คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–30 มีนาคม 2023
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว Power MOSFET แบบ N-channel 150V “TPH9R00CQ5” ซึ่งใช้กระบวนการ U-MOSX-H เจนเนอเรชันล่าสุด[2] สำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งของอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร โดยเริ่มจัดส่งวันนี้
Toshiba: TPH9R00CQ5 ที่เป็น Power MOSFET แบบ N-channel 150V ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้กับแหล่งจ่ายไฟ (กราฟิก: Business Wire)
TPH9R00CQ5 นำเสนอความต้านทานต่อไฟฟ้าเดรนต่ำของแหล่งที่มาชั้นนำในอุตสาหกรรม[1] ที่ 9.0mΩ (สูงสุด) ซึ่งลดลงประมาณ 42% จากผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ของ Toshiba “TPH1500CNH1[3]” เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ของ Toshiba “TPH9R00CQH[4]” ค่าการฟืนตัวย้อนกลับจะลดลงประมาณ 74% และช่วงเวลาฟืนตัวย้อนกลับ[5] ประมาณ 44% ซึ่งทั้งสองคุณลักษณะการฟืนตัวย้อนกลับมีความสำคัญกับแอปพลิเคชันการแก้ไขแบบซิงโครนัส ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ที่ใช้ในแอปพลิเคชันการแก้ไขแบบซิงโครนัส[6] ช่วยลดการสูญเสียพลังงานของแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งและช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพ นอกจากนี้ เมื่อเทียบกับ TPH9R00CQH ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ช่วยลดแรงดันสไปค์ที่เกิดขึ้นระหว่างสวิตชิ่ง ซึ่งช่วยลด EMI ของแหล่งจ่ายไฟ
ผลิตภัณฑ์นี้ใช้แพ็คเกจยอดนิยม SOP Advance(N) ชนิดติดตั้งบนพื้นผิว
Toshiba ยังมีเครื่องมือที่สนับสนุนการออกแบบวงจรสำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง นอกเหนือจากรุ่น G0 SPICE ซึ่งตรวจสอบการทำงานของวงจรในเวลาอันสั้นแล้ว รุ่น G2 SPICE ที่มีความแม่นยำสูงซึ่งสร้างลักษณะเฉพาะชั่วคราวได้อย่างแม่นยำก็มีวางจำหน่ายแล้วเช่นกัน
Toshiba ยังได้พัฒนาการออกแบบอ้างอิง “ตัวแปลง DC-DC แบบไม่มีแยก Buck-Boost ขนาด 1 กิโลวัตต์สำหรับอุปกรณ์โทรคมนาคม” และ “อินเวอร์เตอร์สามเฟสหลายระดับโดยใช้ MOSFET” ที่ใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ ซึ่งมีอยู่ในเว็บไซต์ของ Toshiba ตั้งแต่วันนี้ ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้สามารถใช้กับการออกแบบอ้างอิง “ตัวแปลง DC-DC แบบฟูลบริดจ์ขนาด 1 กิโลวัตต์” ที่เผยแพร่แล้วได้
Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ Power MOSFET ที่ช่วยลดการสูญเสียพลังงาน เพิ่มประสิทธิภาพของแหล่งจ่ายไฟ และช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์ต่อไป
การใช้งาน
- แหล่งจ่ายไฟของอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น ที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร
- แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง (ตัวแปลง DC-DC ประสิทธิภาพสูง และอื่น ๆ)
คุณสมบัติ
- ความต้านทานไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม[1]: RDS(ON)=9.0mΩ (สูงสุด) (VGS=10V)
- ค่าการฟื้นตัวย้อนกลับชั้นนำในอุตสาหกรรม[1]: Qrr=34nC (typ.) (-dIDR/dt=100A/μs)
- ช่วงเวลาฟื้นตัวย้อนกลับอย่างรวดเร็วชั้นนำในอุตสาหกรรม[1]: trr=40ns (typ.) (-dIDR/dt=100A/μs)
- ระดับอุณหภูมิช่องสูง: Tch (สูงสุด)=175°C
หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนมีนาคม 2023 เปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ 150V อื่น ๆ ผลสำรวจของ Toshiba
[2] ณ เดือนมีนาคม 2023
[3] ผลิตภัณฑ์ 150V ที่ใช้กระบวนการสร้างที่มีอยู่ U-MOSVIII-H
[4] ผลิตภัณฑ์ที่ใช้กระบวนการสร้างรุ่นเดียวกับ TPH9R00CQ5 และมีแรงดันไฟฟ้าและความต้านทานไฟฟ้าแบบเดียวกัน
[5] การดำเนินการสวิตชิ่งที่ไดโอดตัว MOSFET เปลี่ยนจากไปข้างหน้าเป็นย้อนกลับ
[6] หากใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่ในวงจรที่ไม่ได้ดำเนินการฟื้นตัวย้อนกลับ การสูญเสียพลังงานจะเทียบเท่ากับ TPH9R00CQH
|
ข้อกำหนดหลัก |
|||
|
(Ta=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น) |
|||
|
หมายเลขชิ้นส่วน |
|||
|
การจัดอันดับ สูงสุด แบบสัมบูรณ์ |
แรงดันจากเดรน VDSS (V) |
150 |
|
|
กระแสเดรน (DC) ID (A) |
Tc=25°C |
64 |
|
|
อุณหภูมิช่อง Tch (°C) |
175 |
||
|
คุณสมบัติทางไฟฟ้า |
ความต้านทานต่อไฟฟ้าจากเดรน RDS(ON) max (mΩ) |
VGS=10V |
9.0 |
|
VGS=8V |
11.0 |
||
|
ค่าเกตทั้งหมด Qg typ. (nC) |
44 |
||
|
ค่าการสลับเกต QSW typ. (nC) |
11.7 |
||
|
ค่าเอาต์พุต Qoss typ. (nC) |
87 |
||
|
ค่าตัวเก็บประจุระหว่างอินพุต Ciss typ. (pF) |
3500 |
||
|
ช่วงเวลาฟืนตัวย้อนกลับ trr typ. (ns) |
-dIDR/dt=100A/μs |
40 |
|
|
ค่าการฟืนตัวย้อนกลับ Qrr typ. (nC) |
34 |
||
|
แพ็กเกจ |
ชื่อ |
SOP Advance(N) |
|
|
ขนาด typ. (มม.) |
4.9 x 6.1 x 1.0 |
||
|
การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน |
|||
ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TPH9R00CQ5
ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับรายละเอียดที่เกี่ยวข้องกับผลิตภัณฑ์ใหม่
U-MOSX-H ซีรีส์ 150V MOSFET เหมาะอย่างยิ่งสำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งที่มีประสิทธิภาพ
การปรับปรุงประสิทธิภาพโดยอินเวอร์เตอร์หลายระดับพร้อม 150V MOSFET
ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFETs
หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่
TPH9R00CQ5
ซื้อออนไลน์
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และคลังข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัทจำนวน 23,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีทะลุ 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง
ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: www.businesswire.com/news/home/53370162/en
ติดต่อ
ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา
ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
อีเมล: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
อ่านเวอร์ชันต้นฉบับบน 
