โตเกียว–(บิสิเนสไวร์)–25 ก.พ. 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“โตชิบา”) ได้เปิดตัว “MG800FXF2YMS3” โมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ที่รวมชิป SiC MOSFET แบบสองช่องที่พัฒนาขึ้นใหม่ โดยมีค่า 3300V และ 800A สำหรับงานอุตสาหกรรม  ปริมาณการผลิตจะเริ่มต้นพฤษภาคม 2021

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีมัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210224006218/en/

เพื่อให้ได้อุณหภูมิของช่องที่ 175°C ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้แพ็คเกจ iXPLV (Intelligent fleXible Package Low Voltage) พร้อมด้วยเทคโนโลยีการเชื่อมภายในด้วยการหลอมด้วยเงินเพื่อสนับสนุนการติดตั้งอย่างกว้างขวาง  โมดูลใหม่นี้ตอบสนองความต้องการอุปกรณ์ขนาดกะทัดรัดที่มีประสิทธิภาพสูงสำหรับงานอุตสาหกรรม เช่นตัวแปลงและอินเวอร์เตอร์สำหรับยานพาหนะทางรถไฟและระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานหมุนเวียน

การใช้งาน

• อินเวอร์เตอร์และตัวแปลงสำหรับยานพาหนะรถไฟ
• ระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานทดแทน
• อุปกรณ์ควบคุมมอเตอร์อุตสาหกรรม

คุณสมบัติ

• พิกัดแรงดันไฟฟ้าจากแหล่งระบาย: V_DSS=3300V
• กระแสระบาย: I_D= 800Aคู่
• ช่วงอุณหภูมิ: T_ch=175°C
• การสูญเสียต่ำ:
  E_on=250mJ (typ.)
  E_off=240mJ (typ.)
  V_DS(on)sense=1.6V (typ.)
• Stray inductance ต่ำ: L_s= 12nH (typ.)
• แพคเกจพลังงานสูง iXPLV ขนาดเล็ก

ข้อมูลจำเพาะหลัก

( ยกเว้นที่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น @Tc=25°C)
หมายเลขชิ้น			MG800FXF2YMS3
แพคเกจ			iXPLV
ค่าสูงสุด	แรงดัน Drain-source VDSS (V)		3300
	แรงดัน Gate-source VGSS (V)		+25/-10
	กระแสระบาย (DC) ID (A)		800
	กระแสร (pulsed) IDP (A)		1600
	อุณหภูมิช่อง Tch (°C)		175
	แรงดันแยกตัว VISOL (Vrms)		6000
คุณลักษณะไฟฟ้า	กระแส Drain-source แบบ on-voltage (sense) VDS(on)sense typ. (V)	@VGS= +20V, ID=800A	1.6
	กระแส Source-drain แบบ on-voltage (sense) VSD(on)sense typ. (V)	@VGS= +20V, IS=800A	1.5
	กระแส Source-drain แบบ off-voltage (sense) VSD(off)sense typ. (V)	@VGS= －6V, IS=800A	2.3
	โมดูล Stray inductance LSPN typ. (nH)		12
	การสูญเสียเมื่อเปิดเครื่อง Eon typ. (mJ)	@VDD=1800V, ID=800A, Tch=150°C	250
	การสูญเสียเมื่อปิดเครื่อง Eoff typ. (mJ)	@VDD=1800V, ID=800A, Tch=150°C	240

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

MG800FXF2YMS3 https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=MG800FXF2YMS3

ตามลิงค์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับกลุ่มผลิตภัณฑ์พลังงาน SiC ของ Toshiba

SiC Power Devices https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/sic-power-devices.html

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า
Small Signal Device Sales & Marketing Dept. (ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก)
โทร: + 81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation รวมความกระตือรือร้นของบริษัทใหม่เข้ากับประสบการณ์ที่ยาวนาน  ตั้งแต่ได้แยกจาก Toshiba Corporation ในเดือนกรกฎาคมปี 2560 เราได้เข้าเป็นบริษัทชั้นนำด้านอุปกรณ์ทั่วไปและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจในเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 24,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ  เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะต่อยอดจากยอดขายรายปีที่ในขณะนี้สูงกว่า 750 พันล้านเยน (6.8 พันล้านเหรียญสหรัฐ) และเพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

อ่านต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210224006218/en/

สอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Department  (แผนกการตลาดดิจิทัล) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: + 81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย