หยุดยั้ง ทั้งนี้ HPE Spaceborne Computer-2 ออกแบบมาให้รองรับการทำงานแบบการประมวลผลสมรรถนะสูง (High-performance Computing หรือ HPC) หลากหลายแบบในอวกาศ ซึ่งรวมถึงการประมวลผลรูปภาพแบบเรียลไทม์ การเรียนรู้เชิงลึก และการจำลองทางวิทยาศาสตร์ จึงสามารถใช้เทคโนโลยีนี้ในการประมวลผลการทดลองได้หลากหลายประเภท ไม่ว่าจะเป็นการดูแลสุขภาพ, การฟื้นฟูจากภัยพิบัติทางธรรมชาติ, การพิมพ์แบบสามมิติ, 5G, AI และอีกมากมาย

Kioxia ซึ่งเป็นผู้ให้บริการพื้นที่เก็บข้อมูลสำหรับ HPE Spaceborne Computer-2 ได้มอบ SSD ที่ใช้หน่วยความจำแบบแฟลช ซึ่งรวมถึง KIOXIA RM Series value SAS, PM Series enterprise SAS และ XG Series NVMeTM SSD เพื่อช่วยให้ความก้าวหน้าเหล่านี้เกิดขึ้นได้จริง ทั้งนี้ นอกจาก SSD แบบ NVMe ขนาด 1,024 กิกะไบต์ (GB) จำนวนแปดตัวและ SSD แบบ value SAS ขนาด 960 GB จำนวนสี่ตัวแล้ว SSD แบบ SAS ระดับองค์กรแต่ละตัวในสี่ตัวจาก Kioxia ยังมีความจุอยู่ที่ 30.72 เทระไบต์ (TB) อีกด้วย รวมกันเป็นพื้นที่กว่า 130 TB นับเป็นพื้นที่เก็บข้อมูลที่มากที่สุดที่ได้ออกเดินทางสู่สถานีอวกาศในครั้งเดียว [1]

SSD ที่ใช้หน่วยความจำแบบแฟลชนั้นเหมาะกับการใช้งานมากกว่าพื้นที่เก็บข้อมูลแบบฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์แบบเดิม เพราะสามารถรองรับข้อกำหนดด้านพลังงาน ประสิทธิภาพ ความน่าเชื่อถือได้เมื่ออยู่นอกอวกาศเนื่องจากไม่มีชิ้นส่วนที่เคลื่อนที่ได้และให้ประสิทธิภาพที่รวดเร็วกว่า สภาวะการทำงานของ SSD จะได้รับการตรวจสอบทุกวันตลอดระยะเวลาในการทำภารกิจจากไฟล์บันทึกรายวันที่ส่งมาจาก ISS ทั้งนี้ Kioxia จะติดตามและวิเคราะห์ข้อมูลสภาวะการทำงานนี้เพื่อให้เข้าใจได้ดีขึ้นว่าพื้นที่เก็บข้อมูลที่ใช้หน่วยความจำแบบแฟลชมีการทำงานเช่นไรเมื่ออยู่ในสภาพแวดล้อมที่หนักหน่วงบนอวกาศ

Kioxia ร่วมมือกับ HPE ในการรังสรรค์โซลูชันพื้นที่เก็บข้อมูลชั้นยอดมาเป็นเวลาหลายปีแล้ว และผลิตภัณฑ์ของบริษัทนี้ก็ช่วยให้เกิดโซลูชันและบริการต่าง ๆ มากมายของ HPE ตั้งแต่อุปกรณ์เคลื่อนที่ไปจนถึงระบบคลาวด์ ตลอดจนระดับองค์กร

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
รายการ SSD จาก KIOXIA สำหรับลูกค้าที่เป็นธุรกิจ
https://www.kioxia.com/en-jp/business/ssd.html

หมายเหตุ
[1] ข้อมูล ณ วันที่ 31 มกราคม 2024 โดยการสำรวจจาก Kioxia Corporation

*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดให้เมกะไบต์ (MB) คือ 1,000,000 ไบต์, กิกะไบต์ (GB) คือ 1,000,000,000 ไบต์ และเทระไบต์ (TB) คือ 1,000,000,000,000 ไบต์ แต่ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุโดยใช้เลขยกกำลังของ 2 โดยคำจำกัดความของ 1 GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์และ 1 TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ด้วยเหตุนี้จึงแสดงความจุของพื้นที่เก็บข้อมูลที่น้อยกว่า ทั้งนี้ ความจุของพื้นที่เก็บข้อมูลที่ใช้งานได้ (ซึ่งรวมถึงตัวอย่างไฟล์สื่อต่าง ๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์, การจัดรูปแบบ, การตั้งค่า, ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ โดยความจุที่ใช้งานได้จริงอาจแตกต่างกันออกไป

*NVMe เป็นเครื่องหมายที่จดทะเบียนหรือไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทภายนอก

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งมุ่งมั่นทุ่มเทในการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแบบแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSDs) ในเดือนเมษายนปี 2017 บริษัท Toshiba Memory ที่เป็นชื่อเดิมของ Kioxia ได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแบบแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกใบนี้ด้วย “หน่วยความจำ” โดยมอบผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างประโยชน์จากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแบบแฟลชสามมิติอันล้ำสมัยจาก Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ ช่วยขับเคลื่อนอนาคตสำหรับพื้นที่เก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง ซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

*ข้อมูลในเอกสารนี้ (ซึ่งรวมถึงราคาผลิตภัณฑ์และข้อมูลจำเพาะ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อ) เป็นข้อมูลที่ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53889435/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ข้อมูลติดต่อ

คำถามจากสื่อ:
Kioxia Corporation
แผนกวางแผนเชิงกลยุทธ์สำหรับการขาย
คุณ Koji Takahata
โทรศัพท์: +81-3-6478-2404

แหล่งที่มา: Kioxia Corporation