– มี On-resistance ต่ำและมีพื้นที่ปฏิบัติการที่ปลอดภัยที่กว้างขึ้น โดยใช้กระบวนการรุ่นล่าสุด –
คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–29 มิถุนายน 2023
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “TPH3R10AQM” ซึ่งเป็น MOSFET พลังงาน N-channel 100V ที่ประดิษฐ์ขึ้นด้วยกระบวนการรุ่นล่าสุดของ Toshiba นั่นคือ U-MOS X-H ผลิตภัณฑ์มุ่งเป้าไปที่การใช้งาน เช่น วงจรสวิตชิ่งและวงจร Hot swap[1] บนสายไฟของอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้สำหรับศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร เริ่มจัดส่งแล้ววันนี้
Toshiba: MOSFET พลังงาน N-channel 100V “TPH3R10AQM” ประดิษฐ์ขึ้นด้วย U-MOS X-H ซึ่งเป็นกระบวนการรุ่นล่าสุดของ Toshiba (กราฟิก: Business Wire)
TPH3R10AQM เป็นผู้นำในอุตสาหกรรม[2] 3.1mΩ ความต้านทานต่อแหล่งเดรนสูงสุด 16%[2] ต่ำกว่าผลิตภัณฑ์ 100V ของ Toshiba “TPH3R70APL” ซึ่งใช้กระบวนการรุ่นก่อนหน้า จากการเปรียบเทียบแบบเดียวกัน TPH3R10AQM ได้ขยายพื้นที่การทำงานที่ปลอดภัยถึง 76%[3] ทำให้เหมาะสำหรับการทำงานในโหมดเชิงเส้น การลด On-resistance และการขยายช่วงการทำงานเชิงเส้นในพื้นที่การทำงานที่ปลอดภัยจะลดจำนวนการเชื่อมต่อแบบขนาน นอกจากนี้ ช่วงแรงดันธรณีประตูที่ 2.5V ถึง 3.5V ทำให้มีโอกาสน้อยที่จะทำงานผิดพลาดเนื่องจากสัญญาณรบกวนของแรงดันเกต
ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้แพ็คเกจ SOP Advance(N) ที่เข้ากันได้สูง
Toshiba จะยังคงขยายไลน์อัพพาวเวอร์ MOSFET ที่สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของพาวเวอร์ซัพพลายโดยการลดการสูญเสีย และช่วยลดการใช้พลังงานของอุปกรณ์
การใช้งาน
- พาวเวอร์ซัพพลายสำหรับอุปกรณ์สื่อสาร เช่น สำหรับศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร
- แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง (ตัวแปลง DC-DC ประสิทธิภาพสูง ฯลฯ)
คุณสมบัติ
- นำเสนอค่าความต้านทาน On-resistance ต่ำที่ยอดเยี่ยมในอุตสาหกรรม[2] : RDS(ON)=3.1mΩ (สูงสุด) (VGS=10V)
- พื้นที่ปฏิบัติการที่ปลอดภัยกว้าง
- ระดับอุณหภูมิช่องสูง: Tch (สูงสุด)=175°C
หมายเหตุ:
[1] วงจรสำหรับเชื่อมต่อและถอดชิ้นส่วนต่าง ๆ ในระบบโดยไม่ต้องปิดระบบในขณะที่อุปกรณ์ทำงาน
[2] ผลสำรวจของ Toshiba ณ เดือนมิถุนายน 2023
[3] ความกว้างของพัลส์: tw=10ms, VDS=48V
|
ข้อมูลจำเพาะหลัก |
|||
|
(นอกจากที่ระบุไว้, Ta=25°C) |
|||
|
หมายเลขชิ้นส่วน |
|||
|
การจัดอันดับสูงสุดแบบสัมบูรณ์ |
แรงดันจากเดรน VDSS (V) |
100 |
|
|
กระแสเดรน (DC) ID (A) |
Tc=25°C |
||
|
อุณหภูมิช่อง Tch (°C) |
175 |
||
|
คุณสมบัติทางไฟฟ้า |
ความต้านทานต่อไฟฟ้าจากเดรน RDS(ON) max (mΩ) |
VGS=10V |
3.1 |
|
VGS=6V |
6.0 |
||
|
ค่าเกตทั้งหมด (gate-source plus gate-drain) Qg typ. (nC) |
83 |
||
|
ค่าการสลับเกต Qsw typ. (nC) |
32 |
||
|
ค่าเอาต์พุต Qoss typ. (nC) |
88 |
||
|
ค่าตัวเก็บประจุระหว่างอินพุต Ciss typ. (pF) |
5180 |
||
|
แพ็กเกจ |
ชื่อ |
SOP Advance(N) |
|
|
ขนาด typ. (มม.) |
4.9×6.1 |
||
|
การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน |
|||
ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TPH3R10AQM
ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFETs
To check availability of the new products at online distributors, visit:
หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่
TPH3R10AQM
ซื้อออนไลน์
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และคลังข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัทจำนวน 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง
ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53435647/en
ติดต่อ
ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา
ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
