Tag Archives: igbts/mosfets

โตชิบาเปิดตัวโฟโตคัปเปลอร์กระแสไฟเอาต์พุตสูงสุดในแพ็คเกจแบบบางสำหรับไดร์ฟเกท IGBTs/MOSFETs

Logo

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(บิสิเนสไวร์)–30 พ.ย. 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“โตชิบา”) ได้เปิดตัวโฟโตคัปเปลอร์สองรุ่น ได้แก่ “TLP5705H” และ “TLP5702H” ซึ่งบรรจุอยู่ในแพ็คเกจ SO6L แบบบางสำหรับใช้เป็นตัวไดร์ฟเกทหุ้มฉนวนสำหรับ IGBT/MOSFET ที่มีความจุขนาดเล็กถึงขนาดกลาง เริ่มต้นการจัดส่งในปริมาณมากวันนี้

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีเนื้อหามัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20211129005274/en/

Toshiba: High peak output current photocouplers in thin packages for driving IGBTs/MOSFETs gates. (Graphic: Business Wire)

โตชิบา: โฟโตคัปเปลอร์ที่มีเอาต์พุตสูงสุดในปัจจุบันในแพ็คเกจบางสำหรับไดร์ฟเกท IGBTs/MOSFETs (กราฟิก: Business Wire)

TLP5705H เป็นผลิตภัณฑ์แรกของโตชิบาที่มีอัตรากระแสไฟขาออกสูงสุดที่ ±5.0A ในบรรจุภัณฑ์แบบบาง (SO6L) สูงเพียง 2.3 มม. (สูงสุด)  ด้วยเหตุนี้ อุปกรณ์ต่างๆ เช่น อินเวอร์เตอร์ความจุขนาดเล็กถึงขนาดกลางและเซอร์โวแอมพลิฟายเออร์ที่ใช้วงจรบัฟเฟอร์สำหรับการขยายกระแสในปัจจุบันสามารถขับเคลื่อน IGBT/MOSFET ได้โดยตรงจากโฟโตคัปเปลอร์ โดยไม่ต้องใช้วงจรบัฟเฟอร์ใดๆ สิ่งนี้จะนำไปสู่การลดชิ้นส่วนและการย่อขนาด

TLP5702H มีอัตรากระแสไฟขาออกสูงสุดที่ ±2.5A แพคเกจ SO6L ที่สามารถติดตั้งในพื้นที่ของแพคเกจ SDIP6 มาตรฐานของโตชิบา[1] โดยอำนวยความสะดวกในการเปลี่ยนผลิตภัณฑ์ในปัจจุบันของโตชิบาได้อย่างง่ายดาย[2]  SO6L นั้นบางกว่า SDIP6 ซึ่งให้ความยืดหยุ่นมากกว่าในการจัดวางส่วนประกอบบนบอร์ด และยังช่วยให้สามารถติดตั้งที่ด้านหลังของบอร์ดหรือใช้ในกรณีที่การออกแบบวงจรใหม่จำกัดความสูงที่มีอยู่

โฟโตคัปเปลอร์ทั้งสองมีอัตราอุณหภูมิการทำงานสูงสุดที่ 125ºC (Ta=-40 ถึง 125ºC) ทำให้ง่ายต่อการออกแบบและบำรุงรักษาขอบอุณหภูมิ

ผลิตภัณฑ์ของโตชิบายังรวมถึง TLP5702H(LF4) และ TLP5705H(LF4) ซึ่งบรรจุอยู่ในแพ็คเกจ SO6L(LF4) เป็นตัวเลือกในการขึ้นรูปตะกั่ว

หมายเหตุ:

[1] ความสูงของบรรจุภัณฑ์: 4.25 มม. (สูงสุด)

[2] ผลิตภัณฑ์ปัจจุบัน: TLP700H ในแพ็คเกจ SDIP6 การ

การใช้งาน

อุปกรณ์อุตสาหกรรม

  • อินเวอร์เตอร์อุตสาหกรรม เซอร์โวไดรฟ์ AC อินเวอร์เตอร์ PV UPS ฯลฯ

คุณสมบัติ

  • พิกัดกระแสไฟขาออกสูงสุด (@Ta=-40 ถึง 125°C)
    IOP=±2.5A (TLP5702H)
    IOP=±5.0A (TLP5705H)
  • แพ็คเกจ SO6L แบบบาง อัตรา
  • อุณหภูมิในการทำงานสูง: Topr (สูงสุด)=125°C

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(@Ta=-40 ถึง 125°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเลขส่วน

TLP5702H

TLP5705H

TLP5702H(LF4)

TLP5705H(LF4)

แพ็คเกจ

ชื่อ

SO6L

SO6L(LF4)

ขนาด (มม.)

10×3.84 (typ.),

t: 2.3 (สูงสุด)

11.05× 3.84 (typ.),

t: 2.3 (สูงสุด)

ค่าสูงสุด

อุณหภูมิในการทำงาน Topr (°C)

-40 ถึง 125

กระแสไฟขาออกสูงสุด IOPH/IOPL (A)

±2.5

±5.0

±2.5

±5.0

ลักษณะทางไฟฟ้า

กระแสไฟขาออกระดับสูงสุด

IOPH max (A)

@IF=5mA,

VCC=15V,

V6-5=-7V

-2.0

กระแสไฟขาออกระดับต่ำสุดสูงสุด

IOPL min (A)

@IF=0mA,

VCC=15V,

V5-4=7V

2.0

กระแสไฟขาออกระดับสูงสุด (L/H)

IOLH max (A)

@IF=0→10mA,

VCC=15V,

Cg=0.18μF,

CVDD=10μF

-3.5

-3.5

กระแสไฟขาออกระดับต่ำสุด (H/L)

IOHL min (A)

@IF=10→0mA,

VCC=15V,

Cg=0.18μF,

CVDD=10μF

3.0

3.0

แรงดันไฟจ่าย VCC (V)

15 ถึง 30

กระแสไฟจ่าย ICCH, ICCL สูงสุด (mA)กระแสไฟ

3.0

เข้าเกณฑ์ (L/H)

IFLH สูงสุด (mA)

5

ลักษณะเฉพาะของสวิตช์

เวลาหน่วงการกระจาย

tpHL, tpLH max (ns)

200

ความผันผวนของกระแส

|tpHL–tpLH| max (ns)

50

เวลาหน่วงการกระจาย

(สำหรับแต่ละอุปกรณ์)

tpsk (ns)

-80 to 80

Common-mode

transient

CMH, CML min (kV/μs)

crime@Ta=25°C

±50

ลักษณะการแยกตัวตัว

การแยกแรงดันไฟฟ้า

BVS min (Vrms)

@Ta=25°C

5000

ตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมจำหน่าย

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TLP5702H
TLP5705H

ไปที่ลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์แบบออปติคัลของโตชิบา
Isolators/Solid State Relays

ตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ เยี่ยมชม:

TLP5702H https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TTLP5702H.html

TLP5705H https https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TTLP5705H.html

สอบถามสำหัรบลูกค้า:

Optoelectronic Device Sales & Marketing Dept.

Tel: +81-44-548-2218

ติดต่อเรา

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมทั้งราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่แจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำของโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกอิสระ ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 22,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการร่วมสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ ด้วยยอดขายประจำปีที่สูงกว่า 710 พันล้านเยน (6.5 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation มุ่งมั่นที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20211129005274/en/

สอบถามข้อมูลสำหรับ:

Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Department (ฝ่ายการตลาดดิจิทัล)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: +81-44-549-8361
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย