Tag Archives: achievement

Kioxia คว้ารางวัล Lifetime Achievement Award จาก FMS จากผลงานการคิดค้นแฟลช NAND แบบ 3 มิติ

Logo

ทีมพัฒนาของ Kioxia คว้ารางวัลจากการคิดค้นเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ BiCS FLASH อันล้ำสมัย

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–25 กรกฎาคม 2024

Kioxia Corporation ซึ่งเป็นผู้คิดค้นหน่วยความจำแฟลชแบบ NAND คว้ารางวัล Lifetime Achievement Award ประจำปี 2024 จาก FMS: the Future of Memory and Storage โดยทีมวิศวกรรมจาก Kioxia ซึ่งได้แก่คุณฮิเดอากิ อาโอจิ, เรียวตะ คัตสึมาตะ, มาซารุ คิโตะ, มาซารุ คิโดะ และฮิโรยาสึ ทานากะ จะขึ้นรับรางวัลอันทรงเกียรตินี้จากผลงานการพัฒนาและจัดจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติรายแรก เทคโนโลยีอันล้ำสมัยนี้ได้กลายมาเป็นพื้นฐานสำคัญสำหรับการใช้งานทางคอมพิวเตอร์ต่างๆ มากมาย ซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ศูนย์ข้อมูล, AI และอุตสาหกรรม

Kioxia นำเสนอแนวคิดเกี่ยวกับเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ BiCS FLASHTM ที่งาน VLSI Symposium เมื่อปี 2007 โดยหลังจากประกาศตัวต้นแบบไป Kioxia ก็เดินหน้าพัฒนาเพื่อยกระดับเทคโนโลยีดังกล่าวเพื่อการผลิตออกมาเป็นจำนวนมาก ซึ่งในที่สุดก็ได้เปิดตัวหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ 48 ชั้นขนาด 256 กิกะบิต (Gb) ตัวแรกของโลกไปเมื่อปี 2015

“การคิดค้นหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติของ Kioxia ได้พลิกโฉมการจัดเก็บข้อมูลไป เปลี่ยนจากการยกระดับเทคโนโลยีที่มีอยู่เดิมมาเป็นโซลูชันสุดล้ำที่ตอบโจทย์ระบบคอมพิวเตอร์ยุคใหม่” คุณ Chuck Sobey ซึ่งดำรงตำแหน่งประธานทั่วไปของ FMS กล่าว “เรายินดีอย่างยิ่งที่ได้นำเสนอผลงานอันสำคัญนี้ และอยากจะเห็นสิ่งที่จะเกิดขึ้นในอนาคต”

หน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ BiCS FLASH มาพร้อมโครงสร้างแบบวางซ้อน 3 มิติที่ช่วยเพิ่มความจุและยกระดับประสิทธิภาพการทำงาน หน่วยความจำรูปแบบนี้ได้พลิกโฉมแวดวงธุรกิจการจัดเก็บข้อมูลไปจากเดิม เทคโนโลยีนี้ช่วยให้เกิดโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลที่มีความหนาแน่นสูงขึ้นพร้อมรักษาความน่าเชื่อถือและประสิทธิภาพไว้ดังเดิม ซึ่งช่วยยกระดับขีดความสามารถให้กับศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เพื่อผู้บริโภค และอุปกรณ์เคลื่อนที่ต่างๆ ได้เป็นอย่างมาก ทั้งยังเป็นมาตรฐานใหม่สำหรับเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชอีกด้วย เทคโนโลยี BiCS FLASH ของ Kioxia ใช้การวางซ้อนแบบแนวตั้ง (Vertical stacking) ซึ่งขจัดข้อจำกัดที่พบในแฟลช NAND เชิงระนาบ ช่วยเปิดทางให้เกิดการพัฒนาโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลหน่วยความจำต่างๆ ในอนาคต ทั้งยังช่วยตอกย้ำภาพลักษณ์ของ Kioxia Corporation ในฐานะผู้นำวงการอีกด้วย

“นวัตกรรมทางเทคนิคของหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติจาก Kioxia นับเป็นความสำเร็จครั้งยิ่งใหญ่” คุณอัตสึชิ อิโนอุเอะ รองประธานและผู้บริหารด้านเทคโนโลยีจากแผนกหน่วยความจำของ Kioxia Corporation กล่าว “เทคโนโลยีของเราทำให้เพื่อนร่วมวงการได้มองเห็นความเป็นไปได้ใหม่ๆ ช่วยให้หน่วยความจำแฟลชสามารถเพิ่มความหนาแน่นของการจัดเก็บข้อมูลต่อเซลล์ ดาย และแพ็กเกจได้อย่างมาก ผมตื่นเต้นที่จะได้เห็นความสำเร็จของเราได้รับการยอมรับ และหวังว่าจะได้เห็นความเปลี่ยนแปลงที่เกิดขึ้นอย่างต่อเนื่องในอีกหลายปีต่อจากนี้ครับ”

“เพื่อนๆ วิศวกรใน Kioxia ต่างเป็นแรงบันดาลใจให้ผม ไม่เพียงแต่ในเรื่องความสำเร็จทางเทคโนโลยี แต่ยังรวมถึงความมุ่งมั่นที่จะยกระดับวงการโดยอาศัยการคิดค้นสิ่งใหม่ๆ อย่างไม่หยุดยั้งและคอยช่วยเหลือผู้ที่ทำงานด้านเทคโนโลยีรอบๆ ตัว” คุณเรียวตะ คัตสึมาตะ วิศวกรอาวุโสจากศูนย์พัฒนาหน่วยความจำขั้นสูงของ Kioxia Corporation กล่าว “ผลงานของเราไม่เพียงแต่สร้างความเปลี่ยนแปลงในวงกว้าง แต่ยังช่วยให้คนในวงการหันมาสนใจการคิดค้นสิ่งใหม่ๆ และร่วมมือกันอีกด้วย ผมดีใจมากที่ได้เห็นผู้คนยอมรับในความเป็นผู้นำและวิสัยทัศน์นี้”

เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิตินี้ยังคว้ารางวัล Imperial Invention Prize จาก National Commendation for Invention ประจำปี 2020 ในประเทศญี่ปุ่น และได้รับรางวัล Award for Science and Technology ประจำปี 2023 จาก The Commendation for Science and Technology โดยกระทรวงการศึกษา วัฒนธรรม กีฬา วิทยาศาสตร์ และเทคโนโลยีของประเทศญี่ปุ่น รวมถึงรางวัล IEEE Andrew S. Grove Award ประจำปี 2021

หมายเหตุ:

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทภายนอก

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ มุ่งเน้นด้านการพัฒนา ผลิต และจัดจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและไดรฟ์แบบโซลิดสเตต (SSD) โดยเฉพาะ เมื่อเดือนเมษายนปี 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อเดิมได้แยกตัวจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND เมื่อปี 1987 บริษัท Kioxia มุ่งมั่นที่จะพัฒนาโลกใบนี้ให้ดียิ่งขึ้นด้วยการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบต่างๆ ที่ช่วยให้ลูกค้าได้มีสิทธิ์เลือกและส่งมอบประโยชน์ให้กับสังคมผ่านหน่วยความจำต่างๆ ทั้งนี้ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติอันล้ำสมัยของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ มีส่วนช่วยในการยกระดับการจัดเก็บข้อมูลสำหรับการใช้งานที่มีความหนาแน่นสูงแบบต่างๆ ซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ผู้ติดต่อ

โคตะ ยามาจิ
ประชาสัมพันธ์
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

แหล่งที่มา: Kioxia Corporation

Toshiba เป็นผู้ชนะรางวัล World Electronics Achievement Awards ของ AspenCore

Logo

KAWASAKI, Japan–(BUSINESS WIRE)–24 พฤศจิกายน 2022

Toshiba Devices & Storage (Shanghai) Co., Ltd. บริษัทสาขาในเซี่ยงไฮ้ของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) เป็นผู้ชนะเลิศประเภท “Power Semiconductor/Driver of the Year” ในงาน World Electronics Achievement Awards (WEAA) 2022 โดย Toshiba Devices & Storage (Shanghai) Co., Ltd. ได้เข้ารับรางวัลในพิธีซึ่งจัดขึ้นที่เมืองเซินเจิ้น ประเทศจีน เมื่อวันที่ 10 พฤศจิกายน 2022

Toshiba is a Winner at AspenCore World Electronics Achievement Awards (Photo: Business Wire)

Toshiba เป็นผู้ชนะรางวัล World Electronics Achievement Awards ของ AspenCore (ภาพ: Business Wire)

AspenCore ซึ่งตั้งอยู่ในสหรัฐอเมริกาเป็นหนึ่งในกลุ่มสื่อเทคโนโลยีชั้นนำของโลก และทุก ๆ ปี WEAA ที่ได้รับการยอมรับอย่างกว้างขวางจะมีการยกย่องบริษัทและบุคคลที่มีส่วนร่วมอย่างโดดเด่นในด้านนวัตกรรมและการพัฒนาอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ ในปีนี้ XPQR3004PB MOSFET ของ Toshiba ซึ่งเป็นทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าของสารกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์แรงดันต่ำเชิงกลยุทธ์ ได้รับรางวัล “Power Semiconductor/Driver of the Year”

Tsutomu Nomura ประธานบริษัท Toshiba Devices & Storage (Shanghai) Co., Ltd. กล่าวว่า “เรามีความยินดีที่ได้รับการยกย่องจาก WEAA อันทรงเกียรติ โดยเป็นปีที่ห้าติดต่อกันที่ผลิตภัณฑ์ของเราได้รับรางวัล Toshiba มุ่งมั่นที่จะเป็นผู้นำในการจัดหาอุตสาหกรรมยานยนต์และภาคส่วนอื่น ๆ ด้วยอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังที่ปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์และเพิ่มความเป็นกลางทางคาร์บอน”

XPQR3004PB ที่เปิดตัวในปีงบประมาณนี้ เป็น MOSFET แรงดันต่ำ 40V ที่มี N-channel สำหรับการใช้งานในยานยนต์ เหมาะสำหรับสวิตช์แบตเตอรี่ในรถยนต์ที่เป็นมิตรกับสิ่งแวดล้อมและมอเตอร์ช่วยขับขี่ในรถยนต์ไฮบริด ทั้งยังเป็นแม่พิมพ์ UMOS IX ที่ก้าวหน้าที่สุดของ Toshiba และรวมอยู่ในแพ็คเกจ L-TOGL™ ซึ่ง AspenCore รับรองว่า มีกระแสไฟฟ้าสูง ความสามารถในการกระจายความร้อนสูง และความน่าเชื่อถือสูง

จากนี้ Toshiba จะเพิ่มขีดความสามารถในการแข่งขันในธุรกิจสารกึ่งตัวนำกำลัง (power semiconductor) ด้วยการนำเสนอผลิตภัณฑ์ที่มีความสามารถในการประหยัดพลังงานสูง และนำไปสู่สังคมที่ใช้พลังงานต่ำและความเป็นกลางทางคาร์บอน

* TOGL™ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ระดมประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทจำนวน 23,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและการเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีทะลุ 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง

ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/52977612/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

Customer Inquiries:
ติดต่อเรา

รายชื่อติดต่อหากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมด้านสื่อ:
K.Tanaka, S.Mihashi
กลุ่มงานสื่อสารองค์กรและข่าวกรองการตลาด
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: +81-44-548-2122
อีเมล: tdsc-publicrelations@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation